Влияние примеси иттербия на термолюминесценцию кристалла NaF-U
Исследование термолюминесценции кристаллов. Характеристика соактиватора иттербия, который создаёт новый центр захвата, имеющий более сложное строение, чем просто уран с кислородом. Исследование необходимости изучения щелочно-галоидных кристаллов.
Рубрика | Химия |
Вид | статья |
Язык | русский |
Дата добавления | 20.05.2018 |
Размер файла | 31,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Институт физики НАН КР
Влияние примеси иттербия на термолюминесценцию кристалла NaF-U
УДК 535.377
А.С. Бекташов, Г.С. Денисов
Аннотация
Исследована термолюминесценция кристаллов NaF-U и NaF-U,Yb. В кристаллах с двойной примесью интенсивность большинства термопиков уменьшается. Показано, что соактиватор иттербий создаёт новый центр захвата, имеющий более сложное строение, чем просто уран с кислородом.
Изучение щелочно-галоидных кристаллов, активированных ураном представляет значительный интерес. Они относятся к классу уникальных полифункциональных материалов. Такие кристаллы исследуются достаточно давно (см. обзор в [1]), поскольку обладают высоким квантовым выходом люминесценции. Особый интерес представляет изучение влияния двойных примесей - U,Me (Me - металл) на оптические свойства монокристаллов LiF и NaF. Вторые примеси могут значительно изменять радиационно-оптические свойства [2]. Некоторые из них (Pb, Тi, Сu, Zn) дают дополнительные пики поглощения и повышают квантовый выход ТЛ, другие (Ni, Со) только перераспределяют интенсивности линий в спектре поглощения кристалла, легированного ураном и уменьшают квантовый выход.
Ионы иттербия входят в узлы щелочных галоидов. Две полосы фотолюминесценци в ЩГК с иттербием обусловлены переходами в одном и том же центре свечения - ионе Yb2+ [3]. Другие авторы [4] считают, что иттербий в ЩГК может быть трёхвалентным. Ион иттербия известен тем, что даёт интенсивную, но короткую инфракрасную флюоресценцию, которая используется для создания лазеров. Кристаллы, активированные иттербием (изотоп 176Yb), представляют также интерес как перспективные сцинтилляционные материалы, пригодные для регистрации нейтрино. В работе [3] описаны оксидные составы, содержащие иттербий. Показано, что реакция взаимодействия нейтрино с ядрами 176Yb, имеет повышенное сечение. Фторидные составы с иттербием представляются более перспективными для регистрации нейтрино, поскольку они имеют дополнительный канал регистрации нейтрино, связанный с ядрами 19F, также имеющими повышенное сечение взаимодействия с нейтрино.
Кристаллы фтористого натрия чистые и легированные были выращены усовершенствованным методом Киропулоса в платиновой чашке на воздухе из реактива особой чистоты. Примеси вводили в шихту перед выращиванием кристалла в виде азотнокислого урана и трехбромистого иттербия. Спектральный анализ образцов показал, что в легированных кристаллах содержится урана 0.01 масс%, а иттербия 0,03 масс%. Кристаллы содержат так же небольшое количество других примесей.
Перед измерениями кристаллы отжигали при температуре 600C в течение 1 ч. Образцы размером 1051 мм3 выкалывали по плоскостям спаянности. Кристаллы облучали 1 час при комнатной температуре на аппарате УРС-70 с вольфрамовой рентгеновской трубкой 1БПВ1 - 60 (55 кВ , 10 мА). Спектры поглощения кристаллов измеряли в видимой и ультрафиолетовой области на двухлучевом спектрофотометре SP8-100 (PYE UNICAM). Термолюминесценцию (ТЛ) регистрировали на специальной установке, состоящей из блока нагрева с держателем образцов, фотоумножителя ФЭУ-79, усилителя постоянного тока У5-7 и самопишущего потенциометра КСП-4. Скорость нагрева выдерживалась постоянной - 10 К/мин. Разложение проводили методом наименьших квадратов в среде Matlab 6.5 с использованием встроенных средств нахождения минимума функции нескольких переменных. Полученные решения устойчивы к вариациям начальных приближений параметров.
Были исследованы кристаллы NaF-U и NaF-U,Yb. На рис.1 и 2 показаны спектры термолюминесценции таких кристаллов.
Рис. 1. Термолюминесценция кристаллов NaF-U
Обе термокривые разлагали на составляющие в соответствии с функцией Гаусса. Из сравнения рисунков видно, что при добавлении примеси иттербия интенсивность почти всех термопиков меняется. Это происходит от того, что в кристалле присутствует два иона-активатора и между ними может происходить взаимодействие. Количественные значения параметров термопиков приведены в таблице. В ней кроме местоположения термопика, приведены его высота (Н), полуширина (L) и площадь (S), равная произведению Н · L. Поскольку запасённая в ловушке светосумма характеризуется параметром S, мы рассматривали отношение S1/ S2 .
Известно [5], что за пик при 331К ответственны F2+ - центры. При добавлении иттербия их количество уменьшается, поскольку ионы Yb2+ и Yb3+ являются ловушками электронов. Особенно сильно уменьшается (в 12 раз), а также смещается на 12 К термопик при 375К. Следует отметить, что в других образцах кристалла NaF-U, интенсивности двух первых пиков не очень большие. термолюминесценция кристалл уран иттербий
Рис.2. Термолюминесценция кристаллов NaF-U,Yb
Не меняется площадь пика при 537К. Видимо, этот термомаксимум обусловлен F - центрами [6]. Добавление соактиватора практически не изменяет количество этих центров. Термопик при 468 К резко увеличивается и немного смещается в высокотемпературную область. Видимо, в состав ловушки входят катионные вакансии, которые имеются даже в номинально чистых кристаллах [2]. При добавлении трёхвалентного иттербия количество таких центров растёт. Тоже самое относится и к термопику при 546 К, который увеличивается в 6 раз и смещается на 20 К.
Ранее нами было показано [3], что термомаксимум около 385 К обусловлен разрушением F-центров, образующихся на дорадиационных вакансиях. Добавление трехвалентного иттербия в качестве второй примеси (гетеровалентный изоморфизм) приводит к образованию анионных вакансий, поэтому указанный термопик больше, чем в кристалле без иттербия. За максимум 478 К скорее всего ответственны центры захвата, в состав которых входит кислород [7]. Дополнительное количество кислорода входит при росте кристалла, для компенсации избыточного заряда иттербия.
Были исследованы также спектры поглощения кристаллов фтористого натрия с ураном и с ураном и иттербием в широком интервале длин волн. Наиболее полно изучена зеленая область 510 - 560 нм, где обнаружена и интерпретирована [1-2] тонкая структура. В УФ области находится несколько широких интенсивных полос. Ранее нами было показано, что в необлучённых кристаллах NaF-U образуются ростовые F-центры окраски. На F-полосу накладываются несколько узких полос малой интенсивности при 343, 356 и 362 нм. Эти пики обусловленные, вероятно, электронными переходами. В кристалле NaF-U,Yb сохраняются те же пики поглощения, но их интенсивность значительно уменьшается. Это возможно связано с тем, что ионы иттербия захватывают электронные вакансии, препятствуя образованию F-центров.
№ |
NaF-U |
NaF-U,Yb |
||||||||
T, К |
H, о.е. |
L, К |
S 1 |
T, К |
H, о.е. |
L, К |
S 2 |
S1 / S2 |
||
1 |
331 |
80.0 |
10.8 |
864.0 |
327 |
14.8 |
12.4 |
183.5 |
4.7 |
|
2 |
375 |
82.3 |
13.9 |
1144.0 |
386 |
9.1 |
10.3 |
93.7 |
12.2 |
|
3 |
407 |
10.7 |
5.0 |
53.5 |
402 |
5.4 |
9.1 |
49.1 |
1.1 |
|
4 |
424 |
5.3 |
9.1 |
48.2 |
||||||
5 |
442 |
5.8 |
13.7 |
79.5 |
||||||
6 |
468 |
2.9 |
7.0 |
20.3 |
478 |
18.0 |
12.7 |
228.6 |
0.1 |
|
7 |
537 |
29.6 |
33.5 |
991.6 |
538 |
29.2 |
29.1 |
849.7 |
1.2 |
|
8 |
546 |
5.7 |
5.5 |
31.4 |
564 |
17.3 |
11.9 |
205.9 |
0.2 |
|
9 |
615 |
6.1 |
11.3 |
68.9 |
Исходя из приведенных результатов можно сделать вывод, что примесь иттербия существенно влияет на интенсивность спектра термолюминесценции кристалла NaF-U . Это может быть связано с тем, что иттербий совместно с ураном и кислородом создаёт новый более сложный центр, чем просто уран с кислородом [1-2] .
Литература
1. Каплянский А. А., Москвин Н. А., Феофилов П. П. Исследование электрических и магнитных серий в спектрах люминесценции щелочных фторидов, активированных шестивалентным ураном // Оптика и спектроскопия. -1964. - т.16. - вып.4. - с.619-624.
2. Кидибаев М.М. Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах (Li,Na)F-U,Me // Каракол-Екатеринбург. - 1999. - 220 с.
3. Ивахненко С.С. Спектры поглощения галогенидов калия, содержащих Yb2+ // Сб. “Физика конденсированного состояния вещества», Хабаровск. - 1977. - с.29-35.
4. Pedrini C., Dujardin et al. Crystals and thin films for scintillates // Проблемы спектроскопии и спектрометрии. - 2002. - вып. 11. - с.3-29.
5. Кидибаев М. М., Денисов Г. С., Лозовских А. А., Айылчиев Д. А. Исследование термолюминесценции кристаллов фторида натрия, легированных церием // Вестник Иссык-Кульского университета. - 2002. -№6.- с. 5-9.
6. Bhan S. Thermoluminescence of NaF Harshaw Single Crystals Irradiated to Medium Doses // Phys. Stat. Sol. (a). - 1971. - v. 69. - №1. - p.367-376.
7. Thomas G. Stoeby // J. Phys. Chem. Sol. - 1970. - v. 31. - № 6. - p.1291-1294.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Спектроскопия молекул в инфракрасном диапазоне. Особенности исследования щелочно-галоидных кристаллов и молекул в матричной изоляции. Специфический характер взаимодействия заряженных молекул между собой и с окружающими их ионами кристалла; спектр газа.
практическая работа [348,7 K], добавлен 10.01.2016Эпитаксия - ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Исследование форм кристаллов NaCl, образуемых при сублимации из водного раствора; структурное соответствие эпитаксиальных пар по срастающимся граням и отдельным рядам.
курсовая работа [11,4 M], добавлен 04.04.2011Основные виды кристаллов. Естественный и искусственный рост кристаллов. Выращивание кристаллов как физико-химический процесс, требуемое оборудование. Способы образования кристаллов. Выращивание монокристаллов из расплава, растворов и паровой фазы.
реферат [57,3 K], добавлен 07.06.2013Понятие строения вещества и основные факторы, влияющие на его формирование. Основные признаки аморфного и кристаллического вещества, типы кристаллических решеток. Влияние типа связи на структуру и свойства кристаллов. Сущность изоморфизма и полиморфизма.
контрольная работа [24,1 K], добавлен 26.10.2010Причины и условия кристаллизации материальных частиц. Теории зарождения и роста идеальных кристаллов в работах Гиббса, Фольмера, Косселя и Странского. Описание точечных, линейных, двухмерных и объемных дефектов. История получения искусственных кристаллов.
реферат [21,4 K], добавлен 18.11.2010Общая характеристика поверхностных явлений в жидких кристаллах. Рассмотрение отличительных особенностей смектических жидких кристаллов, различных степеней их упорядочения. Исследование анизотропии физических свойств мезофазы, степени упорядочения.
реферат [655,6 K], добавлен 10.10.2015Твёрдые кристаллы: структура, рост, свойства. "Наличие порядка" пространственной ориентации молекул как свойство жидких кристаллов. Линейно поляризованный свет. Нематические, смектические и холестерические кристаллы. Общее понятие о сегнетоэлектриках.
курсовая работа [55,4 K], добавлен 17.11.2012Изучение понятия, видов и способов образования кристаллов - твердых тел, в которых атомы расположены закономерно, образуя трехмерно-периодическую пространственную укладку - кристаллическую решетку. Образование кристаллов из расплава, раствора, пара.
презентация [6,3 M], добавлен 08.04.2012История открытия жидких кристаллов, особенности их молекулярного строения, структура. Классификация и разновидности жидких кристаллов, их свойства, оценка преимуществ и недостатков практического использования. Способы управления жидкими кристаллами.
курсовая работа [58,4 K], добавлен 08.05.2012Примеры применения монокристаллов. Семь кристаллических систем: триклинная, моноклинная, ромбическая, тетрагональная, ромбоэдрическая, гексагональная и кубическая. Простые формы кристаллов. Получение перенасыщенного раствора и выращивание кристалла.
презентация [391,6 K], добавлен 09.04.2012