Российский академик Леонид Келдыш – лауреат первой Международной премии в области нанотехнологий

Размещено на http://www.allbest.ru

Российский академик Леонид Келдыш - лауреат первой Международной премии в области нанотехнологий

Талантливый учёный, признанный специалист в области физики твёрдого тела и полупроводников, автор теоретических работ, ставших классическими, Леонид Вениаминович Келдыш первый среди российских физиков в 2001 году был удостоен негосударственной общенациональной премии "Триумф". Получению этой награды предшествовали годы напряжённого труда, требовавшего полной отдачи сил, целеустремлённости, верности своему делу. Л.В. Келдыш родился 7 апреля 1931 года в Москве. В 1954 году он окончил физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова. Большая часть жизни учёного связана с Физическим институтом Академии наук им. П.Н. Лебедева (ФИАН). В 1957 году Леонид Вениаминович начал работать научным сотрудником. После защиты докторской диссертации в 1965 году стал старшим научным сотрудником, ещё через три года -- заведующим сектором. С 1989 по 1993 год был директором института, а с 1994-го является главным научным сотрудником Отделения теоретической физики ФИАН. В 1968 году Л.В. Келдыша избрали членом-корреспондентом, а в 1976-м -- академиком АН СССР. В 1991--1996 годах он занимал пост академика-секретаря Отделения общей физики и астрономии РАН. Научные работы Леонида Вениаминовича 1950-х годов посвящены проблемам полупроводниковой электроники. Они послужили развитию так называемой "неупругой туннельной спектроскопии". Дальнейшие экспериментальные исследования привели к созданию нового подхода в изучении взаимодействия мощного лазерного излучения с атомами, молекулами и твёрдыми телами. Большой резонанс вызвала одна из работ учёного, предсказавшая неожиданное явление -- сдвиг края поглощения в кристаллах в электрическом поле. Впоследствии оно было подтверждено экспериментально и стало носить его имя -- эффект Франца -- Келдыша. Для теоретического описания состояний и кинетики сильно неравновесных квантовых систем Леонид Вениаминович Келдыш разработал специальную диаграммную технику. Она нашла широкое применение в физике низких температур и квантовых жидкостей, физике металлов, полупроводников и наноструктур, лазерной физике, квантовой теории поля, квантовой космологии. Работы Л.В. Келдыша сыграли важную роль в развитии физики твёрдого тела, послужили источником и основой ряда научных направлений. В настоящее время учёный продолжает исследования в области теории конденсированных сред. На протяжении многих лет Леонид Вениаминович ведёт активную педагогическую и просветительскую деятельность. В 1962 году он стал профессором Московского физико-технического института, в 1965-м -- профессором МГУ, а в 1978-м возглавил кафедру квантовой радиофизики физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова. По созданным им пособиям училось не одно поколение физиков-теоретиков. Его блистательный курс "Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом" в 1989 году был издан в виде учебника. Л.В. Келдыш подготовил более 20 кандидатов и более 10 докторов наук. Среди его учеников есть известные учёные, заслужившие академические звания и награды. Леонид Вениаминович Келдыш -- член редколлегий нескольких журналов, член Комиссии по государственным премиям РФ, член Координационного совета по научно-техническим программам в области фундаментальной физики и астрономии. Он опубликовал более 200 научных трудов и три монографии. Его достижения получили широкое признание как у нас в стране, так и за рубежом. В 1975 году учёный был награждён орденом Трудового Красного Знамени, в 1985-м -- орденом Октябрьской Революции. Л.В. Келдыш является лауреатом премии им. М.В. Ломоносова АН СССР (1964), Ленинской премии СССР (1974), премии Hewlett-Packard Prise Европейского физического общества (1975), премии им. Александра Гумбольдта (1994). В 1997 году ему было присвоено почётное звание Рентгеновского профессора Вюрцбургского университета.

Российский академик Леонид Келдыш удостоен первой международной премии в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE-2009. 3млн рублей- таков ее размер- ученый разделит с американским профессором Альфредом И Чо. Высокая награда присуждена физикам за разработку "Полупроводниковых сверхрешёток и технологии молекулярно-лучевой эпитаксии".

Академик Леонид Келдыш- признанный специалист в области физики твердого тела и полупроводников, автор теоретических работ, ставших классическими. Он работает в Физическом институте им. Лебедева. Еще в 1962году ученый опубликовал первые теоретические работы, предсказавшие перспективность применения периодических полупроводниковых наноструктур для электроники и оптоэлектроники. Работы академика Келдыша стали отправной точкой для разработки технологии, позволяющей выращивать наноструктуры с атомной точностью. О принципиальном значении таких разработок говорит коллега ученого, академик Юрий Копаев:

"Вы вот хотите реализовать какое-то свойство. Берете известные вам кристаллы, полупроводники, металлы и смотрите, что этот хорош, с одной стороны, но с другой-- не подходит, это свойство нужно, а это мешает. А здесь вы поставили задачу-- реализовать какое-то свойство. И вы под это свойство рассчитываете, какая должна быть искусственная структура, в каком порядке расположены атомы, сколько их, чтобы нужное свойство возникало само собой. Вы специально под это свойство эту структуру вырастили". келдыш российский физик

Например, "в очень глубоком вакууме на подложке какого-то вещества,- рассказывает академик Копаев,-- растится искусственная структура, ее называют гетероструктурой. Это своеобразный "пирожок", в котором чередуются под контролем приборов атомные слои различных веществ". Новая технология получила название "молекулярно-лучевой эпитаксии". Сегодня она широко применяется для производства сверхбыстродействующих элементов таких устройств, как сотовые телефоны и проигрыватели компакт-дисков, вычислительные системы и оптоволоконные коммуникационные сети, а также радары, спутниковые системы связи, телевидение ит.д.

Международная премия в области нанотехнологий RUSNANOPRIZE учреждена Государственной корпорацией "Российская корпорация нанотехнологий" (РОСНАНО) в 2009году. Премия присуждается за научно-технологические разработки, изобретения и их внедрение в массовое производство по одному из четырех направлений-- наноэлектроника, наноматериалы, нанобиотехнологии и нанодиагностика. Премия призвана содействовать широкому признанию разработок в этих передовых областях науки, внедренных в массовое производство. Вручение RUSNANOPRIZE нынешним лауреатам состоялась в Москве 6октября 2009года в рамках пленарного заседания Второго Международного форума по нанотехнологиям.

Размещено на Allbest.ru