Технологічні основи вирощування кристалів сполук AIIBVI з розплаву під тиском інертного газу

Задача усунення у виготовленому оптичному елементі термопружних напружень і зниження таким чином ІЧ поглинання в ньому була вирішена при одночасному застосуванні термічного впливу на зразок (Т~150 оС) та збудження у зразку УЗВ коливань, застосовуючи власний п'єзоефект матеріалу.

Область застосування кристалічного селеніду цинку може бути значно розширена, якщо використовувати також особливості п'єзоелектричних, п'єзооптичних та електрооптичних властивостей, обумовлені наведеною симетрією. В даній роботі показана можливість створення на основі модифікованих кристалів ZnSe модулятора лазерного випромінювання, п'єзорезонатора для генерації ультразвукових коливань та вимірювача потужності прохідного лазерного випромінювання.

У п'ятому розділі досліджені можливості використання розробленої ростової апаратури і технологічних засобів для вирощування кристалів іншого класу - широкозонних діелектриків типу АВF3, властивості яких суттєво відрізняються від матеріалів групи АIIВVI.

Двохкомпонентні лужно-галоїдні кристали, галогеніди і оксиди лужноземельних металів як матеріали для люмінесцентних перетворювачів на сьогодні є добре вивченими, і можливості вдосконалення таких матеріалів практично вичерпані. Тому в останні роки увага досліджувачів поступово зміщується в область вивчення більш складних систем і, зокрема, трьохкомпонентних. Більш складна гратка розширює можливості введення в кристал різних активуючих додатків. Крім того, багатокомпонентність складу є основою для змінення зонної структури кристала і, тобто, його люмінесцентних характеристик. До найбільш поширених типів таких систем відносяться кристали типу АВХ3, де А - іон лужного металу, В - іон лужноземельного металу, Х - одновалентний галоїдний аніон. В даній роботі досліджено умови вирощування чистих та легованих кристалів потрійних фторидів - перовскіту KMgF3 (що видається цікавим як сцинтиляційний, дозиметричний і лазерний матеріал) та антиперовскіту LiBaF3 (матеріал для реєстрації нейтронів і лазерна матриця).

Звичайно багатокомпонентні фториди металів отримують сплавленням простих фторидів з наступним вирощуванням кристалів у тому ж контейнері. Сумарна тривалість процесу може складати декілька сот годин, а температура, наприклад, для KMgF3 становить 1150оС. Наслідком цього може бути розподілення фторидів під дією вологи (пірогідроліз) з утворенням HF та оксиду металів. Для подавлення пірогідролізу використовують газоподібний HF із зовнішнього джерела.

В даній роботі розроблені низькотемпературні методи синтезу вказаних сполук, а для вирощування монокристалів підібрано умови, що виключають використання HF.

Спосіб отримання складних фторидів засновано на утворенні комплексної сполуки NH4[MeF3] з наступним заміщенням NH4 - іона іоном відповідного металу. Атомно-емісійний спектральний аналіз синтезованих зразків KMgF3 показав наявність домішок Fe, Bi, Ti, Al, Ca на рівні 10?3; Cu, Pb, Si - 10?4; Mn - 10?5 мас.%.

При отриманні вихідної шихти LiBaF3 для вирощування монокристалів було апробовано декілька низькотемпературних методів синтезу у водному середовищі. Найкращі результати отримані при використанні "хлоридного" способу синтеза LiBaF3 за реакцією

Позитивним моментом у "хлоридному" методі є те, що спектральний аналіз поглинання в ІЧ діапазоні практично не виявляє присутності кисеньвміщуючих радикалів.

Для вирощування кристалів KMgF3 та LiBaF3 використовувалась ростова апаратура, що описана у розділі 2, без будь яких змін, і кристалізація шихти провадилась у скловуглецевих тиглях за методом Бриджмена.

Розміри кристалів (діаметр 10-40 мм, довжина 30-60 мм) чистих і легованих різними домішками дозволили виконати цикл досліджень сцинтиляційних, дозиметричних та лазерних властивостей отриманих матеріалів.

Серед отриманих оригінальних результатів слід відзначити унікальні дозиметричні властивості, виявлені у кристалів KMgF3, легованих киснем. Дослідження термостимульованої люмінесценції для чистих та збагачених киснем кристалів вказують на те, що останні можуть бути використані для дозиметрії іонізуючого випромінювання при високих температурах (Т > 400оС), тобто в умовах, де ніякі інші кристалічні дозиметри вже не можуть бути придатні. Дозиметричні параметри KMgF3 можуть бути ще більш оптимізовані, якщо поряд із киснем у кристал вводити домішку Eu. В цьому разі з'являється можливість суттєво підняти чутливість матеріалу і, таким чином, дозиметр KMgF3 (Eu,О) є одним із найбільш ефективних для реєстрації низькоенергетичного випромінювання.

У шостому розділі наведені результати досліджень, що пов'язані з комплексом задач, вирішення яких необхідне для створення ростової апаратури та технології вирощування кристалів твердих розчинів типу Сd1-xZnхTe (CZT), х = 0,1-0,2, а також виготовлення на їх основі датчиків іонізуючих випромінювань.

Надзвичайно висока зацікавленість кристалами CZT на протязі останього десятиріччя пов'язана з тим, що потенційно їхні характеристики у найбільшому ступені задовільняють потреби до матеріалів напівпровідникових сенсорів рентгенівського та гамма-випромінювань, що функціонують при кімнатних температурах. Цей кристалічний матеріал, отриманий за методом Бриджмена під тиском ~100 атм, має питомий опір 1010-1011 Ом.см, що у поєднанні з іншими його характеристиками надає можливість отримати при кімнатних температурах таке енергетичне розділення, яке має Ge при температурі рідкого азоту.

В роботі показано, що специфічні умови вирощування CZT із трьохкомпонентного розплаву під високим тиском інертного газу визначають формування в кристалах структурних дефектів та неоднорідностей, які погіршують характеристики детекторів та знижують вихід кристалічного матеріалу. В значній мірі це було обумовлено недосконалістю обладнання для вирощування CZT кристалів - особливо конструкції теплового вузла, яка не дозволяє досягти оптимальних умов для розплавлення шихти, кристалізації трьохкомпонентного розплаву та охолодження кристала.

В пошуках найбільш прийнятної конструкції нами були випробовані три модифікації нагріваючого вузла, а також проведено комплексне вивчення характеристик трьох груп кристалів CZT, вирощених в суттєво різних теплових умовах (рис. 3). Воно виявило прямий зв'язок між формою фронта кристалізації та детекторними характеристиками кристала. По мірі того, як межа розплав-кристал стає все більш плоскої форми, досконалість структури кристалічного матеріалу значно поліпшується, а гущина включень та величина термопружних напружень падають. Крім того, більш однорідним стає осьовий та радіальний розподіл Zn в кристалі. В результаті цього матеріал отримує спектрометричні властивості.

Накопичений експериментальний матеріал показав, що використання теплового вузла тільки з одним нагрівачем не може забезпечити повної адаптації умов вирощування до оптимальних вимог - ростовий процес в однонагрівній печі залишається недостатньо контрольованим. Рішенням цієї проблеми стала вперше виконана розробка багатозонної ростової установки високого тиску з роздільними комп'ютерно-керованими нагрівачами.

Комплексне дослідження характеристик кристалів з метою оптимізації конструкції теплового вузла та технологічні режими вирощування дозволило виявити зв'язок ряду характеристик кристалів CZT з параметрами g-спектрометрів на основі отриманого матеріалу. Вказана задача зараз є досить актуальною, тому що питання про визначальні дефекти, котрі погіршують детекторні властивості CZT-детекторів, залишається відкритим.

Розподілення основних елементів у кристалі CZT було вивчено методом електронно-зондового мікроаналізу (ЕРMA), що оснований на скануючій електронній мікроскопії (SEM) та спектроскопії з розділенням по енергії (EDS). Для цього було використано скануючий електронний мікроскоп JSM-820 з системою рентгенівського мікроаналізу Link AN 10/85S.

По результатах досліджень були відновлені конфігурація фронту кристалізації на різних етапах росту кристалів, характер сегрегації Zn у злитку, а також ступінь відхилення від стехіометрії в зразках CZT. Як відомо, при вирощуванні кристалів із розплаву підтримання плоского або трохи випуклого фронту кристалізації на протязі всього ростового процесу є необхідною умовою отримання однорідного і досконалого кристала. Тому визначення реальної форми фронту кристалізації у кожному із трьох використаних нами варіантів теплового вузла являло значний практичний інтерес. З цією метою досліджені кристали S-1, S-2 та S-3 були розрізані навпіл вздовж ростової осі і в результаті були підготовані зразки у вигляді напівбуль. По результатам EPMA вимірів складу цинку були побудовані ізоконцентрати Zn (рис. 13). Враховуючи, що ці лінії наслідують фронт кристалізації в ході росту кристала, можна бачити, що при переході від S-1 до S-3 спостерігається суттєве покращення форми фронту кристалізації, що пов'язане з удосконаленням теплового вузла ростової установки.

Аналіз досконалості структури монокристалів CZT та розподілення атомів Zn в кристалічній гратці проводили методом XRD по формі та положенню кривих дифракційного відбиття (метод кривих качання), отриманих у монохроматичному CuKa1 випромінюванні.

Оскільки кристали CZT непрозорі у видимій ділянці спектру для їх мікроскопічних досліджень, була застосована телевізійна камера, що має максимальну чутливість до ІЧ випромінювання із довжиною хвилі 0,9 мкм. Камера була оснащена набором змінних об'єктивів, що дозволило отримати якісні зображення при різних збільшеннях.

Інфрачервона мікроскопія показала, що в кристалі S-1 присутні преципітати (Те,С), довгі трубчаті та круглі пори, а також спостерігається декорування границь зерен домішками. Для зразків із кристала S-2 виявлено зниження густини більшості із вказаних дефектів. Кристал S-3 виявився повністю вільним від трубчатих пор, крупних включень та пустот (Ж > 20 мкм). Для цього матеріалу характерними дефектами являються сферичні включення телуру Ж Ј 10 мкм.

Вимірювання коефіцієнта поглинання ІЧ випромінювання b в CZT зразках є достатньо інформативним методом оцінки наявності в ньому розсіюючих та поглинаючих включень.

Якщо розглядати СZT як інфрачервоний оптичний матеріал, що має достатньо низьке власне поглинання, то втрати випромінювання в ньому можуть бути віднесені, в основному, на рахунок розсіюючих центрів - пустот та включень другої фази (в основному, Те). Природно, що поглинання на вільних носіях у високоомних кристалах нехтовно мале. Для вимірювання коефіцієнта поглинання b зручно вибрати довжину хвилі 10,6 мкм (СО2-лазер), тому що, по-перше, вона знаходиться всередині діапазону пропускання кристала і вплив фундаментального поглинання, що характерний для країв спектру, на цій довжині хвилі є мінімальним. По-друге, довжина хвилі 10,6 мкм сумірна із розмірами пор та включень, що звичайно спостерігаються в кристалах CZT, що і є необхідним для їх ефективного контролю.

При використанні зразків S-1, S-2 та S-3 методом LAC виявлена сильна залежність величини b від концентрації включень Свключ в досліджених зразках, що оцінювали методом IRM.

Для вимірювання питомого електричного опору зразки з трьох кристалів CZT були відполіровані, оброблені в 5 % розчині Br у метанолі і на них методом хімічного осадження із розчину AuCl3 були нанесені золоті контакти. Можна відзначити, що розплавний метод забезпечує можливість отримання гранічно високого питомого опору кристалів. Звертає на себе увагу і той факт, що при переході від S-1 до S-3 не тільки підвищується середнє значення опору, але й зменшується його розкид по кристалу.

В даній роботі вперше запропоновано використовувати для аналіза детекторних кристалів CZT методи дослідження діелектричних властивостей напівпровідників. Так, терморелаксаційна діелектрична спектроскопія виконується на зразках кристалів CZT з нанесеними на них металевими електродами за допомогою моста змінного струму. Визначаючи дійсну e' та уявну e'' частини комплексної діелектричної проникності матеріалу та досліджуючи частотні та температурні залежності цих величин, можна встановити домінуючий механізм електричної поляризації, а також особливості кристалічної структури зразка.

В цій роботі параметри e' та e'' вимірювали в діапазоні частот 0,05-50 кГц та інтервалі температур 20-200 оС. Встановлено, що найбільш важливою особливістю електричної поляризації в досліджених кристалах є присутність домінуючого вкладу діелектричної релаксації. Одним з яскравих проявів цього механізму служить спостерігання максимума в температурній залежності e'', розташування якого зсувається у високотемпературну область при підвищенні частоти вимірювального поля. Окремо відзначимо суттєву різницю відносної напівширини максимума в температурній залежності діелектричних втрат та кореляцію цього параметра з детекторними характеристиками матеріалу.

Для досліджень лічильних та спектрометричних властивостей кристалів використовувалась установка, що складається з високовольтного джерела напруги електричного зміщення (Tennelec TC 953A), стандатного джерела 241Am, передпідсилювача (Ritec, модель 101), підсилювача-формувача (Ortec 572) та багатоканального амплітудного аналізатора на базі ПЕОМ. На рис. 14 наведені характерні спектри випромінювання 241Am, зареєстровані трьома різними кристалами. Тестування показало, що планарний детектор з кристала S-1 характеризується співвідношенням "сигнал/шум" 4:1, енергетичним розподіленням вище 20% для піка повного поглинання з енергією 59,54 кеВ і не здатний виявити піки з більш низькими енергіями. Кристал S-2 може бути використаний для виготовлення лічильників гамма-випромінювання з середнім співвідношенням "сигнал/шум" 5:1 та енергетичним розділенням близько 18% для піка повного поглинання. Ці детектори виявляли піки на 13,93 кеВ та 17,51 кеВ, але не мали можливості розділити їх. На відміну від попередніх зливків, кристал S-3 продемонстрував спектрометричну якість. Середнє співвідношення "сигнал/шум" для нього складало 12:1, а енергетичне розділення для піка повного поглинання було менш ніж 4,5%, що зіставляється з кращими результатами для кристалів CZT, вирощених з розплаву під тиском інертного газу.

ОСНОВНІ ВИСНОВКИ

1. Розроблено технологічні основи вирощування напівпровідникових кристалів групи АIIВVI із заданими властивостями для конкретних технічних застосувань. Одержання кристалів з розплаву під тиском інертного газу базується на нових рішеннях у конструкції теплового вузла ростового устаткування, що дозволяють одержати оптимальні параметри температурного поля в зонах розплавлювання, кристалізації та охолодження кристала, що був вирощений.

2. Розроблено комплекс технологічних установок для вирощування кристалів II-VI сполук як в умовах промислового виробництва так і для рішення науково-технічних задач. Нові принципи керування тепловим полем ростових печей системою з двох роздільно керованих нагрівачів дозволяють оптимізувати технологічний процес для різних задач, що включають і одержання твердих розчинів на основі цих кристалів. Уперше створена установка, у якій вирощування кристалів групи АIIВVI з розплаву під тиском аргону до 100 атм може бути виконане будь-яким з трьох методів: за Бриджменом, зонною плавкою або градієнтним охолодженням.

3. Розроблено новий принцип побудови теплового вузла печі для вирощування великогабаритних кристалів, що використовуються як вікна в приладах нічного бачення. Створено оригінальну ростову піч для вирощування за методом Штебера найбільш великих на сьогоднішній день кристалів селеніду цинку - діаметром 250 мм. Розрахунки показують принципову можливість подвоєння діаметра вирощуваного кристала.

4. Класифіковано фізичні фактори та причини їх змінень (домішки, характер структури тощо), що впливають на характеристики спектру поглинання ZnSe і тим самим обумовлюють ступінь поглинання ІЧ випромінювання. Установлено, що збільшення поглинання у кристалах селеніду цинку відбувається за рахунок домішок, що надходять у кристал з конструкційних матеріалів ростової печі й атмосферних газів, адсорбованих на футеруванні ростової камери, а також при взаємодії Se у розплаві ZnSe з вуглецем графітового тигля з утворенням сполучень CSe і CSe2. Розроблено способи зниження впливу цих факторів на поглинання кристалів ZnSe, які лягли в основу технології одержання високопрозорих кристалів для виготовлення елементів силової оптики ІЧ діапазону.

5. Показано, що при вирощуванні сильно напружених кристалів ZnSe їхні властивості модифікуються і спостерігаються аномальні фізичні ефекти, не властиві кубічній структурі сфалериту , але які вписуються в уявлення про наведену в кристалі більш низьку симетрію . Показано принципову можливість використання модифікованих кристалів у приладах оптики (модуляція світла, вимір потужності лазерного випромінювання) та акустики (генерація ультразвукових коливань).

6. Показано, що термопружні напруги можуть бути одним з головних факторів збільшення поглинання ІЧ випромінювання в кристалах ZnSe за рахунок зміни їхнього фононного спектра. Запропоновано спосіб зниження впливу цього фактора шляхом відпалу кристалів при температурі 150оС і одночасному збудженні в них ультразвукових коливань.

7. Розроблено технологію вирощування кристалів типу АВF3 без застосування фтористого водню для придушення пірогідролизу. Для цього запропонований і використаний на прикладі кристалів зі структурою перовскіту KMgF3 і антиперовскіту LiBaF3 спосіб низькотемпературного синтезу їхньої вихідної шихти. Дослідження легованих киснем кристалів KMgF3 показали, що вони є найбільш високотемпературними термо-люмінесцентними кристалічними дозиметрами УФ і радіаційного випромінювання (Ттл~500оС).

8. Розроблено принципи технології одержання потрійного твердого розчину Cd1-хZnхTe з однорідним розподілом цинку на більшій частині кристалічної булі на основі дослідження залежності форми ізоконцентрат цинку від розподілу температурного поля ростової печі. Показано, що досягнення плоскої форми фронту кристалізації є необхідною умовою одержання матеріалу для напівпровідникових гамма-детекторів, що мають високі спектрометричні властивості при кімнатних температурах.

ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ДИСЕРТАЦІЇ ОПУБЛІКОВАНО В РОБОТАХ

1. Комарь В.К., Герасименко А.С., Наливайко Д.П. Кристаллы Cd1-XZnXTe для полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма-излучения // Функциональные материалы для науки и техники. - Харьков: Институт монокристаллов. - 2001. - С.167-187.

2. Чумакова С.П., Тихомирова Н.А., Гинзберг А.В., Лисецкая Е.К., Комарь В.К. Визуализация ростовых неоднородностей полупроводников с помощью жидких кристаллов // Письма в ЖТФ.- 1987- т.13, вып.22.- с.1379-1384.

3. Полторацкий Ю.Б., Ковтун Е.Д., Деркач Ю.Ф., Кулик В.Н., Комарь В.К., Кобзарь-Зленко В.А. Селеноуглерод в кристаллах селенида цинка // Неорган. материалы. - 1989. - т.25, №3. - с.367-370

4. Кобзарь-Зленко В.А, Ковтун Е.Д., Комарь В.К., Полторацкий Ю.Б. Определение примесного состава монокристаллов селенида цинка методом термодесорбционной масс-спектрометрии // Высокочистые вещества. - 1989. - №1. - С.184-188

5. Загоруйко Ю.А., Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н. Обратимые и необратимые изменения диэлектрических свойств кристаллов ZnSe, вызванные излучением СО2-лазера // ФТП. - 1996. - т.30, №6. - с.1046-1049

6. Косоротов В.Ф., Леваш Л.В., Щедрина Л.В., Загоруйко Ю.А., Комарь В.К., Федоренко О.А. Датчики мощности, совмещенные с выходными окнами СО- и СО2 - лазеров, на основе третичного пироэлектрического эффекта // Квант. электроника. - 1994. - т.21, N6. - 588-590

7. Komar V.K. Thermodynamic aspects of carbon incorporation into ZnSe and CdSe crystals // Functional Materials. - 1998. - v.5, N4. - p.513-516

8. Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н. Аномалии теплопроводности кристаллов селенида цинка, содержащих двумерные дефекты структуры // Письма в ЖТФ. -1993. - т.19, вып.1. - с.47-51

9. Загоруйко Ю.А., Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н. Измерители проходящей мощности и модуляторы лазерного излучения из монокристаллического селенида цинка // Известия РАН. Сер. физич. -1993.- Т.57, вып.12. - с.180-182.

10. Комарь В.К., Корниенко В.А., Мигаль В.П., Файнер М.Ш., Чугай О.Н. Собственные колебания пьезоэлементов из объемных кристаллов ZnSe // Письма в ЖТФ. - 1994. - т.20, вып.10. - с.71.

11. Загоруйко Ю.А., Комарь В.К., Мигаль В.П., Чугай О.Н. Pелаксационная поляризация в кристаллах селенида цинка при фотовозбуждении // ФТП, 1995. - т.29, вып.6. - С.1065-1069

12. Комарь В.К., Мигаль В.П.,Чугай О.Н. Спектры собственных упругих колебаний кристаллов селенида цинка. // Неорган. материалы. - 1998.- т.34, N7. - С.1-4.

13. Komar V.K. Anomalous physical properties of ZnSe crystals grown from the melt // Functional Materials. - 1998. - v.5, N4. - p.517-520

14. Shiran N.V., Gektin A.V., Komar V.K, Krasovitskaya I.M., Shlyakhturov V.V Thermoluminescence of KMgF3(RE) crystals // Radiation measurements. - 1995. - v.24, №4. - p.435-437.

15. Komar V.K. Low-temperature synthesis of АВF3 cоmpounds with perovskite structure // Functional Materials. -1998. - v.5, N2. - p.279 - 281

16. Shiran N.V., Komar V.K, Shlyakhturov V.V., Gektin A.V., Ivanov N.P., Кor-nienko V.A. Krasovitskaya I.M., Nesterenko Yu.A. Radiation defects in pure and RE doped KMgF3 // Radiation Eff. in Solids.- 1995. - v.136. - Р.197-200

17. Komar V.K, Gektin A.V., Ivanov N.P., Nesterenko Y.A., Shiran N.V. Growth and study of properties of pure and rare-earth-doped KMgF3 crystals // J. Cryst. Growth. - 1996. - v.166. - Р.419-422

18. Hermon H., Schieber M., James R.B., Antolak A., Morse D.H., Brunett B., Hackett C., Tarver E., Komar V., Goorsky M.S., Yoon H., Kolesnikov N.P., Toney J., Schlesinger T.E., Evaluation of CZT crystals from the former Soviet Union // Nuclear Instr. and Methods in Phys. Research (A). - 1999. - V.428,№1. - p.30-37

19. Komar V., Gektin A., Nalivaiko D., Klimenko I., Migal V., Panchuk O., Rybka A. Characterization of CdZnTe crystals grown by HPB method // Nuclear Instr. and Methods in Phys. Research (A). - 2001. - V.458, №1-2. - Р.113-122

20. Морозова Н.К., Каретников И.А., Блинов В.В., Комарь В.К., Галстян В.Г., Зимогорский В.С. Зависимость свойств кристаллов Cd1-XZnXTe от типа собственных точечных дефектов и форм присутствия кислорода // ФТП. - 1999. - т.33, вып.5. - С.569-573

21. Klimenko I.A., Komar V.K., Migal V.P., Nalivaiko D.P. Effect of two-dimensional structure defects on dielectric properties of CdZnTe crystals // Functional Materials. - 2000. - v.7, N1. - p.52-55.

22. Hermon H., Schieber M., Yang N., James R.B., Kolesnikov N.P., Ivanov Yu.N., Komar V., Goorsky M.S., Yoon H., Toney J., Schlesinger T.E. Study of the homogeneity of cadmium zinc telluride detectors, in R.B. James et al. (Eds.) Semiconductors for Room Temperature Radiation Detectors Application II (Materials Research Society). - Pittsburgh, PA. - 1998. - V.487. - Р.223-228

23. Пат. 16739 Украина, МКИ С 30 В 11/02 29/30. Способ получения кристаллов соединений АIIВVI / В.А. Кобзарь-Зленко, М.Ш. Файнер, О.Ф Терейковская, В.К. Комарь (Укр); Институт монокристаллов АН Украины - № 4722975; Заявл. 24.07.89; Опубл. 29.08.97; Бюл. № 4.

24. Пат. 19567А Украина, МКИ С 01 В 9/08. Способ получения многокомпонентных фторидов / В.А. Кобзарь-Зленко, В.К. Комарь, Н.П. Иванов, Ю.А. Нестеренко (Укр); Научно-исследовательское отделение "Оптические и конструкционные кристаллы" Научно-технологического концерна "Институт монокристаллов" НАН Украины- № 94053280; Заявл. 16.05.94; Опубл. 25.12.97; Бюл. № 6.

25. Способ контроля порога оптического пробоя твердых прозрачных материалов: А.с. 1503494 СССР, МКИ G 01 № 17/00 / В.А. Калитенко, В.К. Комарь, И.Я. Кучеров, В.М. Перга, М.Ш. Файнер (СССР). - № 4241362; Заявлено 26.03.87.

26. Способ определения остаточных напряжений в объектах: А.с. 1534341 СССР, МКИ G 01 L 3/24 / В.К. Комарь, В.П. Мигаль, В.А. Ульянов, О.Н. Чугай (СССР). - № 4306095; Заявлено 14.09.87; Опубл. 7.01.90; Бюл. № 1.

27. Способ контроля коэффициента оптического поглощения прозрачных пластин: А.с. 1484049 СССР, МКИ G 01 J 1/40 / М.П.Перепечай, В.К.Комарь, А.В.Гектин, Т.Н.Богданова, К.В.Бичевин (СССР). - № 4102847; Заявлено 28.07.86.

28. Пат. 16677 Украина, МКИ С 30 В 11/02,29/48. Способ получения кристаллов селенида цинка / В.А. Кобзарь-Зленко, В.Н. Кулик, В.К. Комарь (Укр); Институт монокристаллов АН Украины - № 4446878; Заявл. 23.06.88; Опубл. 29.08.97; Бюл. № 4.

29. Пат. 16716 Украина, МКИ С 30 В 11/02,29/48. Способ получения кристаллов селенида цинка / В.Н. Кулик, В.К. Комарь, В.А. Кобзарь-Зленко (Укр); Институт монокристаллов АН Украины - № 4159663; Заявл. 12.12.86; Опубл. 29.08.97; Бюл. № 4.

30. Пат. 1478680 РФ, МКИ С 30 В 11/00,29/48. Способ получения кристаллов соединений АIIВVI / В.А. Кобзарь-Зленко, В.Н. Кулик, В.К. Комарь (Укр); Институт монокристаллов АН Украины - № 4236728; Заявл. 29.04.87; Опубл. 7.02.93; Бюл. № 5.

31. Komar V.K., Gerasimenko A.S., Fainer M.Sh., Migal V.P. and Chugai O.N.The big-size ZnSe single crystals for IR optics // Abstr. of XI Int. Conf. on Crystal Growth. - Amsterdam, Netherlands, June 18-23. - 1995. - p.763

32. Комарь В.К., Наливайко Д.П., Герасименко А.С., Сулима С.В., Матейченко П.В. Выращивание и исследование кристаллов CdZnTe, полученных методом Бриджмена в одно- и многозонной печах // Тезисы НКРК-2000, Москва, 15-20 окт. 2000 г. - С.250

Размещено на Allbest.ru