Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs

Дослідження закономірностей комплексного впливу рідкісноземельних і ізовалентних елементів на електрофізичні властивості епітаксійних шарів на основі GaAs у процесі їх вирощування методом низькотемпературної рідиннофазної епітаксії з розплавів галію.

Рубрика Производство и технологии
Предмет Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
Вид автореферат
Язык украинский
Прислал(а) Мрихін Ігор
Дата добавления 28.08.2014
Размер файла 46,2 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.