Оборудование для нанесения равномерных антидеструкционных покрытий на базе установки вакуумной металлизации типа УВМ-1200
Вакуумные ионно-плазменные методы нанесения покрытий, их отличительные черты. Магнетронные распылительные системы, их описание и специфика. Сущность модернизации, процесс установки вакуумной металлизации. Влияние электромагнитных полей на экологию.
| Рубрика | Производство и технологии |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 05.01.2015 |
| Размер файла | 1,5 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Решение поставленной задачи - обеспечение возможности наносить в установке равномерные антидеструкционные покрытия на внешнюю силовую оболочку кислородных баков для космических аппаратов - потребовало провести модернизацию установки, выбрав более совершенный метод нанесения покрытий.
В качестве такого метода после рассмотрения различные вариантов был выбран метод дуального магнетронного распыления.
В ходе модернизации была разработана дуальная магнетронная испарительная система, модернизирована откачная система, разработаны аксиальное установочное устройство для обеспечения вращения обрабатываемого изделия и система подачи газа для напуска в вакуумную камеру технологических газов - аргона и кислорода.
После модернизации установка УВМ-1200 способна наносить равномерные покрытия с высокой скоростью на подложки большой площади, и, в частности, позволяет получать высококачественные антидеструкционные покрытия на внешней силовой оболочке кислородных и топливных баков космических аппаратов.
Получаемое антидеструкционное покрытие позволит в несколько раз увеличить срок службы космических аппаратов на орбите.
Список литературы
1. Устройства со скрещенными электрическим и магнитным полями для нанесения тонкоплёночных покрытий на подложки большой площади / А.А. Соловьёв // Томск, 2007, с. 5-73.
2. Generation of pulsed direct-current plasma above 100 torr for large area diamond deposition / W.-S. Lee, K.-W. Chae, K.Y. Eun, Y.-J. Baik // Diamond and Related Materials, 2001, V.10, p. 2220-2224.
3. CVD-processes by hollow cathode glow discharge / A. Hellmich, T. Jung, A. Kielhorn, M Ribland // Surf. Coat. Technol., 1998, V.98, p. 1541-1546.
4. Linearly extended plasma source for large-scale applications / M Kaiser, K.-M. Baumgartner, A. Schulz, M. Walker, E. Rauchle // Surf. Coat. Technol., V.116-119, 1999. p. 552-557.
5. Arc discharge synthesis of uniform thickness diamond coatings on large areas / V.A. Belous, V.V. Vasil'ev, D.Yu. Zaleskij, N.V. Samokhvalov, V.E. Strel'nitskij // Diamond and Related Materials, V.7, 1998, p. 143-146.
6. Reactive pulsed laser deposition of silica and doped silica thin films / A.C. Ford, T. Tepper, C.A. Ross // Thin Solid Films V.437, 2003, p. 211-216.
7. Ion beam sputter deposition of SmCo permanent magnetic thin films for microsystems applications / R. Balu, A.R. Raju and S. Mohan // Proceedings of ISSS 2005 International Conference on Smart Materials Structures and Systems, Bangalore, India, 2005.
8. Нанесение прозрачных проводящих покрытий на основе оксида цинка методом магнетронного распыления / С.В. Работкин // Томск, 2009, с. 13-25.
9. Magnetic field designs for cylindrical-post magnetron discharge sources / Yeom G.Y., Thornton J.A., Penfold A.S. // J.Vac.Sci.Technol., V. 6, № 6, 1988, p.3156-3158.
10. Wasa K., Hayakawa S. // Jpn. Patent № 642.012, 1967.
11. Sputtering process and apparatus / Chaplin J.S. // United States Patent № 4.166.018, 1979.
12. Recent advances in magnetron sputtering / Arnell R.D., Kelly P.J. // Surf. and Coat. Technol., V.112, 1999, p. 170-176.
13. Unbalanced magnetrons and new sputtering system with enhanced plasma ionization / Musil J., Kadlec S., Mьnz W.D. // J.Vac.Sci.Technol., V. 9, № 3, 1991, p.1171-1177.
14. High-rate reactive DC magnetron sputtering of oxide and nitride superlattice coatings / Sproul W.D. // Vacuum, V. 51, № 4, 1991, p.641-646.
15. Unbalanced magnetrons and new sputtering system with enhanced plasma ionization / Musil J., Kadlec S., Munz W.D. // J.Vac.Sci.Technol., V. 9, № 3, 1991, p.1171-1177.
16. Design, plasma studies, and ion assisted thin film growth in an unbalanced dual target magnetron sputtering system with a solenoid coil / Engstrom C., Berlind T., Birch J. et al. // Vacuum, V. 56, 2000, p.107-113.
17. Pulsed magnetron sputter technology / Schiller S., Goedicke K., Reschke J. et al. // Surf. and Coat. Technol., V.61, 1993, p. 331-337.
18. Reactive pulsed magnetron sputtering process for alumina films / Kelly P.J.,
Henderson P.S., Arnell R.D. et al. // J.Vac.Sci.Technol., V. 18, № 6, 2000, p.2890-2896.
19. Таланов А. В. Всё о воздушных шарах. Москва, Издательство Астрель, 2002.
20. Постановление 848-70. Санитарные нормы и правила при работе с источниками электромагнитных полей высоких, ультравысоких и сверхвысоких частот.
Приложение. Спецификация на магнетрон
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Понятие и основные этапы вакуумной металлизации как процесса формирования покрытий путем испарения металлов в вакууме и конденсации их на поверхности полимеров. Главные условия эффективного применения данной методики. Свойства полимерных материалов.
курсовая работа [178,2 K], добавлен 12.03.2016Технологии, связанные с нанесением тонкопленочных покрытий. Расчет распределения толщины покрытия по поверхности. Технологический цикл нанесения покрытий. Принципы работы установки для нанесения покрытий магнетронным методом с ионным ассистированием.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 04.05.2011Обзор современного оборудования магнетронного распыления. Алгоритм технического обслуживания источника углеродной плазмы. Принцип работы установки УВНИПА-1-001. Основные неисправности в работе вакуумной системы. Расчет ключа на транзисторе VT2 КТ315Б.
курсовая работа [135,3 K], добавлен 01.06.2012Развитие вакуумной техники. Упрощенная схема вакуумной системы. Объемные вакуумные насосы (поршневые, кольцевые, ротационные). Давление запуска насоса, наименьшее и наибольшее рабочее давление. Насосы, основанные на принципе ионно-сорбционной откачки.
реферат [953,3 K], добавлен 25.11.2010Выбор вакуумной схемы установки. Средства контроля и измерения вакуума и определение их мест размещения на схеме. Расчет стационарного режима работы. Определение конструктивных размеров соединительных трубопроводов и выбор элементов вакуумной системы.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 02.02.2016- Исследование процесса движения частиц в газоплазменном потоке при газотермическом нанесении покрытий
Характеристика основных закономерностей процесса газотермического нанесения покрытий. Устройство плазматрон. Преимущества технологии газотермического нанесения покрытий. Моделирование воздействия концентрированного потока энергии на поверхность.
контрольная работа [3,2 M], добавлен 16.06.2013 Характеристика, свойства и применение современных износостойких наноструктурных покрытий. Методы нанесения покрытий, химические (CVD) и физические (PVD) методы осаждения. Эмпирическое уравнение Холла-Петча. Методы анализа и аттестации покрытий.
реферат [817,5 K], добавлен 26.12.2013Патентная документация, методики поиска патентов, обработка найденной информации. Устройство для нанесения лакокрасочных покрытий в электрическом поле. Нанесение лакокрасочных покрытий в электрическом поле. Нанесение порошкообразных материалов.
курсовая работа [136,8 K], добавлен 30.06.2011Применение наплавки для повышения износостойкости трущихся поверхностей в машиностроительном производстве. Технологические процессы лазерной обработки металлов. Технология нанесения покрытий лазерным оплавлением предварительно нанесенного порошка.
реферат [682,4 K], добавлен 22.02.2017Определение и виды лакокрасочных покрытий. Методы их нанесения. Основные свойства лакокрасочных покрытий. Их промежуточная обработка. Защита материалов от разрушения и декоративная отделка поверхности как основное назначение лакокрасочных покрытий.
контрольная работа [172,4 K], добавлен 21.02.2010
