Технология прямого сращивания пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания
Очистка и окисление пластин кремния. Физико-химические основы технологии газового скалывания. Разработка оборудования для имплантации ионов легких газов в подложки полупроводников большого диаметра. Модель Гезеля–Тонга связывания гидрофильных пластин.
| Рубрика | Химия |
| Вид | лекция |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 02.11.2018 |
| Размер файла | 1,0 M |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Прямое азотирование кремния. Процессы осаждения из газовой фазы. Плазмохимическое осаждение и реактивное распыление. Структура тонких пленок нитрида кремния. Влияние поверхности подложки на состав, структуру и морфологию осаждаемых слоев нитрида кремния.
курсовая работа [985,1 K], добавлен 03.12.2014Обзор руднотермических печей, применяемых при производстве кремния. Пересчет химического состава сырья и углеродистых восстановителей, применяемых при производстве кремния в мольные количества химических элементов с учетом загрузочных коэффициентов.
курсовая работа [516,0 K], добавлен 12.04.2015Принципы и синтетические возможности метода молекулярного наслаивания. Синтез монослоя, химически связанного с поверхностью силикагеля и оксидного слоя заданной толщины. Геометрические соотношения на поверхности при синтезе хромоксидного слоя.
дипломная работа [24,1 K], добавлен 06.02.2009Строение атома кремния, его основные химические и физические свойства. Распространение силикатов и кремнезема в природе, использование кристаллов кварца в промышленности. Методы получения чистого и особо чистого кремния для полупроводниковой техники.
реферат [243,5 K], добавлен 25.12.2014Химические свойства простых веществ. Общие сведения об углероде и кремнии. Химические соединения углерода, его кислородные и азотсодержащие производные. Карбиды, растворимые и нерастворимые в воде и разбавленных кислотах. Кислородные соединения кремния.
реферат [801,5 K], добавлен 07.10.2010Литиевые источники тока (ЛИТ). Теоретическая основа процессов гранулирования активных масс и формования ленточных положительных электродов ЛИТ. Требования к положительным электродам в виде тонких лент, пластин и дисков, состояние производства сегодня.
автореферат [2,4 M], добавлен 22.03.2009Определение фотополимера, применение полимера в стоматологическом протезировании для заполнения форм, в изготовлении клише для штампов и в других областях. Изготовление печатей по технологии фотополимеризации. Строение фотополимеризующихся пластин.
презентация [1,0 M], добавлен 22.02.2010Характеристика, классификация и химические основы тест-систем. Средства и приёмы анализа различных объектов окружающей среды с использованием тест-систем. Определение ионов кобальта колориметрическим методом из растворов, концентрации ионов меди.
дипломная работа [304,6 K], добавлен 30.05.2007Физико-химические основы производства аммофоса. Классификация продукта, дробление крупной фракции. Технологическая характеристика оборудования. Газообразные соединения фтора. Очистка отходящих газов. Материальный баланс сатуратора. Основные правила пуска.
курсовая работа [62,8 K], добавлен 03.07.2015Состав и физико-химические свойства техногенного карбонатсодержащего отхода Ростовской ТЭЦ-2. Возможности применения КСО для очистки сточных вод от ионов тяжелых металлов (Fe3+, Cr3+, Zn2+, Cu2+ и Ni2+), определение условий их выделения с использованием.
статья [13,3 K], добавлен 22.07.2013