Електричний струм у напівпровідниках
Напівпровідники - це речовини, що займають по величині питомої електричної провідності проміжне положення між металами і діелектриками, їх застосування в електроніці. Носії заряду в напівпровіднику, вид електропровідності. Електронно-дирочний перехід.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | реферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 29.03.2010 |
| Размер файла | 71,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
РЕФЕРАТ
на тему:
“Електричний струм у напівпровідниках”
Електричні властивості напівпровідників
До напівпровідників відносяться речовини, що займають по величині питомої електричної провідності проміжне положення між металами і діелектриками. Їх питома електрична провідність лежить у межах від 10-8 до 105 див/м и в відмінність від металів вона зростає з ростом температури.
Напівпровідники являють собою досить численну групу речовин. До них відносяться хімічні елементи: германій, кремній, бор, вуглець, фосфор, сірка, миш'як, селенів, сіре олово, телур, йод, деякі хімічні сполуки і багато органічних речовин.
В електроніці знаходять застосування обмежена кількість напівпровідникових матеріалів. Це насамперед кремній, германій, і арсенід галію. Ряд речовин, таких як бор, миш'як, фосфор використовуються як домішки.
Застосовувані в електроніці напівпровідники мають дуже зроблену кристалічну структуру. Їхні атоми розміщені в просторі в строго періодичній послідовності на постійних відстанях друг від друга, утворити кристалічні ґрати. Ґрати найбільш розповсюджених в електроніці напівпровідників - германія і кремнію - мають структуру алмазного типу. У таких ґратах кожен атом речовини оточений чотирма такими ж атомами, що знаходяться у вершинах правильного тетраедра.
Кожен атом, що знаходиться в кристалічних ґратах, електричний нейтральний. Сили, що утримують атоми у вузлах ґрат, мають квантовомеханічний характер; вони виникають за рахунок обміну взаємодіючих атомів валентними електронами. Подібний зв'язок атомів зветься ковалентного зв'язку, для її створення необхідний пара електронів.
У германії і кремнії, що є чотирьохвалентними елементами, на зовнішній оболонці мається по чотирьох ковалентні зв'язки з чотирма найближчими, навколишніми його атомами.
Носії заряду в напівпровіднику
У розглянутих ідеальних ґратах всі електрони зв'язані зі своїми атомами, тому така структура не повинна проводити електричний струм. Однак у напівпровідниках (що докорінно відрізняє їх від діелектриків) порівняно невеликі енергетичні впливи, обумовлені чи нагріванням опроміненням, можуть привести до розриву деяких валентних зв'язків у ґратах. При цьому валентний електрон, що відірвався від свого атома, переходить у новий стійкий стан, у якому він має здатність переміщатися по кристалічним ґратам. Такі зірвані з валентних зв'язків рухливі електрони називаються електронами провідності. Вони обумовлюють електропровідність напівпровідника, називану електронною електропровідністю (мал.1.1).
Мінімальна величина енергії DW, яку необхідно повідомити валентному електрону для того, щоб відірвати його від атома і зробити рухливим, залежить від структури ґрат і, отже, є параметром напівпровідника.
Енергія електронів, що переміщаються по кристалі, лежить у деякому діапазоні значень, інакше кажучи, електрони займають цілу зону енергетичних рівнів, називану зоною провідності. Енергетичні стани валентних електронів також утворять зону, називаний валентної. Між максимальним рівнем валентної зони і мінімальним рівнем зони провідності лежить область енергетичним станів, у яких електрони не можуть знаходитися; це так називана заборонена зона. Ширина забороненої зони W визначає енергію, необхідну для звільнення валентного електрона, тобто енергію іонізації атома напівпровідника. Таким чином, з енергетичної точки зору відривши валентного електрона від атома і перетворення його в електрон провідності відповідають перекиданню електронів з валентної зони в зону провідності.
При розриві валентного зв'язку і відході електрона з атома в ґрати утвориться незаповнений зв'язок, який наявний нескомпенсований позитивний заряд, рівний по величині заряду електрона +e. Тому що на незаповнений зв'язок легко переходить валентні електрони із сусідніх зв'язків, чому сприяє тепловий рух у кристалі, то місце, де відсутній валентний електрон, (називане, діркою), хаотично переміщається по ґратам. При наявності зовнішнього полючи дірка також буде рухатися в напрямку дії полючи, що відповідає переносу позитивного заряду, тобто електричному струму.
Цей вид електропровідності напівпровідника називають дирочний електропровідністю у відмінності від раніше розглянутими електронними, обумовленими вільними електронами.
Напівпровідник, що має у вузлах ґрат тільки власні атоми, прийнято називати власним провідником; усі величини, що відносяться до нього, позначаються індексом і (від англійського слова intrinsic- властивий).
В електроніці часто застосовуються напівпровідники, у яких частина атомів основної речовини у вузлах кристалічних ґрат заміщена атомами домішки, тобто атомами іншої речовини. Такі напівпровідники називаються примісними. Для германія і кремнію найчастіше використовують п'ятивалентні і тривалентні домішки. До п'ятивалентним домішок відносяться фосфор, сурма, миш'як і ін.; до тривалентних - бор, алюміній, індій, галій.
При наявності п'ятивалентного домішку чотири валентних електрони примісного атома разом з чотирма електронами сусідніх атомів утворять ковалентні зв'язки, а п'ятий валентний електрон виявляється "зайвим". Енергія зв'язку його зі своїм атомом Wп набагато менше, ніж енергія W, необхідна для звільнення валентного електрона.
Завдяки невеликій енергії іонізації Wn, п'ятий електрон навіть при кімнатній температурі може бути відірваний від свого атома за рахунок енергії теплового руху. При цьому утвориться вільний електрон, здатний переміщатися по кристалічним ґратам, і нерухомий позитивний заряд - атом домішки, що втратив цей електрон. Домішки такого виду, що віддають електрони, називаються донорними, а кристали з подібною домішкою - напівпровідниками п-типу.
При введенні тривалентної домішки примісний атом віддає три своїх валентних електрони для утворення ковалентних зв'язків із трьома прилеглими атомами. Зв'язок з четвертим атомом виявляється незаповненої, однак на неї порівняно легко можуть переходити валентні електрони із сусідніх зв'язків.
При перекиданні валентного електрона на незаповнений зв'язок примісний атом із приєднаним зайвим електронів утворить у ґратах нерухомий негативний заряд; крім того, у ґратах утвориться дірка, здатна переміщатися по ґратам і зумовлююча дирочну провідність напівпровідника. Домішки такого виду, що захоплюють електрони, називаються акцепторними, а кристал з акцепторною домішкою - напівпровідник р-типу.
Електронно-дирочний перехід
При легуванні однієї області напівпровідника акцепторною домішкою, а іншої області - донорній, виникає тонкий перехідний шар, що володіє особливими властивостями. У цьому шарі, у результаті дифузії носії заряду переміщаються відтіля, де їхня концентрація більше, туди, де їхня концентрація менше. Таким чином, з напівпровідника p-типу в полупроводник n-типу дифундують дірки, а з напівпровідника n-типу в полупроводник p-типу дифундують електрони. При цьому, вони поєднуються з наявними в сусідніх областях основними носіями протилежного знака - рекомбінують. У цьому випадку, у границі перехідного шару виникає область збіднена рухливими основними носіями заряду й володіюча високим опором - p-n перехід. Нерухомі іони, що залишаються по обох сторони граничного шару створюють однакові за значенням, але різні за знаком просторові об'ємні заряди: у p-шарі - негативний, а в n-шарі - позитивний. Цей подвійний електричний шар створює електричне поле, що перешкоджає подальшому проникненню носіїв заряду і виникає стан рівноваги (мал. 1.2). При підключенні джерела струму так, що до області p-провідності приєднаний негативний полюс джерела, а до області n-провідності - позитивний полюс виникає поле, під впливом якого електрони і дірки будуть у великій кількості відповідно відштовхуватися в глиб напівпровідників (мал. 1.3).
P-n перехід збільшиться, його опір зросте й у ланцюзі напівпровідникового діода електричного струму практично не буде. Однак незначній кількості неосновних носіїв зарядів (позитивних) з n-області і (негативних) з p-області, що мають великі швидкості, удасться проскочити p-n-перехід, і в ланцюзі буде протікати дуже невеликий струм, називаний зворотним струмом.
Подвійний електричний шар аналогічний конденсатору, у якому роль діелектрика грає замикаючий шар, що має значний опір. Ємність p-n-переходу, що виникає в цьому випадку зветься бар'єрної. Ця ємність виявляється нелінійно залежної від зворотного замикаючого напруги. З ростом зворотної напруги товщина замикаючого шару збільшується, а ємність - зменшується (мал.1.4).
При зміні полярності джерела, підключеного до діода, електрони n-області і дірки p-області будуть взаємно притягатися і переміщатися до границі цих напівпровідників. P-n перехід звужується, його опір різке зменшується, і створюються умови для переходу великої кількості електронів з n-області в p-область, а отже, для переходу дірок у протилежному напрямку. При такім включенні напівпровідникового діода в ланцюзі з'явиться значний електричний струм, що носить назва прямого струму.
Сила прямого струму в напівпровідниках нелінійно залежить від величини прикладеного до них напруги.
З опису процесу, що відбуває на границі двох напівпровідників з різної за знаком провідністю, випливає, що вони володіють, як і електронна лампа - діод, однобічною провідністю. Це значить, що при напрямку електричного полю чи, створюваного прикладеною до напівпровідників прямою напругою, діод пропускає струм і опір його малий, а при зворотному напрямку цього полю чи, створюваного прикладеною до напівпровідників зворотною напругою, опір діода великий, а струм у його ланцюзі дуже малий.
На мал.1.5 показана типова нелінійна характеристика діода. Вольтамперна характеристика діода описується співвідношенням
,
де I0 - зворотний струм p-n переходу, U прикладена напруга, j - температурний потенціал, при 300К j =26мв. Для більшої наочності крива прямого струму (права частина графіка) і крива зворотного струму (ліва частина графіка) побудовані в різних масштабах. Схожими властивостями володіє і контакт напівпровідника з металом, що використовується в діодах Шотки.
Подобные документы
Напівпровідники як речовини, питомий опір яких має проміжне значення між опором металів і діелектриків. Електричне коло з послідовно увімкнутих джерела струму і гальванометра. Основна відмінність металів від напівпровідників. Домішкова електропровідність.
презентация [775,8 K], добавлен 23.01.2015Закони постійного струму. Наявність руху електронів у металевих проводах. Класифікація твердих тіл. Механізм проходження струму в металах. Теплові коливання грати при підвищенні температури кристала. Процес провідності в чистих напівпровідниках.
реферат [33,6 K], добавлен 19.11.2016Оцінка ймовірності знайти електрон на рівні Е у власному напівпровіднику при кімнатній температурі. Визначення положення рівня Фермі, розрахунок температурної залежності власної концентрації носіїв заряду у вихідному напівпровіднику та побудова графіка.
контрольная работа [2,8 M], добавлен 18.12.2009Явище термоелектронної емісії – випромінювання електронів твердими та рідкими тілами при їх нагріванні. Робота виходу електронів. Особливості проходження та приклади електричного струму у вакуумі. Властивості електронних пучків та їх застосування.
презентация [321,1 K], добавлен 28.11.2014Фізична характеристика вакууму, електровакуумні прилади. Поняття емісії електронів. Термоелектронна емісія та її застосування. Параметри вакуумного тріоду. Чотириелектродна лампа з двома сітками (тетрод). Електронно-променева трубка та її функціонування.
реферат [180,9 K], добавлен 20.06.2009Розрахункова схема електричного кола. Умовно позитивний напрям струму. Застосування законів Кірхгофа для розрахунку розгалужених кіл. Еквівалентні перетворення схем з'єднань опорів. Формула провідності елемента кола. Коефіцієнт корисної дії генератора.
лекция [98,4 K], добавлен 25.02.2011Реостат — електричний прилад, яким змінюють опір електричного кола, регулюють струм або напругу. Опис будови реостату, його види та позначення на електричній схемі. Принцип роботи приладу, його призначення в побуті, застосування у науці та техніці.
презентация [1,1 M], добавлен 13.02.2012Сутність, властивості та застосування електроенергії. Електромагнітне поле як носій електричної енергії. Значення електроенергії для розвитку науки і техніки. Передачі та розподіл електричної енергії. Електростанції, трансформатори та генератори струму.
реферат [20,8 K], добавлен 16.06.2010Поняття електричного струму, його виникнення у природі. Технологія запису інформації на магнітні носії, схема функціонування патефону. Будова магнітного поля Землі. Енергетика сьогодні: атом та атомне ядро, ланцюгова реакція. Проблеми ядерної енергетики.
реферат [3,9 M], добавлен 03.09.2011Акумуляція енергії в осередку. Анізотропія електропровідності МР, наведена зовнішнім впливом. Дія електричних і магнітних полів на структурні елементи МР. Дослідження ВАХ МР при різних темпах нагружения осередку. Математична теорія провідності МР.
дипломная работа [252,7 K], добавлен 17.02.2011
