Комплексно леговані структури на основі А 3В 5

Важливим виявилось і те, що інверсія типу провідності в усіх досліджуваних сполуках GaAs, InP, InGaAsP, InGaAs, отриманих методом РФЕ із комплексно легованих розплавів супроводжується ефектом підсилення гетеруючої дії ітербію в присутності алюмінію. Ефект полягає в тому, що при одночасному додаванні в галієвий розплав Al та Yb, концентрація електронів у шарах зменшується значно сильніше, ніж в присутності тільки ітербію, а рухливість при цьому зростає. Зменшення концентрації та зростання рухливості електронів супроводжується покращенням структурної досконалості (визначеної низькотемпературною ФЛ) епітаксійних шарів, отриманих при оптимальних співвідношеннях РЗЕ та алюмінію.

Запропонована модель, яка пояснює механізм "очистки" епітаксійних шарів GaAs та InGaAsP від фонових домішок під впливом комплексного легування РЗЕ та алюмінієм галієвих та індієвих розчинів-розплавів. Згідно цієї моделі механізм "очистки" є складний і визначається для галійвміщуючих сполук принаймні двома основними процесами. Першим є взаємодія в розплаві рідкісноземельних елементів та алюмінію із киснем та кремнієм з утворенням оксидів Yb2O3, Al203 та подвійних оксидів Yb3Al5O12, які залишаються в розчині-розплаві і тому не потрапляють в епітаксійний шар, що кристалізується. Другий процес визначається впливом алюмінію та РЗЕ як на коефіцієнти сегрегації фонових домішок, так і на перерозподіл по підрешітках елементів А 3 та В 5 електричноактивних домішок в галій та індійвміщуючих сполуках А 3В 5 в процесі їх кристалізації. Третій процес є характерним для індійвміщуючих сполук і визначається тим, що ковалентні радіуси індію (1,5 нм) та ітербію (1,57нм) є близькими, тому в епітаксійних шарах InGaAsP роль в перерозподілі точкових дефектів відіграє як алюміній (згідно описаного вище механізму), так і ітербій. Крім того, ітербій, вбудовуючись в підгратку елемента ІІІ групи, і маючи дещо відмінний від індію ковалентний радіус, може відігравати роль гетеруючого центру, навколо котрого скупчуються інші неконтрольовані домішки з утворенням нейтральних комплексів.

Досліджений ефект підсилення гетеруючої дії рідкісноземельних елементів при наявності алюмінію, визначені оптимальні співвідношення між концентраціями РЗЕ та алюмінію в розплавах галію та індію, а також встановлений механізм очистки епітаксійних шарів А 3В 5 при застосуванні комплексного легування значно розширюють технологічні можливості методу РФЕ. Все це є базою для розробки та створення приладних структур з покращеними параметрами та характеристиками.

В четвертому розділі описані основні результати по отриманню приладних епітаксійних структур А 3В 5 з використанням технологічного підходу до керування дефектно-домішковою сруктурою напівпровідникового матеріалу, який базується на використанні комплексного легування рідкісноземельними та ізовалентними елементами в технології РФЕ.

Визначено оптимальні співвідношення між концентраціями алюмінію та ітербію в галієвих розчинах-розплавах, при котрих досягається максимальне значення питомого опору епітаксійних шарів AlGaAs. Максимальне значення питомого опору 105 Омсм досягається для твердих розчинів Al0,4Ga0,6As. Якщо епітаксійні шари крім високого питомого опору повинні характеризуватись і високою рухливістю електронів, то оптимальні кількості алюмінію та ітербію в розплаві галію повинні знаходитись в межах: Al - (1,7·10-2 - 6,5·10-2) ат %, Yb - (4,5 -12)·10-3 ат %. Якщо основною вимогою є високий питомий опір, то ці кількості є такими: Al ? (1,010-1) ат %, Yb - (1,0 -1,5)·10-3 ат %.

Встановлено, що значно покращити параметри p-i-n структур на основі GaAs для високовольтних діодів з пробивною напругою 800-1000 В та підвищити відтворюваність процесу, у порівнянні із традиційною технологією "вологого водню", можна завдяки застосуванню комплексного легування галієвих розплавів рідкісноземельними елементами та алюмінієм. Епітаксійні шари, отримані згідно цього способу, при оптимальних концентраціях ітербію та алюмінію, характеризуються низькими концентраціями та високим питомим опором. Згідно профілю розподілу домішок, виміряного вторинною іонною масспектрометрією в епітаксійних структурах n+ - n0 - i - p0 - p+, отриманих із галієвих розплавів, комплексно легованих Al та Yb, концентрація фонового кремнію в підкладках є достатньо високою - (1-2)·1018 см-3 і при віддаленні від границі розділу p0 - p+ на декілька мікрон, різко зменшується до (1-4)·1014 см-3. При віддалені від підкладки концентрація кремнію в p0 та і- шарах повільно зростає (криві 1-Si, 2-Si) і тільки в n0- GaAs шарі це зростання стає значним. На границі розділу n+ - n0 концентрація кремнію досягає значень 1·1016 см-3 та 5·1016 см-3. В епітаксійній структурі n0 - i - p0 - p+, отриманій згідно технології, що передбачає використання

В епітаксійних структурах, комплексно легованих алюмінієм та ітербієм, різко зменшується концентрація кремнію. Це можна пояснити тим, що алюміній, маючи однаковий із кремнієм ковалентний радіус (1,25 нм), займає вакансії галію, і перешкоджає входженню кремнію в епітаксійний шар GaAs. Кремній, що залишився в розплаві, при зменшенні кількості алюмінію, починає входити в епітаксійний шар у значно більших кількостях. Це підтверджується ходом кривих 1-Al, 2-Al та 1-Si, 2-Si. Таким чином, алюміній є одним із основних факторів, змінюючи котрий, можна контрольовано регулювати концентрацію кремнію в і-області. Ітербій відіграє роль ефективного гетера щодо кисню, котрий виявляє донорні властивості.

В епітаксійних структурах, отриманих з використанням техноголії "вологого водню", концентрація кремнію є в середньому вищою, а його розподіл по товщині і-шару - неоднорідний. Це суттєво впливає на пробивну напругу мезаструктур силових діодів, виготовлених на основі таких структур.

Порівнюючи розподіл мезаструктур високовольтних діодів по пробивних напругах доходимо висновку, що кількість діодів з пробивною напругою 800-900В, виготовлених по технології з використанням комплексного легування, є значно вищою, ніж тих, що отримані із використанням технології "вологого водню". Отже, комплексне легування ітербієм та алюмінієм в оптимально підібраних співвідношеннях при температурах 910-640°С рідиннофазної епітаксії дозволяє отримувати структури n+- n0 - i - p0 - p+ на основі GaAs з високою однорідністю і-області.

Встановлено, що одночасне легування галієвих розплавів, Yb та Al під час вирощування епітаксійних плівок GaAs в інтервалі температур 600-800°С, методом РФЕ, забезпечує досягнення електрофізичних параметрів, близьких до розрахункових теоретичних значень. З використанням цієї технології були отримані гетероструктури n-GaAs(підкл) - n-GaAs - p-GaAs - p-AlGaAs - p-GaAs для фотоперетворювачів сонячної енергії. На основі гетероструктур виготовлено фотоперетворювачі сонячної енергії з активною площею 3,7 см 2, що мають такі середні значення основних параметрів: Uхх=0,98 В, jк.з.=29,2 мА/см ², К.К. Д.=26,0% при АМ 1,5 (100 мВт/см ²).

В даному розділі наведені результати відпрацювання технології отримання тандемних гетероструктур n+InP(підкладка) - n-In0,4Ga0,6As - p-In0,4Ga0,6As - n-Al0,14Ga0,86As - p-Аl0,14Ga0,86As - n-Al0,14Ga0,86As - p-Al0,14Ga0,86As - p-Al0,8Ga0,2As для фотоперетворювачів сонячної енергії. Легування розчинів-розплавів вісмутом в кількостях 0,07-0,1 ат%. при нарощуванні активних шарів n-Al0,14Ga0,86As-p-Al0,14Ga0,86As, та ітербієм (2,4·10-3 ат%) і алюмінієм (9,0·10-4 ат%), при формуванні активних шарів n-In0,4Ga0,6As-p-In0,4Ga0,6As, дозволило сформувати високоякісні гетероструктури, на основі котрих, виготовлені фотоперетворювачі сонячної енергії з параметрами, які є близькі до теоретично можливих.

На основі нового запропонованого технологічного підходу, який базується на використанні комплексного легування індієвих розплавів рідкісноземельними елементами та алюмінієм в оптимально підібраних співвідношеннях отримані гетероструктури n-InP/i-InGaAsP(Eg=0,95эВ)/p-InGaAsP (Eg=1,17эВ) для фотодіодів. В гетероструктурах з концентрацією електронів в активному шарі i-InGaAsP, рівній (1-2)·1015 см-³, величина зворотної пробивної напруги знаходиться в межах (110-120) В. Мезафотодіоди, виготовлені на базі цих структур, характеризувались середньою чутливістю ~ 0,62 А/Вт в діапазоні довжин хвиль від 1,0 до 1,6 нм, а густина порогового темнового струму в них становила -5·10-7 А/см ².

З використанням цього ж технологічного підходу виготовлено подвійні гетероструктури n-InP/n-InGaAsP/p-InP/p+-InP для світлодіодів на діапазон 1,06 мкм з напівшириною смуги електролюмінесценції мазасвітлодіода не більше 64 меВ. Типові значення потужності мазасвітлодіодів на основі цих гетероструктур в неперервному режимі становлять ~ 1,2 мкВт при густині прямого струму не більше 1,0 кА/см ².

В п'ятому розділі приводяться результати по дослідженню впливу комплексного легування на радіаційну та деградаційну стійкість шарів GaAs та структур GaAs/AlGaAs.

Дослідженнями дозової залежності інтенсивності свічення червоних світлодіодів на основі гетероструктур GaAs/AlGaAs встановлено існування ділянки на дозових залежностях, в межах якої яскравість випромінювання монотонно відновлюється після тимчасового призупинення впливу -квантів дозою до 1·107 рад. Релаксаційні криві легованого та нелегованого ітербієм зразків мають подібний вид з тією різницею, що інтенсивність свічення в світлодіодів, легованих ітербієм, є значно вищою. Цей ефект можна пояснити зменшенням концентрації безвипромінювальних центрів рекомбінації внаслідок зниження концентрації кисню та дефектів типу Si+VAs, які входять до складу цих центрів. Основним чинником цього процесу є гетеруюча дія ітербію і алюмінію в розчині-розплаві щодо фонового кисню та кремнію.

Далі описані результати дослідження впливу нейтронного опромінення на радіаційну стійкість епітаксійних шарів GaAs, отриманих методом низькотемпературної рідиннофазної епітаксії (НТЖФЭ) із галієвого розчину-розплаву. Шари легувались основною донорною домішкою (Sn), котра забезпечувала концентрацію електронів в діапазоні (11017-51018) см-³. Одночасно в розплав вводились додаткові домішки, рідкісноземельний елемент Yb (0,0005 ваг%) та ізовалентний алюміній.

Контроль радіаційної стійкості проводився методом ефекту Холла на основі аналізу змін концентрації носіїв заряду до, та після опромінення матеріалу. Відносна похибка вимірювання Холівської напруги від її середнього значення не перевищувала 0,04%.

Для зразків GaAs, що були отримані із розплавів галію, леговних ітербієм та ітербієм і алюмінієм спостерігаємо зменшення n/n, та , у порівнянні із зразками, легованими тільки оловом. Ефект значного зниженя n/n, та , спостерігаємо на зразку, легованому одночасно ітербієм та алюмінієм.

Зміна концентрації електрофізичних параметрів в GaAs після опромінення швидкими нейтронами з флюенсом 1014 н/см ².

Таким чином, в зразках зміна концентрації зумовлена радіаційним опроміненням, не перевищує 0,1%, що свідчить про суттєве підвищення радіаційної стійкості GaAs, легованого ітербієм та алюмінієм. Рідкісноземельний елемент ітербій та алюміній відіграють подвійну роль, при підвищенні радіаційної стійкості. З одного боку, маючи високу хімічну активність, вони гетерують фоновий кисень ще на стадії формування епітаксійного шару. Завдяки чому в напівпровідниковому матеріалі зменшується ймовірність утворення глибоких рівнів при взаємодії залишкового кисню із радіаційними дефектами. Утворення таких рівнів збільшує швидкість видалення носіїв заряду під час радіаційної обробки. Алюміній, маючи одинаковий із галієм ковалентний радіус, займає вакантні вузли у підгратці галію, обмежуючи тим самим доступ туди фоновому кремнію. Завдяки цьому, значно зменшується концентрація дефектів типу SiGa, які при взаємодії із точковими радіаційними дефектами, утворюють мілкі акцепторні центри. Останні компенсують частково мілкі донорні центри, утворені легуючими донорними домішками, збільшуючи швидкість видалення електронів в шарах GaAs під час радіаційного опромінення.

Запропоновано підходи до підвищення радіаційної стійкості епітаксійних гетеросистем GaAs/AlGaAs завдяки легуванню рідкоземельними елементами, зокрема Yb. В гетеросистемах GaAs/AlGaAs збільшення товщини одного із шарів понад 1000 Е стимулює процес реалаксації механічних напружень, тому ефективність гетерування точкових дефектів гетерограницями розділу значно падає. З використанням методу низькотемпературної фотолюмінесценції (НТФЛ) при 4,2К, показано, що легування шарів гетероструктур GaAs/AlGaAs рідкісноземельними елементами (ітербієм) впливає на процеси радіаційностимульованого впорядкування гетеросистем GaAs/AlGaAs. Ітербій, доданий в розчин-розплав, з котрого нарощується гетероструктура, в оптимальних концентраціях (1,0-5,0)10-3 ат% може вбудовуватись в епітаксійний шар у невеликих кількостях, утворюючи точкові гетеруючі центри. Оскільки, атоми Yb та Ga відрізняються своїми ковалентними радіусами, то навколо атома Yb виникає деформована ділянка, поле механічних напруг котрої захоплює фонові домішки та точкові радіаційні дефекти, що знаходяться поблизу неї. Максимальний ефект радіаційно-стимульованого гетерування спостерігається при концентраціях Yb 110-3 ат% в розчині-розплаві.

У висновках резюмовані основні результати роботи.

Основні результати та висновки

У дисертаційній роботі запропонована, розроблена і реалізована концептуально нова технологія керування домішково-дефектною системою епітаксійних шарів, моно- і гетероструктур А 3В 5, вирощуваних із розчинів-розплавів методом РФЕ, за допомогою оптимального поєднання гетеруючої дії домішок рідкісноземельних елементів та підсилення ефектів гетерування ізовалентними домішками, яке забезпечує близькі до граничних рівні очистки епітаксійних шарів від неконтрольованих домішок і нерівноважних дефектів кристалічної ґратки та створення приладних структур з покращеними характеристиками, що забезпечує розв'язання значної науково-прикладної проблеми в галузі технічних наук - розробки простої універсальної технології отримання епітаксійних шарів та структур з високою однорідністю та широким діапазоном змін електрофізичних параметрів, придатних для приладних застосувань.

Розв'язання даної проблеми забезпечується системними підходами до керування властивостями та параметрами епітаксійних шарів та структур А 3В 5 в технології РФЕ комплексним легуванням, розробкою базових принципів та кількісних критеріїв поєднання домішок різного функціонального призначення, які забезпечують досягнення максимальних рівнів їх очистки від неконтрольованих домішок та нерівноважних дефектів, встановленням основних механізмів взаємодії спеціально введених та неконтрольованих фонових домішок в розчинах-розплавах, розробкою оптимальних технологічних режимів формування приладних епітаксійних структур А 3В 5 із застосуванням комплексного легування.

1. В методі РФЕ систем А 3В 5 запропоновано, розроблено і реалізовано концептуально новий технологічний підхід до керування структурно-експлуатаційними параметрами епітаксійних шарів, моно- і гетероструктур шляхом впливу на вихідні розчини-розплави та структури, що кристалізуються, домішками різного функціонального призначення, які виконують роль гетерів неконтрольованих домішок, підсилювачів ефекту гетерування, впливають на перерозподіл фонових домішок по підгратках епітаксійних шарів та їх морфологію а також, забезпечують необхідний рівень електрофізичних характеристик структур.

2. Доведено, що найбільш придатними для практичної реалізації концепції впливу на домішково-дефектну систему епітаксійних структур А 3В 5 комплексним легуванням домішками різного функціонального призначення є домішки рідкісноземельних елементів, які володіють високою хімічною активністю до неконтрольованих домішок шостої та четвертої груп, та ізовалентні до атома А 3 елементи, які поряд з високою хімічною активністю суттєво впливають на перерозподіл неконтрольованих та легуючих домішок по підгратках кристалічних структур А 3В 5. Показано, що за сукупністю всіх важливих технологічних факторів оптимальними до використання в технології РФЕ систем А 3В 5 є гетеруючі домішки Sc, Gd та Yb, а підсилювачами їх гетеруючої дії - алюміній.

3. Встановлено явище зсуву точки інверсії типу провідності на залежностях концентрації вільних носів заряду від кількості домішки РЗЕ, введеної в галієві та індієві розчини-розплави для вирощування методом РФЕ шарів GaAs, InP, InGaAsP, під впливом додаткового легування ізовалентною домішкою алюмінію. Показано, що зсув точки інверсії провідності спостерігається для всіх досліджених рідкісноземельних елементів (Yb, Gd, Sc) і є тим більший, чим вищою є концентрація алюмінію у розплавах. Доведено, що зменшення концентрації електронів спричиняється очисткою епітаксійних структур під впливом комплексного легування розчинів-розплавів, яка підтверджується зростанням рухливості електронів та зменшенням півширини краєвої смуги фотолюмінесценції шарів.

4. Встановлено, що для кожного рідкісноземельного елемента існує його критична концентрація у розплаві для вирощування структур А 3В 5, вище котрої погіршується рухливість електронів, структурна досконалість та морфологія поверхні шарів, що кристалізуються із таких розплавів. Показано, що критична концентрація залежить від природи РЗЕ та кристалічної матриці А 3В 5. Для практично важливих сполук і твердих розчинів визначені значення критичних концентрацій різних РЗЕ у розплавах галію та індію. Наприклад, для GaAs вони становлять: (0,04-0,048) % ат. Yb, (0,03-0,032) % ат. Gd, (0,02-0,023) % ат. Sc; для InP - (0,008-0,009) % ат. Yb, (0,005-0,006) % ат. Sc; для InGaAsP - (0,07-0,08) % ат. Yb, (0,065-0,07) % ат. Gd.

5. Доведено, що необхідність в глибокій очистці шарів А 3В 5 із-за існування критичної концентрації домішки РЗЕ у вихідному розплаві, вище якої погіршуються параметри шарів, вимагає використання підсилювачів гетеруючої дії домішок РЗЕ в процесі кристалізації методом РФЕ. Показано, що найбільш ефективним підсилювачем гетеруючої дії домішок РЗЕ при вирощуванні епітаксійних структур А 3В 5 є ізовалентна до атомів А 3 домішка алюмінію.

6. Запропоновано можливий механізм очистки епітаксійних шарів А 3В 5 під впливом комплексного легування рідкісноземельними та ізовалентними домішками вихідних розчинів-розплавів, найважливішими елементами якого є їх взаємодія з основними фоновими домішками (киснем та кремнієм) в розплаві, яка приводить до утворення сполук, зокрема оксидів Yb2O3, Al203 та подвійних оксидів Yb3Al5O12, що залишаються в ньому, а також запобігання входженню кремнію в металеву підгратку шарів А 3В 5, що кристалізуються. Доведено, що присутність алюмінію та рідкісноземельного елемента в розплаві як галію, так індію спричиняє зменшення коефіцієнта сегрегації кремнію при вирощуванні епітаксійних шарів А 3В 5.

7. Визначено лінії ліквідуса в системах In/Bi/P, In/Bi/Yb/P. Встановлено, що розчинність фосфору у вісмутових розплавах у 15-25 разів вища, ніж в індієвих розплавах. Показано, що цей ефект може бути використано для зниження на 100-150?С температури початку кристалізації епітаксійних шарів InP при збереженні тих же швидкостей осадження плівок. Крім того, розчинність фосфору в індієвих та вісмутових розчинах-розплавах по різному залежить від наявності домішки ітербію - у вісмутових розплавах ітербій не спричиняє змін у розчинності фосфору щонайменше до концентрацій ~ 0,5 ат%, в той час як в індієвих, при такій кількості, зменшує її на 7-9 %.

8. Доведено, що розроблена технологія керування параметрами епітаксійних шарів та структур А 3В 5 комплексним легуванням домішками різного функціонального призначення є універсальною і може бути успішно застосованою для створення: високоомних (с?105 Ом•см) епітаксійних шарів GaAs, AlGaAs широкого діапазону товщин; високовольтних n+-n0-i-p0-p+ структур AlGaAs/GaAs з високою однорідністю і-області; тандемних багатошарових гетероструктур в системі GaAs/InGaAs/AlGaAs для фотоперетворювачів сонячної енергії; мезафотодіодів на основі гетероструктур n-InP/i-InGaAsP (Eg=0,95эВ)/p-InGaAsP(Eg=1,17эВ); гетероструктур n-InP/n-InGaAsP/p-InP/p+-InP для світлодіодів на діапазон 1,06 мкм; радіаційно стійких епітаксійних структур GaAs/AlGaAs тощо.

9. Розроблено відтворювану технологію кристалізації гетероструктур для фотоперетворювачів сонячної енергії, яка дозволила досягнути параметрів фотоперетворювачів, близьких до теоретично можливих: ККД порядку 28,5 % при АМ 1,5 (100мВт/см 2) для модуля сонячної батареї, виготовленого на базі тандемних багатошарових гетероструктур GaAs/InGaAs/AlGaAs, та ККД = 26,0% при АМ 1,5 і активній площі 3,7 см 2 для фотоперетворювача на базі структури n-GaAs(підкл)-n-GaAs-p-GaAs-p-AlGaAs-p-GaAs з одним p-n переходом.

Список опублікованих праць за темою дисертації

1. Круковский С.И., Кладько В.П., Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г. Слои AlGaAs в системе Ga-Bi-Al-GaAs // Журнал технической физики. - 1994. -Т. 64, В.5. - С.103-106.

2. Kryshtab T.G., Semenova G.N., Kladko V.P., Krukovsky S.I., Svitelskiy A.V. GaAs epilayer for optoelectronics grown by liquid phase epitaxy using rare-earth elements // First International Conference CMSCDSS.- Strastbourg (France), 1994. - P.15.

3. Семенова Г.Н., Криштаб Т.Г., Круковський С.І., Кладько В.П. Властивості епітаксійних шарів арсеніду галію при легуванні галієвого розплаву ітербієм або скандієм // Український фізичний журнал. - 1995. -Т.40, №10. - С.1101-1106.

4. Krukovsky S.I., Kryshtab T.G., Procopovich A.V., Semenova G.N., Krasnov V.P., Merker R. Influence of rare-earth additions on the stoichiometry and the radiation stabillity of LPE GaAs // Proc. of the International Conference on advanced semiconductor devices and microsystems. Smolenice (Slovakia), 1996. - Р.89-92.

5. Krukovsky S.I., Semenova G.N. Liquid phase epitaxial growth of quantum well structures from multicomponent melts for IR optoelectronics devices // Intern. Conf.: Material science and material properties for infrared optoelectronics. Uzgorod (Ukraine), - 1996. - P.98.

6. Венгер Е.Ф., Прохорович А.В., Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г., Круковский С.И., Свительский А.В. Фотодетекторы на основе AlGaAs-GaAs, выращенные методом ЖФЭ с использованием добавок редкоземельных элементов //Тр. Международной конференции. "Физика и промышленность". - Голицыно (Московская обл.), 1996. - C.129.

7. Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Круковский С.И., Свительский А.В. Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, AlGaAs полученных жидкофазной эпитаксией с использованием добавок редкоземельных элементов // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1996. - Т. 32, № 8. - С.916-919.

8. Krukovsky S.I., Kryshtab T.G., Semenova G.N., Kladko V.P., Svitelskiy A.V. Prospects for using of rare-earth elements in liquid phase epitaxy of A3B5 epilayers // In Pros. of 5 Intern. Conf. in Phys. and Tech. of Thin Films, ed. by Freik and Chobanjuk. - Ivano-Frankivsk (Ukraine), 1995. - Р.112.

9. Venger E.F., Krukovsky S.I., Semenova G.N., Kryshtab T.G., Lytvyn S.I., Merker R. Liquid phase epitaxial A3B5 technology for IR photodetectors mamufacturin // Proс. of SPIE. - 1996. - V.3182. - P.146-151.

10. Venger E.F., Krukovsky S.I., Semenova G.N., Kryshtab T.G., Lytvyn S.I., Merker R. Photodetector on the base of the AlGaAs/GaAs heterostructures grown by liquid phase epittaxy using rare-earth addition // Proс. of the Intern. Sem. Conf. - Sinaia (Romania), 1996. - P.607-610.

11. Krukovsky S.I. High-efficiency GaAs-AlGaAs heterophotocells obtained by LPE from Bi-based melt // First Polish - Ukrainian symposium. - Cracow (Poland), 1996. - P.37.

12. Krukovsky S.I. Formation of structural-perfect and radiation-resistant GaAs and AlGaAs layers doped with Yb for solar cells // 12 Szkola Optoelectroniki. - Kaziemierz Dolny (Poland), 1997. - P.199.

13. Krukovsky S.I., Iznin O. Photoluminescence properties of GaAs layers doped with Yb and Al // International Conference OPTDIM. - Kiev (Ukraine), 1997. - P.43.

14. Круковский С.И., Большакова И.А., Замятин Н.И., Ижнин И.И., Ижнин А.И., Маковеев В.К. Влияние облучения быстрыми нейтронами на свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Al и Yb // Тезисы Второй Международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом". - Минск (Белорусь), 1997. - С.59.

15. Krukovsky S.I., Venger E.F., Semenova G.N., Kryshtab T.G., Lytvyn S.I., Merker R. Liquid phase epitaxial A3B5 technology for photodetectors mamufacturing // Opto-Electronics Review. - 1997. - V.5, №3. - P.155-160.

16. Podor B., Venger E.F., Kryshtab T.G., Semenova G.N., Krukovsky S.I. Rare-earth applications in A3B5 liquid-phase epitaxy // Second International Scool Conference on physical problems in material science of semiconductors. - Chernivtsi (Ukraine), 1997. - P.8.

17. Prokopenko I.V., Krukovsky S.I, Lytvyn P. M., Semenova G.N., Lytvyn O.C., Kryshtab T.G., Semtsiv M.P. High-productiv AlGaAs epitaxial structures for infrared detectors (double doping) // IV International Conference on "Material science and material properties for infrared optoelectronics". - Kyiv (Ukraine), 1998. - P.175.

18. Venger E.F., Semenova G.N., Kryshtab T.G., Semtsiv M.P., Krukovsky S.I., Podor B. The use double doping for preparation of GaAs, AlGaAs epilaers by liquid phase epitaxy // The tenth international conference on vapor growth and epitaxy. - Erusalem (Israel), 1998. - P.331.

19. Bolshakova I.A., Moskovets T.A., Krukovsky S.I., Zayachuk D.M. Radiation resistant microcrystals and thin films of III-V semiconductors // European materials research society. - Strastbourg (France), 1999. - P.43.

20. Круковський С.І., Завербний І.Р.Отримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕ // Вісн. ДУ "Львівська політехніка". - 2000. - №397. - С.17-21.

21. Круковський С.І. Радіаційно-стимульоване впорядкування гетеростистем GaAs, AlGaAs, легованих ітербієм // Вісн. ДУ "Львівська політехніка". - 2000. - №401. - С.13-18.

22. Krukovsky S., Bolshakova I., Korbutiak D., Skulsky M., Zaverbnyi I. Radiation resistance of GaAs, AlGaAs heterostructures doped by isovalent and rare-earth elements // 8-th international symposium on radiation physics. - Prague (Czech Republic), 2000. - P.93.

23. Krukovsky S.I., Bolshakova I.A., Moskovets T.A., Zayachuk D.M. Radiation resistance microcrustals and thin films of III-V semiconductors // Materials Science and Engineering. - 2000. - V.B69-70. - P.441-443.

24. Николаенко Ю.Е., Вакив Н.М., Круковский С.И., Ерохов В.Ю., Мельник И.И., Завербный И.Р. Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии // Технология и конструирование в электронной апаратуре. - 2001. - №3. - С.21-30.

25. Guba S.K., Krukovsky S.I., Smirnov A.B., Vlasenko A.I. Improvement of the parameters of devices on the base of GaAs epilayers by isovalence dope at liquid phase epitaxy // 9th International Conference on DRIP 9th. - Rimini (Italy), 2001. - P.223

26. Bolshakova I.A., P. Koptsev, I Melnyk, Moskovets T.A., Krukovsky S.I., Zayachuk D.M. Control of Parameters of III-V Compound Microcrystals and Epitaxial Layers by means of Complex Doping // Crystal Research and Technology. - 2001. - V. 36, N.8-10. - P.989-996.

27. Ваків М.М., Круковский С.И., Завербний І.Р Високочутливі датчики Холла на основі епітаксійних структур GaAs, отримані низькотемературною РФЕ із розплавів Bi. Вторая международная научно-практическая конференция СИЭТ-2001. - Одесса (Украина), 2001. - С.333.

28. Заячук Д.М., Круковський С.І. Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні властивості епітаксійних шарів GaAs // Вісн. НУ "Львівська політехніка". - 2001. - №430. - С.73-76.

29. Krukovsky S., Bolshakova I., Korbutiak D., Skulsky M., Zaverbnyi I. Radiation resistance of GaAs, AlGaAs heterostructures doped with isovalent and rare-earth elements // Radiation Physics and Chemistry. - 2001. - V.61. - P.553-555.

30. Krukovsky S.I.,Guba S.K., Smirnov A.B.,Savkina R.K. X-ray analysis of the structural perfection of GaAs epilaers grown by liquid phase epitaxy // Internationale symposia:"Quantum Hall Effect and Heterostructures". - Wursburg (Germany), 2001. - P.136.

31. Krukovsky S.I.,Guba S.K., Savkina R.K., Smirnov A.B., Tartachnyk V.P. (GaAl)As/GaAs heterostructures grown by liquid phase epitaxy // Internationale symposia: "Quantum Hall Effect and Heterostructures". - Wursburg (Germany), 2001. - P.135.

32. Николаенко Ю.Е., Круковский С.И., Завербный И.Р., Рыбак О.В., Мрыхин И.А. Получение тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии // Технология и конструирование в электронной апаратуре. - 2002. - №3. - С.27-29.

33. Krukovsky S.I., Zayachuk D.M. Growth of InP and In0,53Ga0,47As layers by LPE with small amount of Al and Yb // 6th International workshop on expert evaluation and control of compound semiconductor materials and technologies. - Budapest (Hungary), 2002. - P.145.

34. Круковський С.І., Рибак О.В., Мрихін І.О. Високоомні слаболеговані шари GaAs та AlGaAs, отримані РФЄ // 1-а Українська наукова конференція по фізиці напівпровідників. - 2002. - Одеса (Україна). - С.159.

35. Круковський С.І., Заячук Д.М., Мрихін І.О. Вплив комплексного легування Sn, Yb та Al на властивості товстих епітаксійних шарів GaAs, вирощених методом РФЕ. // Вісн. НУ "Львівська політехніка". - 2002. - №455. - С.33-38.

36. Заячук Д.М., Кемпник В.І., Круковський С.І., Є.О. Полигач, Рибак В.М., Рибак О.В. Домішки РЗЕ у напівпровідниках А 4В 6 і А 3В 5: поведінка та вплив на фізичні властивості. // Вісн. НУ "Львівська політехніка". - 2002. - №459. - С.110-123.

37. Спосіб отримання напівізолюючого арсеніду галію. Патент України № 50883. МКИ HO1L21/208/ М.М. Ваків, С.І. Круковський, Ю.Є. Ніколаєнко; Заявл.03.09.02; Опубл. 15.11.2002, Бюл.№11. - 6с.:ил.

38. Круковский С.И. Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии // Технология и конструирование в электронной апаратуре. - 2002. - №6. - С.30-32.

39. Литовченко П.Г., Тартачник В.П., Опилат В.Я., Каневський С.О., Петренко І.В., Шахов О.П., Савкіна Р.К., Смірнов О.Б., Круковський С.І. Деградація AlxGa1-xAs/GaAs гетероструктур у г-полі Со 60 // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - Т.4. - №3. - С.474-480.

40. Zayachuk D.M., Krukovsky S.I., Kaniewska M. Deep levels in LPE grown GaAs epilayers doped with Al and Yb // International Conference ICDS-22. - Amsterdam (Netherlands), 2003. - P.47.

41. Krukovsky S.I., Popov V.M., Savkina R.K., Smirnov A.B. Effect of Rare earth addition on GaAs-Based layers grown by liquid phase epitaxy // 10th International Conference on DRIP. - Batz-sur-Mer (France), 2003. - P.29.

42. Krukovsky S.I., Zayachuk D.M., Rybak O.V., Mryhin I.O. High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE // Semiconductor Phusics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - V.6. - №1. - P.55-57.

43. Круковский С.И., Николаенко Ю.Е. Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs // Технология и конструирование в электронной апаратуре. - 2003. - №6. - С.39-40.

44. Заячук Д.М., Круковський С. І., Полигач Є. О., Струхляк Н.Я. Однорідність епітаксійних структур GaAs, вирощених методом РФЕ під впливом легуючої домішки Yb // Вісн. НУ "Львівська політехніка". - 2004. - №461. - С.110-123.

45. Круковський С.І., Стахіра Й.М., Фотій В.Д. Властивості епітаксійних шарів InP комплексно легованих рідкісноземельними елементами та алюмінієм. // Тези II-ої Української наукової конференції з фізики напівпровідників. - Чернівці-Вижниця (Україна), 2004. - Т.2 - С.21-22.

46. Заячук Д.М., Круковський С.І., Полигач Є.О., Струхляк Н.Я., Goovaerts E. Фотолюмінесценція епітаксійних структур GaAs, легованих домішками Yb,Sc. // Тези II-ої Української наукової конференції з фізики напівпровідників. - Чернівці-Вижниця (Україна), 2004. - Т.2 - С.244.

47. Круковський С.І., Стахіра Й.М., Мрихін І.О. Датчики Холла на основі комплексно легованих гетероструктур GaAs-AlGaAs з нанорозмірним активним шаром. // Тези Міжнародної науково-технічної конференції "Сенсорна електроніка та мікросистемні технології". - Одеса (Україна), 2004. - С.142.

48. Krukovsky S. I., Popov V. M., Savkina R. K., and Smirnov A. B.. Effect of rare earth addition on GaAs-based layers grown by liquid phase epitaxy // The European Physical Journal Applied Physics. - 2004. - Vol.27. - P.177-179.

49. Круковський С.І., Коман Б.П., Струхляк Н.Я. Гетерофотоелементи pAlGaAs/nGaAs підвищеної ефективності із шаром GaAs, комплексно легованим Al та Yb. // X International Seminar on Physics and Chemistry of Solids. - Lviv (Ukraine), 2004. - С.103.

50. Вакив Н.М., Заячук Д.М., Круковский С.И., Мрыхин И.О. Установка для визначення профілів розподілу концентрації вільних носіїв заряду в епітаксійних структурах GaAs. // Труды пятой международной научно-практической конференции "Современные информационные и электронные технологии". - Одесса Украина), 2004. - С.286.

51. Круковский С.И., Николаенко Ю.Е. Модули солнечных елементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs // Технология и конструирование в электронной апаратуре. - 2004.- №6 - С.23-26.

52. Заячук Д.М., Круковський С. І., Полигач Є. О., Струхляк Н.Я. Однорідність епітаксійних структур GaAs, вирощених методом РФЕ під впливом легуючої домішки Yb // Вісн. НУ "Львівська політехніка". - 2004. - №531. - С.16-20.

53. Zayachuk D., Strukhlyak N., Krukovsky S., Goovaerts E., Polyhach Y. GaAs thin film grown by LPE under influence of Yb impurity. 12th Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium. - Amsterdam (Netherlands), 2004. - P. 12.

54. Zayachuk D., Strukhlyak N., Krukovsky S., Goovaerts E., Polyhach Y. GaAs thin film grown by LPE under influence of Yb impurity. Proceeding 12th Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium. - Amsterdam (Netherlands), 2004. - P. 295-298.

55. Вакив Н.М., Завербный И.Р., Заячук Д.М., Круковский С.И., Мрыхин И.О. Установка для определения профилей распределения свободных носителей заряда по глубине эпитаксиальных структур GaAs // Технология и конструирование в электронной апаратуре. - 2005. - №3 - С.40-45.

56. Круковський С. І., Стахіра Й.М. Комплексне легування шарів InP та InGaAs в технології отримання гетероструктур InP/InGaAs для фотоприймачів. Труды шестой международной научно-практической конференции "Современные информационные и электронные технологии". - Одесса (Украина), 2005. - С.195.

57. Krukovsky S.I., Mrykhin O. and Zayachuk D.M. Pecularities of p-AlGaAs:Mg epitaxial layers grown by low temperature liquid-phase epitaxy method for DH lasers. International Conference "Crystal Materials 2005" (ICCM 2005). - Kharkiv (Ukraine), 2005. - P.221.

58. Круковський С.І., Коман Б.П., Струхляк Н.Я. Гетерофотоелементи pAlGaAs/nGaAs підвищеної ефективності із шаром GaAs, комплексно легованим Al та Yb // Вісник Львівського університету. Серія фізична. - 2005. - В.38. - Ч.2.- С.276-283.

59. Krukovsky S.I. and Stakgira J.M. Phases equilibrium in Bi-In-InP, Bi-Yb-InP systems. IX International conference of crystal chemistry of intermetallic compounds. - Lviv (Ukraine), - 2005. - P. 110.

60. Заячук Д.М., Круковський С.І., Мрихін І.О. Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії // Вісник Національного університету "Львівська Політехніка" (Електроніка). - 2005. - №532. - С.24-28.

61.Круковський С.І., Стахіра Й.М., Білинський Ю.М.. Фотоелектричні властивості GaAs та InP, легованих ізовалентними та рідкісноземельними елементами. Всеукраїнський зґїзд "Фізика в Україні". Тези доповідей. - Одеса (Україна), 2005. - C.164.

62. Козаченко В.В., Круковський С.І., Ніколаєнко Ю.Є., Савкіна Р.К., Смірнов О.Б. Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії // Вісник Київського університету. Серія фізико-математичні науки. - 2005. - №4. - С.359-364.

63. Круковський С.І. P-I-N структури для високовольтних діодів на основі GaAs отримані РФЕ із галієвих розплавів, легованих Al та Yb // Нові технології. - 2005. - № 4. - С.26-30.

64. Kaniewska M., Krukovsky S.I., and Zayachuk D.M. Deep levels in Yb-Al co-doped GaAs grown by LPE. 11 International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. - Beijing (China), 2005. - P. 42.

65.Заячук Д.М., Круковський С.І., Мрихін І.О., Іжнін О. І., Вознюк Д.Л. Особливості одержання лазерних структур GaAs /AlGaAs методом РФЕ під впливом Yb // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - Т.6. - № 4. - С.661-665.

66. Круковський С.І., Стахіра Й.М., Фотій В.Д. Властивості епітаксійних шарів InP комплексно легованих рідкісноземельними елементами та алюмінієм // Український фізичний журнал. - 2006. - Т.51, №1. - С.67-72.

67. Круковский С.И. Комплексно легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники // Технология и конструирование в электронной апаратуре. - 2006. - №2 - С.27-31.

68. Kaniewska M., Krukovsky S.I., and Zayachuk D.M. Deep levels in Yb-Al co-doped GaAs grown by liquid phase epitaxy // Materials science in semiconductor processing. - 2006. - Vol.9. - P.366-370.

Размещено на Allbest.ru