Многофункциональные элементы оптоэлектроники на основе симметричных фоторезисторных структур

На кривых ТСЕ (рис.14) не наблюдались максимумы в этой области температур, соответствующих максимумам Т (рис.13). На основе этого вывода была уточнена энергетическая зонная схема данного люминофора, в которой центры с энергиями Е₁ и Е₂ не имеют возбужденного состояния в зоне проводимости (рис.15). Таким образом, анализ процессов переноса зарядов с одних мест локализации на другие, а также кривых ТВ и ТСЕ позволяет уточнять зонную схему различных порошковых люминофоров.

В качестве устройств оптической памяти нами были использованы полученные ЭЛК. Если после прекращения освещения отключить напряжение и замкнуть контакты возникает вспышка свечения областей структуры, которые были освещены светом.

Механизм запоминания следующий: при освещении происходит переход электронов в зону проводимости, а под действием приложенного напряжения часть электронов выходит из области кристалла на границу с диэлектриком. После отключения света и поля свободные носители удерживаются на границе кристаллов полем заряда металлических дорожек. После снятия заряда с дорожек, за счет замыкания контактов, носители возвращаются в объем кристалла и рекомбинируют со свободными центрами свечения. Для исследований использовались электролюминофоры типа ЭЛ-515, ЭЛ-525, ЭЛ-670. Возбуждение образцов осуществлялось светом с . На рис. 16 приведена кривая спада яркости вспышек от времени хранения для люминофора ЭЛ-525 при температуре -196 єС.

Как видно из рис. 16, время хранения оптической информации достигает одного часа. Проведенные исследования позволили сделать вывод о способе повышения времени хранения. Для его увеличения необходимо увеличить толщину диэлектрического слоя на поверхности алюминиевых дорожек.

Рис. 16. Зависимость интенсивности вспышки от времени хранения для структуры на основе люминофора ЭЛ-525 (t= 196 єС)

Сопротивление диэлектрика должно быть сравнимо или на порядок больше, чем сопротивление освещенного образца (Ом). Рассмотрим математическую модель явления оптической памяти. Энергия излучения вспышки может быть найдена из уравнения:

, (43)

где С - емкость конденсатора, U - приложенное напряжение - квантовый выход.

Выражение (43) верно для случая полной экранировки. Получим математическую модель вспышки свечения. Полагая, что время возвращения свободных носителей с границ кристаллов определяется временем стекания зарядов с металлических дорожек конденсатора, получим:

, (44)

где N₀ - начальное число зарядов на обкладках конденсатора. Дифференциальное уравнение изменения числа ионизованных центров при возвращении свободных носителей с границ зерен кристаллов в объем будет иметь вид:

. (45)

Уравнение (45) нами решено численным методом. На рис. 17 (А) представлен теоретический график зависимости интенсивности вспышки свечения от времени при следующих значениях параметров в уравнении (45): RC = 10^-6c, = 510^-8 c^-1, отн.ед.

Хорошее соответствие кривых, представленных на рис. 17 (А, Б) говорит о правильности выбранной для расчета модели.

Рис. 17. Атеоретическая зависимость интенсивности вспышки свечения от времени; Бэкспериментальная осциллограмма вспышки свечения структуры с люминофором ЭЛ-515

Проведенные исследования показали, что планарная структура типа МДПДМ на основе порошковых люминофоров может быть использована как устройство хранения оптической информации. Длительность хранения зависит от сопротивления диэлектрической прослойки и температуры. В качестве люминофоров должны использоваться полупроводники, в которых возбуждение сопровождается переходом электронов в зону проводимости. Для получения цветных изображений необходимо использовать смеси люминофоров, которые излучают в синей, зеленой и красной областях спектра.

В седьмой главе приводятся практические результаты работы. Рассмотрены ряд устройств, в которых фоторезистор выступает в роли смесителя. На рис.18 приведена блок схема передатчика с амплитудной модуляцией. Модулирующий сигнал подается на источник света 8. От источника света оптический сигнал, изменяющийся по закону модулирующего сигнала, поступает по световоду 9 на фоторезистор 3. На выходе фоторезистора согласно (17) появится амплитудно-модулированный сигнал, который по линии связи поступает на усилитель 5 и далее через согласующую линию связи 6 в антенну 7. Наличие световода, по которому распространяется модулирующий сигнал, позволяет обеспечить высокую скрытность источника сообщения. КНИ такого передатчика зависит в основном от уровня возбуждения фоторезистора (глубины модуляции). КНИ смесителя передатчика зависит от глубины модуляции и достигает S=2% при глубине модуляции M=10%.

Для исключения нелинейных искажении, связанных с модулятором, необходимо несущий сигнал подать на источник света, а модулирующий на фоторезистор. Предлагаемое решение значительно проще аналога за счет идеальной развязки несущего и модулирующего колебания и имеет низкий КНИ, S<0,1% для второго случая.

Рис. 18. Блок схема передатчика с амплитудной модуляцией: 1 перестраиваемый высокочастотный генератор, 2, 4 и 6 линии связи, 3фоторезистор, 5усилитель мощности, 7антенна, 8источник света, управляемый сигналом сообщения, 9световод

Рассмотрим анализатор спектра электрических сигналов, в котором в качестве смесителя выступает фоторезистор (рис. 19). Исследуемый сигнал подается на усилитель входного сигнала 1. Гармонический сигнал с перестраиваемого гетеродина 5 подается на источник света 6. Оптический сигнал, интенсивность которого изменяется по закону сигнала гетеродина, поступает по световоду 8 на фоторезистор 2. На выходе фоторезистора появится сигнал, частоты гармоник которого будут равны разности частот гармоник анализируемого сигнала и частоты гетеродина. Далее сигнал с фоторезистора поступает на фильтр низких частот 3.

Рис. 19. Последовательный анализатор спектра электрических и модулированных оптических сигналов на основе резисторного оптрона:

1?усилитель, 2 ? фоторезистор, 3 ? фильтр низких частот, 4 ? регистрирующие устройство, 5 ? перестраиваемый гетеродин, 6 ? источник света, 7 ? частотомер, 8 ? световод

Если < , ( - полоса пропускания полосового фильтра низких частот) сигнал с фильтра низких частот поступает на регистрирующее устройство 4, которое измеряет амплитуду гармоники . Частота данной гармоники измеряется частотомером 7. Предлагаемый анализатор спектра отличается простотой изготовления, высокой точностью и может быть реализован на основе существующих перестраиваемых генераторов исполняющих роль гетеродина, фоторезисторных оптопар, частотомеров, усилителей и вольтметров.

В качестве управляемого сопротивления во многих радиотехнических устройствах используется полевой транзистор. Основным недостатком таких устройств, являются отсутствие гальванической развязки между несущим и модулирующим сигналом, и нелинейные искажения. Эти недостатки можно исключить или уменьшить при использовании фоторезистора в качестве управляемого сопротивления.

Рис.20. А схема фазового модулятора на основе мостовой схемы с фоторезистором в качестве управляемого сопротивления: 1, 2 резисторы, 3 фоторезистор, 4 конденсатор, 5 световод, 6 управляемый сигналом сообщения источник света. B зависимость КНИ (S) от индекса угловой модуляции (m)

На рис.20 (А) представлена схема фазового модулятора на основе мостовой схемы, где транзистор, в качестве управляемого сопротивлении, заменен фоторезистором. На вход схемы подается высокочастотный сигнал U_вх с частотой . Модулирующий сигнал (сигнал сообщения) подается на источник света 6.

Оптический сигнал, изменяющийся по закону передаваемого сообщения по световоду 5, поступает на фоторезистор 3. Проводимость фоторезистора изменяется в соответствии с оптическим сигналом, а, следовательно, в соответствии с сигналом сообщения. В результате фаза высокочастотного сигнала на выходе устройства будет изменяться по закону:

. (46)

При небольших уровнях освещенности, фоторезистор является линейным элементом и его проводимость, в отличие от прототипа, линейно зависит от интенсивности света, т.е. от управляющего сигнала. На рис.20 (В) приведена зависимость нелинейных искажений от глубины модуляции.

Измерения показали, что КНИ, вносимый фоторезистором совместно со светодиодом, равен 0,25% при глубине модуляции М=0,2.

Использование фоторезистора в качестве управляемого элемента в фазовом модуляторе на основе мостовой схемы выгодно отличает предлагаемый фазовый модулятор от указанного прототипа, так как уменьшает КНИ, повышая качество передаваемого сигнала и обеспечивая высокую скрытность источника сообщения.

Это связано с тем, что источник сообщения может быть удален от радиостанции с фазовым модулятором на значительное расстояние с помощью световода.

На рис. 21 приведена схема фазового модулятора для высоких частот несущего сигнала. В этой схеме в качестве управляемого сопротивления также можно использовать фоторезистор вместо полевого транзистора. Сдвиг фазы в такой цепи на частоте записывается в виде:

, (47)

где проводимость фоторезистора, частота входного высокочастотного напряжения, L - индуктивность, входящая в схему. Частота сигнала должна удовлетворять равенству:

, (48)

где C - емкость.

В этом случае коэффициент передачи схемы при любом сопротивлении фоторезистора равен единице и паразитной амплитудной модуляции не будет.

Рис. 21. Схема фазового модулятора на основе RLC - делителя с фоторезистором в качестве управляемого сопротивления: 1 емкость, 2 индуктивность, 3 фоторезистор, 4 ? источник света, 5 световод

Модулирующий сигнал (сигнал сообщения) подается на источник света (4). Оптический сигнал, изменяющийся по закону передаваемого сообщения по световоду 5, поступает на фоторезистор 3. Проводимость фоторезистора изменяется в соответствии с оптическим сигналом, а, следовательно, в соответствии с сигналом сообщения.

В результате фаза высокочастотного сигнала на выходе устройства будет изменяться по закону (47).Нами была проведена оценка КНИ при следующих значениях элементов схемы: С = 0,5пФ, L = 10⁴ Гнс^-1, сопротивление фоторезистора изменялось в пределах от 200 кОм до 40 кОм. На рис. 22 приведена зависимость КНИ от сопротивления фоторезистора и сдвига фазы для данных значений схемы. Из полученных результатов следует, что применение фоторезистора в качестве управляемого сопротивления снижает КНИ фазового модулятора на основе управляемого RLC - делителя минимум в 2. раза, с 7,5% в случае полевого транзистора до 3,2% в нашем случае при = 0,5 рад. На вышеизложенные конструкции были получены патенты на полезные модели.

Рис.22. Зависимость коэффициента нелинейных искажений от сопротивления фоторезистора (А) и от сдвига фазы (Б)

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключении изложены основные выводы и результаты работы.

Отмечается, что диссертация посвящена исследованию неравновесных процессов в фоточувствительных полупроводниковых структурах при нестационарном освещении и питании, выявлению особенностей распределения носителей между зонами при периодическом освещении, изучению функциональных свойств фоторезисторных структур при периодическом питании.

Развиваемое научное направление связано с решением проблемы интеграцией оптики и электроники. Наиболее важными представляются следующие результаты и выводы.

1. Получены теоретические и экспериментальные доказательства зависимости среднего значение концентрации свободных носителей и эффективности фоторезистора от частоты модуляции возбуждающего излучения, и закона рекомбинации.

2. Установлено, что зависимость среднего значение концентрации свободных носителей связана с перераспределением носителей между зонами в полупроводнике при изменении частоты модуляции по интенсивности возбуждающего оптического излучения и зависит от соотношения скоростей процессов рекомбинации при наличии и отсутствии излучения.

3. Разработан экспериментальный метод и математическая модель определения параметров кинетики фотопроводимости по измерению среднего значения фототока.

4. Предложен метод Фурье анализа кинетики с помощью переменного напряжения приложенного к фоторезистору.

5. Установлено, что фоторезисторные структуры являются прямыми перемножителями оптических и электрических сигналов, и могут совмещать функции приема модулированных по интенсивности оптических сигналов и извлечения из них информации. Показана возможность совмещения гетеродинного приема и синхронного детектирования фоторезистором оптических сигналов модулированных по оптической частоте и фазе.

6. Установлено, что оптические сигналы могут управлять электрическими сигналами с помощью фоторезистора. Предложены на основе фоторезистора устройства для амплитудной, фазовой модуляции, электрических сигналов, синхронного детектирования и спектрального анализа электрических сигналов Получены зависимости коэффициента нелинейных искажений от вида кинетики фотопроводимости, инжекционных явлений.

7. Разработана новая технология изготовления планарных щелевых электролюминесцентных конденсаторов. Обнаружено явление оптической памяти в планарных щелевых электролюминесцентных конденсаторах.

8. Доказано, что скорость генерации свободных носителей электрическим полем пропорциональна произведению напряжения приложенного к структуре на скорость изменения напряжения. Получены физические и математические модели процессов скорости генерации полем свободных носителей, оптической памяти в электролюминесцентных структурах типа МДПДМ.

9. Созданы математическая модель и экспериментальная методика определения глубины центров захвата порошковых полупроводниковых материалов с рекомбинационным типом свечения методом термостимулированной емкости. Определена зонная структура люминофора ZnS-In. Показана возможность переселения свободных носителей через примесные уровни.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ РАБОТЫ

Цитируемая литература

1. Ларькин А.И., Юу Ф.У.С. Когерентная фотоника. М.:БИНОМ Лаборатория знаний , 2007.319 с.

2. Розеншер Б. Винер. Оптоэлектроника М.:Техносфера, 2006.-592 с.

3. Щука А.А. Электроника четвертого поколения - функциональная электроника? //Инженерная микроэлектроника.- 1998. -№4.-С.30-36

4. Скляров О.К. Волоконно-оптические сети и системы связи М.: СОЛОН-Пресс, 2004.272 с.

5. Леонид Бараш. Кремниевая фотоника, как альтернатива медным внутренним соединениям. // Компьютерное обозрение. №33(552)

6. Щука А.А. Функциональная электроника М.: Из-во МИРЭЛ, 1998.-286с

7. Гальярди Р.М., Карп Ш. Оптическая связь М.: Связь, 1978. 424 с.

8. Нефедов В.И. Основы радиотехники и связи М.: Высш. шк. 2002.420 с.

Публикации по теме диссертации

1. Денисов Б. Н. Исследование фоточувствительных монокристаллов СdS при переменном смещении / Б. Н. Денисов, Б. М. Орлов, В. В. Лосев, Н. Н. Погорелова // Тезисы докладов 8 Всесоюзной конференции по микроэлектронике. М., 1978. С.57-58.

2. Денисов Б. Н. Исследование импеданса фоточувствительных монокристаллов СdS с невыпрямляющими контактами / Б. Н. Денисов, Б. М. Орлов, В. В. Лосев, И. М. Колдаев // Сборник научных трудов по проблемам оптоэлектроники «Полупроводниковые приборы». М., 1979. С.94-99.

3. Денисов Б. Н. Фотоэлектрические свойства диодных структур на основе ZnS при переменном смещении / Б. Н. Денисов, Б. М. Орлов, В. В. Лосев, С. Н. Дацко // 2 Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам. Ленинград, 1979. С.46.

4. Денисов Б. Н. Нелинейная резонансная поляризация монокристаллов CdS в области радиочастот./ Тезисы докладов V Всесоюзного совещания физики и технике применения полупроводников А2В6. Вильнюс, 1983. Т.1. С.48.

5. Денисов Б. Н. Об эффективности преобразования импульсного ИК излучения в видимое люминофорами Y2O2S-Yb,Er и NaYEr-Yb,Er / Б. Н. Денисов, В. А. Горюнов, Е. В. Локтев, С. П. Ушаков // Тезисы докладов V Всесоюзного совещания синтез, технология исследования, технология и применение люминофоров. Ставрополь, 1985. С. 62.

6. Денисов Б. Н. Установка для исследования кинетики свечения люминофоров / Б. Н. Денисов, В. А. Горюнов, В. Я. Гришаев // Светотехника. 1989. №10. С.10-11.

7. Денисов Б. Н. Выход люминесценции двухуровневой системы при импульсном возбуждении // Материалы для источников света и светотехнических изделий: Межвуз. сб. науч. тр. Саранск, 1990. С.85-90.

8. Денисов Б. Н. Время жизни возбужденных состояний центров люминесценции фосфоров и разделение их спектров свечения на индивидуальные полосы / Б. Н. Денисов, В. А. Горюнов, В. Я. Гришаев, Е. В. Никишин // Тезисы докладов VII Всесоюзного I Международного совещания «Физика, химия и технология люминофоров». Ставрополь, 1992. С. 14.

9. Денисов Б. Н. Методика разделения спектров свечения люминофоров / Б. Н. Денисов, В. А. Горюнов, В. Я. Гришаев, Е. В. Никишин // Светотехника, 1993. № 3. С. 3-4.

10. Денисов Б. Н. К расчету переходных процессов при импульсном возбуждении, описываемых дифференциальными уравнениями первого порядка / Б. Н. Денисов, А. П. Королев, Е. В. Никишин // Математическое моделирование, 1995. Т. 7. №5. С. 51.

11. Денисов Б. Н. Расчет установившегося процесса в линейных системах при периодическом возбуждении / Б. Н. Денисов, А. П. Королев // Математическое моделирование, 1995. Т. 7. №5. С.50.

12. Денисов Б.Н. Эффективность свечения антистоксовых люминофоров при импульсно-периодическом возбуждении/ Б.Н Денисов, В.А. Горюнов, В.Я. Гришаев, Е. В. Никишин // Математическое моделирование, 1997. т.9. №10. С.14.

13. Денисов Б. Н. Расчет свечения антистоксовых люминофоров при периодическом импульсном возбуждении / Б. Н. Денисов, В. Я. Гришаев, Е. В. Никишин, А. П. Королев // Тезисы докладов 2 Международной конференции «Дифференциальные уравнения и их приложения». Саранск, 1996. С. 85.

14. Денисов Б. Н. О выпрямляющих свойствах фоторезисторов, работающих в продольном режиме / Б. Н. Денисов, В. Я. Гришаев, Е. В. Никишин // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации». Кисловодск, 1996. С. 86.

15. Денисов Б. Н. Исследование электро- и фотолюминесценции при импульсном УФ-возбуждении / Б. Н. Денисов, Е. М. Бибанина, В. Я. Гришаев // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации». Кисловодск, 1996. С. 85.

16. Денисов Б. Н. Выход фотолюминесценции системы частиц с n-уровнями энергии при периодическом возбуждении / Б. Н. Денисов, В. А. Горюнов, А. П. Королев, Е. В. Никишин // Тезисы докладов Международной конференции «Осветление-96». Варна, 1996. С.25.

17. Денисов Б. Н. Исследование электролюминесценции кристаллов АДР при постоянном и переменном напряжении / Б. Н. Денисов, Ю. А Маскаев //Тезисы докладов IV Всероссийского с международным участием совещания по материалам для источников света, электронных приборов и светотехнических изделий. Саранск, 1996. С.25.

18. Денисов Б. Н. Технология изготовления и исследование проволочных электролюминесцентных конденсаторов / Б. Н. Денисов, Е. М. Бибанина, В. А. Горюнов // Тезисы докладов IV Всероссийского с международным участием совещания по материалам для источников света, электронных приборов и светотехнических изделий. Саранск, 1996. С.15.

19. Денисов Б. Н. Расчет эффективности люминесценции с квадратичным законом рекомбинации при периодическом возбуждении / Б. Н. Денисов, Е. М. Бибанина, В. Я. Гришаев, Е. В. Никишин // Тезисы докладов Международной научно-технической конференции «Проблемы и прикладные вопросы физики». Саранск, 1997. С. 102-103.

20. Патент на изобретение. № 2075105, 1997, бюл.7 Преобразователь спектра оптического излучения / Денисов Б.Н., Гришаев В.Я., Никишин Е.В., Горюнов В.А., Лавренко Л.М.

21. Денисов Б. Н. Энергетический выход фотолюминесценции системы с тремя уровнями энергии при периодическом импульсном возбуждении / Б. Н. Денисов, В. А. Горюнов, А. П. Королев, Е. В. Никишин // Журнал прикладной спектроскопии. 1997. Т. 64. №2. С. 269272.

22. Денисов Б. Н. К расчету эффективности преобразователей энергии, работающих в динамическом режиме / Б. Н. Денисов, В. Я. Гришаев, Е. В. Никишин // Труды третьей международной конференции «Дифференциальные уравнения и их приложения». Саранск, 1998. С. 120.

23. Денисов Б. Н. Емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров / Б. Н. Денисов, Е. М. Бибанина, В. А. Горюнов, Е. В. Никишин // Письма в ЖТФ. 2000. Т.26. Вып. 11. С.4751.

24. Денисов Б. Н. Исследование центров захвата цинкосульфидных люминофоров методом термостимулированной емкости / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов, В. А. Горюнов, Е. М. Бибанина // Тезисы докладов V Всероссийского с международным участием совещание по материалам для источников света, электронных приборов и светотехнических изделий. Саранск, 2000. С.6668.

25. Денисов Б. Н. Исследование полевой скорости генерации свободных носителей в МДПДМ - структурах на основе порошковых люминофоров / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов, Е. М. Бибанина // Тезисы докладов II Международной научно-технической конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики» Саранск, 2001. С.48.

26. Денисов Б. Н. Кинетика процессов разгорания свечения в МДПДМ порошковой электролюминесцентной структуре / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов, Е. М. Бибанина // Сборник научных трудов III Всероссийской научно-технической конференции «Светоизлучающие системы. Эффективность и применение». Саранск, 2001. С.24-27.

27. Патент на изобретение № 2175468, Россия, МПК-7 Н 05 В33/26,F21K2/08. Электролюминесцентный источник света / Б. Н. Денисов, А. П. Королев, Е. М. Бибанина, В. А. Горюнов (Россия). Опубл. 27.10.2001. Бюл. №30.

28. Денисов Б. Н. МДПДМ структура на основе порошковых люминофоров / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов, Е. М. Бибанина, В. А. Горюнов // Учебный эксперимент в высшей школе. 2002. №1. С.16 -18.

29. Денисов Б. Н. Механизм выпрямления тока электролюминесцентным конденсатором / Б. Н. Денисов, Е. М. Бибанина // Труды V Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск, 2003. С. 146.

30. Денисов Б. Н. Исследование явления переселения между центрами захвата в порошковых люминофорах методом термостимулированной емкости / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов, Е. М. Бибанина, В. А. Горюнов // Труды V Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск, 2003. С. 145.

31. Денисов Б. Н. Исследование миграции энергии в порошковых люминофорах методом термостимулированной емкости / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов, Е. М. Бибанина, В. А. Горюнов // Тезисы докладов IV Международной научно-технической конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики». Саранск, 2003. С.40.

32. Денисов Б. Н. Фазовый модулятор на основе RLC - делителя с фоторезистором в качестве управляемого сопротивления / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов, Е. М. Бибанина // Материалы нано-, микро- и оптоэлектроники: физические свойства и применения: сб. тр. 2-ой межрегион. науч. шк. для студ. и аспирантов. Саранск, 2003. С.126.

33. Денисов Б. Н. Метод разделения сложных спектров электролюминесценции / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов, Е. М. Бибанина, В. А. Горюнов // Полупроводниковые и газоразрядные приборы. 2003. №1. С. 68 - 72.

34. Патент на полезную модель № 36069, Россия, МПК-7 Н 03 С 5/02. Фазовый модулятор / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов, Е. М. Бибанина (Россия). Опубл. 20.02.2004. Бюл. №5.

35. Денисов Б. Н. Эффективность люминесценции при импульсно-периодическом возбуждении в рамках вероятностного метода / Б. Н. Денисов, В. А. Горюнов, Е. В. Никишин, А. П. Королев, В. Я. Гришаев // Полупроводниковые и газоразрядные приборы. 2004. №1. С. 74 - 80.

36. Патент на полезную модель № 39240, Россия, МПК-7 Н 03 С 5/02. Передатчик с амплитудной модуляцией / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов, К. Н. Нищев, В. Н. Турышев (Россия). Опубл. 20.07.2004. Бюл. №20.

37. Денисов Б. Н. Функциональные электрические свойства резисторных оптронов / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов // Труды Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи им. А.С. Попова. Научная сессия посвященная дню радио. Москва, 2005. Вып. LX-2. С. 6-8.

38. Денисов Б. Н. Влияние скорости генерации носителей на кинетику излучения планарных МДПДМ - структур / Б. Н. Денисов, Е. М. Бибанина // Материалы нано- микро- и оптоэлектроники: физические свойства и применение: сб. тр. 4-ой межрегион. молодежной науч. шк. Саранск, 2005. С.136.

39. Денисов Б. Н. Устройство оптической памяти на основе планарных щелевых структур / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов, Е. М. Бибанина // Письма в ЖТФ. 2006. Т.32. Вып. 4. С.70-75.

40. Патент на полезную модель № 58725, Россия, МПК G01R23/16. Анализатор спектра электрических сигналов / Б. Н. Денисов, В. И. Беглов, К. Н. Нищев (Россия). Опубл. 27.11.2006. Бюл. №33.

41. Денисов Б. Н. Радиотехнические устройства на основе резисторных оптронов / Б. Н. Денисов // Материалы нано- микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сб. тр. 6-ой Всерос. молодеж. науч. шк. Саранск, 2007. С. 149.

42. Денисов Б. Н. Фоторезистор как многофункциональный элемент оптоэлектроники / Б. Н. Денисов // Радиотехника и электроника. 2007. Т.52. №4. С. 509-512.

43. Денисов Б. Н. Скорость полевой генерации в электролюминесцентных планарных порошковых структурах / Б. Н. Денисов, Е. М. Бибанина // Журнал технической физики. 2008. Т.78. Вып. 1. С. 74-78.

44. Денисов Б. Н. Исследование функциональных свойств фоторезистора, питаемого переменным напряжением / Б. Н. Денисов // Письма в ЖТФ. 2008. Т.34. Вып. 2 . С.1-6.

45. Денисов Б. Н. Фотонный аналог транзистора на основе резисторного оптрона для систем оптической обработки информации / Б. Н. Денисов // Мордовия: наука, инновации, новые технологии. Научно технический, общественноинформационный журнал. 2008. №3.С 4748.

Размещено на Allbest.ru