автореферат Формування силіцидних фаз при реакційній дифузії в системах "плівкові шари (5-30 нм) Ti, Ni - монокристалічний кремній"
Експериментальне дослідження та теоретичне моделювання процесів термостимульованої реакційної дифузії в системах "плівкові шари Ni (Ti, Ni-Ti) нанометрових товщин (5-30 нм) – монокристал Si(001)". Моделі дифузійного росту включень силіцидних фаз.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Производство и технологии |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 29.08.2014 |
| Размер файла | 50,2 K |
Подобные документы
Розробка ескізу конструкції дифузійного діода та технологічного маршруту його виготовлення. Введення домішок в напівпровідник за допомогою дифузії та іонної імплантації. Розрахунок режимів технологічних операцій при виготовленні дифузійного діода.
курсовая работа [652,6 K], добавлен 02.05.2021Літературний огляд властивостей та технології отримання монокристалів германія. Властивості монокристалів, їх кристалографічна структура, фізико-хімічні, електрофізичні та оптичні властивості. Технологічні умови вирощування германію, його застосування.
курсовая работа [2,0 M], добавлен 03.05.2015Моделювання поверхні каналу двигуна внутрішнього згоряння. Формування каркаса поверхні. Головні вимоги, що пред'являються до геометричної моделі проточної частини каналу ДВЗ. Методика та основні етапи моделювання осьової лінії в системі Solid Works.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 09.10.2011Перeваги кремнію – основного матеріалу напівпровідникової техніки. Вирощування монокристалів із розплаву. Методи вирощування Стокбаргера і Бріджмена на основі переміщення тигля в температурному градієнті. Очищення методом зонної плавки, її варіанти.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 09.04.2011Характеристика гнучкої виробничої системи, де здійснюється безпосереднє перетворення початкового матеріалу у кінцевий продукт або напівфабрикат. Основні напрямки розробки технологічних процесів. Основне устаткування для транспортування інструментів.
курсовая работа [302,8 K], добавлен 11.06.2011Розробка модельного ряду молодіжних жакетів. Обґрунтування вибору методу технічного моделювання та методики конструювання моделі молодіжного жакету. Розкладка деталей крою швейного виробу. Вивчення основних способів з’єднання деталей швейного виробу.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 31.10.2014Сущность, предназначение, задачи системы автоматизированного контроля (САК) в гибких производственных системах ГПС. Взаимосвязи САК с элементами ГПС. Типовая структура САК. Принципы и режимы функционирования САК. Программное обеспечение САК, его функции.
реферат [52,4 K], добавлен 05.06.2010Класифікація інформаційних технологічних систем, задачі технологічної підготовки виробництва, що розв'язуються за допомогою математичного моделювання. Аналіз інформаційних зв'язків в технологічних системах виготовлення деталей та складання приладів.
курсовая работа [40,9 K], добавлен 18.07.2010Аналіз виробничих інформаційних систем та їх класифікація, зовнішнє середовище виробничої системи. Аналіз інформаційних зв'язків в технологічних системах виготовлення деталей та складання приладів. Функціональна схема дослідження технологічних систем.
курсовая работа [55,6 K], добавлен 18.07.2010Механізм росту покриття на стадії мікроплазменних розрядів. Основні моделі росту покриття. Осадження частинок з приелектродного шару. Синтез оксидокерамічних покриттів, фазовий склад. Головна перевага методу електродугового оксидування покриттів.
лекция [139,5 K], добавлен 29.03.2011