курсовая работа Расчет профиля распределения примеси n в кремниевом биполярным n-p-n транзисторе
Сущность ионной имплантации, распределение примеси бора и фосфора в кремниевом биполярном n-p-n транзисторе. Основные характеристики и технологические особенности ионной имплантации. "Гибридизация" имплантационной методики с традиционными технологиями.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Производство и технологии |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 21.12.2023 |
| Размер файла | 741,7 K |
Подобные документы
Физические особенности процесса ионного легирования. Анализ влияния технологических параметров на процесс ионной имплантации, распределение внедренных примесных атомов, радиационные дефекты. Схема устройства для ионной имплантации, методы моделирования.
реферат [17,2 K], добавлен 25.12.2009Молекулярно-лучевая эпитаксия как эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума. Характеристика видов электронных микроскопов, анализ сфер применения. Рассмотрение составных частей установки ионной имплантации. Особенности электронной литографии.
реферат [1,0 M], добавлен 06.05.2014Сравнительный анализ методов поверхностного модифицирования. Физические основы процесса имплантации газов в металлы и сплавы. Определение ядерного и электронного торможения иона в материал подложки. Расчет пробегов ионов и концентрационных напряжений.
дипломная работа [6,0 M], добавлен 02.09.2010Теоретические сведения о процессах легирования. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Анализ бинарной диаграммы состояния Si-Al. Расчет примеси в полупроводнике после диффузионного отжига.
курсовая работа [2,0 M], добавлен 10.12.2015Краткий обзор вредных примесей в нефти: механические примеси, кристаллы солей и вода, в которой растворены соли. Требования к нефти, поступающей на перегонку. Нефти, поставляемые на нефтеперерабатывающие заводы, в соответствии с нормативами ГОСТ 9965-76.
презентация [430,3 K], добавлен 21.01.2015Основные свойства материала, методы получения монокристалла. Расшифровка марки материала, описание его свойств и методов получения. Вывод распределения примеси. Выбор технологических режимов и размеров установки. Алгоритм расчета легирования кристалла.
курсовая работа [917,6 K], добавлен 30.01.2014Характеристика, электронная и кристаллическая структура, физические и технологические свойства металла, формы нахождения в рудах, способы получения, применение. Примеси в платине и их влияние на свойства. Легирование и термическая обработка ее сплавов.
курсовая работа [425,0 K], добавлен 14.03.2015Механические свойства, обработка и примеси алюминия. Классификация и цифровая маркировка деформируемых алюминиевых сплавов. Характеристика литейных алюминиевых сплавов системы Al–Si, Al–Cu, Al–Mg. Технологические свойства новых сверхлегких сплавов.
презентация [40,6 K], добавлен 29.09.2013Под диффузией из бесконечного (постоянного) источника понимают такое состояние системы, когда количество примеси, уходящее из приповерхностного слоя полупроводникового материала, восполняется равным количеством, поступающим извне. Локальная диффузия.
реферат [808,5 K], добавлен 06.01.2009Применение электрических полей для воздействия на процессы самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС). История открытия метода СВС, его преимущества по сравнению с традиционными технологиями. Рентгенофазовый анализ продуктов СВС.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 19.02.2016