Напівпровідники, їх будова та електричні властивості
Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | курсовая работа |
Язык | украинский |
Дата добавления | 29.03.2011 |
Размер файла | 656,5 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Перехід електроніки в нанометричну область ледве намітився, і супермініатюризація робить лише перші кроки. Але провідні фірми і лабораторії вже почали справжню гонку, на дослідження в цій галузі витрачаються значні кошти.
Зменшення мінімального розміру вимагає використання не лише складних технологічних рішень, а й нових матеріалів. Надзвичайно перспективною для використання в субмініатюрній електроніці вважається відкрита нещодавно модифікація вуглецю С60, яку називають «фулерен» С60. Цей термін пов'язаний з іменем американського архітектора та інженера Фуллера, який розробляв легкі і міцні архітектурні конструкції із стандартних багатокутових елементів.
Ця модифікація вуглецю була відкрита в 1985 році при вивченні продуктів випаровування графіту під дією потужного сфокусованого лазерного випромінювання, в яких крім молекул С60 були виявлені молекули С70, С50, С32, С28, С24 та інші. За відкриття фулеренів Роберт Кел, Гарольд Крото та Річард Смоллі були удостоєні Нобелівської премії з хімії за1996 рік.
Отже, фулерени - це вуглецеві багатоатомні молекули із загальною формулою Сn (n - парне число), які мають конфігурацію випуклого замкненого багатогранника. З-поміж усіх інших молекул С60 має найбільш симетричну геометричну форму (рис. 3.7). Молекулі С60 властива велика кількість коливальних та обертових мод, які проявляються у відповідних спектрах.
Малюнок 4.1.
Хімічні сполуки на основі фулеренів називаються фулеридами, наприклад, С60М (М=Na, K, Pb, Cs та ін.), про які ми вже згадували (мал. 4.1.). Фулерени в твердій фазі (кристали, тонкі плівки, кераміки) називаються фулеритами. Технологія одержання фулеренів полягає в переробці графіту в фулерен методом лазерного або електродугового випаровування в атмосфері інертного газу.
Дослідження фулериту С60 виявили, що він належить до молекулярних кристалів, у яких ковалентний зв'язок між атомами вуглецю у кожній молекулі С60 значно сильніший від міжмолекулярного ван-дер-ваальсівського типу. Температура плавлення кристалу С60 близька до 530 К, тобто значно нижча, ніж графіту та алмазу. В такому кристалі молекули С60 зберігають свою індивідуальність. Фулерит С60 є напівпровідником з шириною забороненої зони ?W =1,55 eB. Легуванням в ньому можна створити p-n переходи, і на цій основі виготовляти фулерен - транзистори. Велике зацікавлення викликають можливості застосування в електронній техніці фулеренових нанотрубок. Сьогодні вдається синтезувати трубки діаметром 2 - 20 нм і довжиною до 0.01 мм. Дослідження тривають.
Висновки
Метою даної роботи було вивчення напівпровідників, розкриття особливості напівпровідникових матеріалів, визначення електропровідності напівпровідників та фактори які на неї впливають.
1. У роботі було розглянуто поділ речовин на метали, діелектрики та напівпровідники, встановлено їх основні електрофізичні характеристики.
2. Виявлено особливості напівпровідникових матеріалів, як сировини для виготовлення деталей, виробів, устаткування.
3. З'ясовано фактори, які впливають на електропровідність напівпровідників.
4. У роботі розглянуто вплив домішок на структуру та електрофізичні властивості напівпровідників, утворення донорних та акцепторних рівнів, рівнів прилипання.
5. Розглянуто розподіл напівпровідникових матеріалів на прості напівпровідники, напівпровідникові сполуки та перспективні, ще не до кінця вивчені матеріали.
Список використаної літератури
1. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1971, 374 с.
2. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976, 417 с.
3. Гаман Н.И. Физика полупроводниковых приборов. Томск. Издательство Томского университета, 1989. 335 с.
4. Случинская И.А. Основы материаловедения и технологи полупроводников. М.: Либрус, 2002, 376 с.
5. Киттель И. Квантовая теория твёрдого тела. - М.:Мир, 1967. - 491 с.
6. Харрисон У. Теория твёрдого тела. - М.:Мир. - 1978. - 616 с.
7. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. - М.: Мир, 1965. - 588 с.
8. Бир Г.А., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. - М.: Наука, 1972. - 583 с.
9. Каллуей Дж. Теория энергетической зонной структуры. - М.:Мир, 1969. - 354 с.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Навчальна програма для загальноосвітніх шкільних закладів для 7-12 класів по вивченню теми "Напівпровідники". Структура теми: електропровідність напівпровідників; власна і домішкова провідності; властивості р-п-переходу. Складання плану-конспекту уроку.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 29.04.2014Характеристики та класифікація напівпровідників. Технологія отримання напівпровідників. Приготування полікристалічних матеріалів. Вплив ізохорного відпалу у вакуумі на термоелектриці властивості і плівок. Термоелектричні властивості плюмбум телуриду.
дипломная работа [4,4 M], добавлен 09.06.2008Магнітні властивості композиційних матеріалів. Вплив модифікаторів на електропровідність композитів, наповнених дисперсним нікелем і отверджених в магнітному полі. Методи розрахунку діелектричної проникності. Співвідношення Вінера, рівняння Ліхтенекера.
дипломная работа [3,5 M], добавлен 18.06.2013Класифікація напівпровідникових матеріалів: германія, селену, карбіду кремнію, окисних, склоподібних та органічних напівпровідників. Електрофізичні властивості та зонна структура напівпровідникових сплавів. Методи виробництва кремній-германієвих сплавів.
курсовая работа [455,9 K], добавлен 17.01.2011Феромагнітні речовини, їх загальна характеристика та властивості. Магнітна доменна структура, динаміка стінок. Аналіз впливу магнітного поля на електричні і магнітні властивості феромагнетиків. Магніторезистивні властивості багатошарових плівок.
курсовая работа [4,7 M], добавлен 15.10.2013Напівпровідники як речовини, питомий опір яких має проміжне значення між опором металів і діелектриків. Електричне коло з послідовно увімкнутих джерела струму і гальванометра. Основна відмінність металів від напівпровідників. Домішкова електропровідність.
презентация [775,8 K], добавлен 23.01.2015Атомно-кристалічна будова металів. Поліморфні, алотропні перетворення у металах. Основні зони будови зливка. Характерні властивості чорних металів за класифікацією О.П. Гуляєва. Типи кристалічних ґраток, характерні для металів. Приклади аморфних тіл.
курс лекций [3,5 M], добавлен 03.11.2010Вивчення зонної структури напівпровідників. Поділ речовин на метали, діелектрики та напівпровідники, встановлення їх основних електрофізичних характеристик. Введення поняття дірки, яка є певною мірою віртуальною частинкою. Вплив домішок на структуру.
курсовая работа [1002,2 K], добавлен 24.06.2008Електрофізичні властивості напівпровідників та загальні відомості і основні типи напівпровідникових розмикачів струму. Промислові генератори імпульсів на основі ДДРВ й SOS-діодів, дрейфовий діод з різким відновленням, силові діоди на базі P-N переходів.
дипломная работа [254,4 K], добавлен 24.06.2008Комбінаційне і мандельштам-бріллюенівське розсіювання світла. Властивості складних фосфорвмісних халькогенідів. Кристалічна будова, фазові діаграми, пружні властивості. Фазові переходи, пружні властивості, елементи акустики в діелектричних кристалах.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 25.10.2011