Физико-химические основы синтеза и глубокой очистки летучих соединений кремния, кадмия, теллура и цинка
Разработка технологии синтеза алкильных соединений кадмия и теллура, моносилана, дихлорсилана и тетрахлорида кремния. Изучение методик химико-спектрального и газохроматографического анализа веществ для исследования поведения примесей в процессах синтеза.
| Рубрика | Химия |
| Вид | автореферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 04.02.2018 |
| Размер файла | 3,1 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
(26).
А критерий существования гомоазеатропа имеет вид бид ? г2?
Таблица 6. Значения коэффициента разделения жидкость - пар в системах дихлорсилан - микропримесь органохлорсиланов, органических веществ и силоксанов
|
Примесь |
ид |
расч |
экс |
расч |
|
|
Этан |
24,4 |
24,4 |
22±2 |
1,0 |
|
|
Пропан |
5,9 |
5,9 |
5,5±0,6 |
1,0 |
|
|
Циклопропан |
4,5 |
4,5 |
- |
1,0 |
|
|
Изобутан |
2,2 |
2,0 |
2,3±0,2 |
1,1 |
|
|
Бутан |
1,5 |
1,4 |
1,4±0,1 |
1,1 |
|
|
Циклобутан |
1,0 |
1,0 |
1,1±0,1 |
1,0 |
|
|
Пентан |
2,4 |
2,2 |
- |
1,1 |
|
|
Неопентан |
1,1 |
1,0 |
1,1±0,1 |
1,1 |
|
|
Хлористый этил |
1,0 |
1,0 |
1,0±0,1 |
1,1 |
|
|
Хлористый метил |
3,6 |
3,6 |
3,6±0,2 |
1,0 |
|
|
Тетрахлорид углерода |
11,1 |
4,1 |
- |
2,7 |
|
|
Дихлорметан |
2,9 |
1,8 |
- |
1,6 |
|
|
Хлороформ |
6,3 |
4,9 |
- |
1,3 |
|
|
Метилтрихлорсилан |
5,4 |
2,4 |
- |
2,2 |
|
|
Метилдихлорсилан |
2,7 |
1,4 |
- |
2,0 |
|
|
Хлорсилоксаны Si2OCl6 Si2OНCl5 Si2OН2Cl4 |
110 2241 2748 |
100 1724 2114 |
- - - |
1,1 1,3 1,3 |
Применение критерия к системам на основе дихлорсилана показало, что исследуемые примеси гомоазеатроп не образуют, поэтому ректификация может быть эффективна при глубокой очистке дихлорсилана.
В состав смеси, выходящей из реактора синтеза, входит монохлорсилан, дихлорсилан, трихлорсилан и тетрахлорид кремния, поэтому процесс очистки дихлорсилана был проведен в две стадии. Вначале осуществили выделение дихлорсилана из реакционной смеси, а затем - его глубокую очистку. Для оценки эффективности первой стадии - концентрирования дихлорсилана, был использован метод физико-химического моделирования. При формировании физико-химического базиса модели процесс ректификации был рассмотрен с позиций неравновесной термодинамики как диссипативная система, стремящаяся перейти от неравновесного нестационарного состояния к неравновесному стационарному состоянию. Модель позволяет рассчитать скорость формирования профиля распределения концентрации компонентов по высоте колонны.
Для расчета профиля концентрации была получена система уравнений материального баланса в виде:
,
.
где х0, xкуб, xh1, xh2, xд1, xд2 , xs1, xs2 - концентрации целевого продукта в исходной загрузке, среднем питающем резервуаре, захвате верхней и нижней разделительной секции, в захвате дефлегматора и испарителя, средние концентрации в верхней и нижней емкости для отбора после n1 и n2 отборов, соответственно; V0, Vкуб, H1, H2, Vд1, Vд2, Vs1, Vs2 - объем исходной загрузки ректификационной колонны, объем жидкости в среднем питающем резервуаре, в захвате верхней и нижней разделительной секции, жидкостная задержка дефлегматора и испарителя, объемы отбора, соответственно.
Средняя концентрация в захвате для концентрированных растворов определялась в виде:
.
Для расчета времени формирования профиля распределения концентрации компонентов в концентрированных смесях с большим значением б были использованы редуцированные уравнения Бабкова-Жаворонкова:
,(27)
(28)
где F0 - фактор разделения в стационарном безотборном режиме; - возмущенный фактор разделения; L - нагрузка колонны, Н - захват секции.
Расчет возмущенного фактора был проведен по уравнению:
,
а концентрацию компонента в точках отбора определяли по уравнению:
.
В результате использования полного физико-химического базиса для расчета было установлено, что выделение дихлорсилана из смеси хлорсиланов с помощью ректификационной колонны со средним питающим резервуаром с использованием методики чередующихся отборов из верхней и нижней отборных точек позволяет повысить производительность процесса вдвое по сравнению с производительностью колонны с нижним кубом. Методика была проверена экспериментально, а результаты расчета и эксперимента показали хорошее согласие.
Комплексные технологические схемы получения высокочистых диэтилтеллурида, диметилкадмия, диэтилцинка, моносилана, дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния.
Разработанная комплексная схема получения высокочистого диэтилцинка, диметилкадмия и диэтилтеллурида представлена на рис. 17.
Рисунок 17. Узел глубокой очистки диэтилтеллурида, диметилкадмия и диэтилцинка: 1 - средний питающий резервуар; 2 - испаритель; 3 -- конденсатор; 4 - разделительные секции; 5-- 8 - краны; 9, 11 - перегонный резервуар для вакуумной перегонки; 10 - приемный резервуар; 12 - контейнер.
Схема включает стадию предочистки методом вакуумной перегонки для удаления алкоксидных и пероксидных соединений, осложняющих ректификационную очистку за счет их взрывного разложения в испарителе колонны. Стадию ректификации в колонне со средним питающим резервуаром и финишную очистку вакуумной дистилляцией от примесей металлов, находящихся в форме взвешенных частиц.
В табл. 7 представлены данные по содержанию примесей в высокочистом диэтилтеллуриде, диметилкадмии и диэтилцинке.
Таблица 7. Концентрации примесей летучих веществ и металлов в высокочистом диэтилтеллуриде, диметилкадмии и диэтилцинке.
|
Примесь |
Диэтилтеллурид |
Диметилкадмий |
Диэтилцинк |
|
|
Концентрация, мольн.% |
Концентрация, мольн.% |
Концентрация, мольн.% |
||
|
Диэтиловый эфир |
2.10-4 |
<2.10-5 |
<2.10-5 |
|
|
Этанол |
9.10-4 |
|||
|
Метилйодид |
<6.10-6 |
5.10-5 |
<6.10-6 |
|
|
Этилйодид |
<9.10-6 |
<9.10-6 |
<9.10-6 |
|
|
Толуол |
4.10-4 |
<1.10-5 |
<1.10-5 |
|
|
Этилбромид |
<1.10-5 |
<1.10-5 |
4.10-4 |
|
|
Нонан |
8.10-3 |
<6.10-6 |
<3.10-5 |
|
|
1,4-Диоксан |
<9.10-5 |
<9.10-5 |
<9.10-5 |
|
|
Тетраэтилсвинец |
<1.10-4 |
<1.10-4 |
<1.10-4 |
|
|
Диэтилртуть |
<6.10-4 |
<6.10-4 |
<6.10-4 |
|
|
Триэтилиндий |
<2.10-4 |
<2.10-4 |
<2.10-4 |
|
|
н-Гексан |
<4.10-5 |
<4.10-5 |
<4.10-5 |
|
|
3-Этилпентан |
<4.10-5 |
<4.10-5 |
<4.10-5 |
|
|
н-Гептан |
<6.10-5 |
<6.10-5 |
<6.10-5 |
|
|
Циклогексан |
<2.10-5 |
<2.10-5 |
<2.10-5 |
|
|
Метилциклогексан |
<4.10-5 |
<4.10-5 |
<4.10-5 |
|
|
Бензол |
<6.10-6 |
<6.10-6 |
<6.10-6 |
|
|
Железо |
<7.10-7 |
<7.10-7 |
<7.10-7 |
|
|
Хром |
<5.10-7 |
<5.10-7 |
<5.10-7 |
|
|
Никель |
<3.10-7 |
<3.10-7 |
<3.10-7 |
|
|
Кальций |
<2.10-6 |
<2.10-6 |
<2.10-6 |
|
|
Титан |
<3.10-7 |
<3.10-7 |
<3.10-7 |
|
|
Магний |
<2.10-7 |
<2.10-7 |
<2.10-7 |
|
|
Марганец |
<3.10-9 |
<3.10-9 |
<3.10-9 |
|
|
Медь |
<3.10-7 |
8.10-7 |
6.10-7 |
|
|
Серебро |
<3.10-9 |
<3.10-9 |
<3.10-9 |
|
|
Кобальт |
<3.10-7 |
<3.10-7 |
<3.10-7 |
|
|
Ванадий |
<3.10-7 |
<3.10-7 |
<3.10-7 |
|
|
Молибден |
<3.10-7 |
<3.10-7 |
<3.10-7 |
|
|
Висмут |
<3.10-8 |
<3.10-8 |
<3.10-8 |
|
|
Алюминий |
1.10-6 |
<1.10-7 |
<3.10-7 |
|
|
Олово |
<5.10-8 |
<5.10-8 |
<5.10-8 |
|
|
Сурьма |
<2.10-7 |
<2.10-7 |
<2.10-7 |
Разработаны исходные данные для проектирования и регламент получения высокочистого диэтилтеллурида, диметилкадмия и диэтилцинка.
Схема технологического комплекса для производства высокочистого моносилана, дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния, представлена на рис. 18.
Рисунок 18. Схема установки для получения дихлорсилана, моносилана и тетрахлорида кремния в едином технологическом цикле: 1 - реактор; 2 - секция подогрева; 3 - разделительная секция; 4 - испаритель; 5 - приемная емкость для SiCl4; 6 - теплообменник; 7 - емкость с со смесью хлорсиланов, поступающих из реактора; 8 - емкость с техническим SiHCl3; 9, 10 - накопители моносилана; 11 - баллоны с высокочистым моносиланом; 12 - дефлегматор колонны ректификации; 13 - верхняя разделительная секция; 14 - емкость с концентратом дихлорсилана; 15 - куб колонны; 16 - нижняя разделительная секция; 17 - емкость для SiCl4 и SiHCl3; 18 - баллоны для высокочистого дихлорсилана или емкость для высокочистого тетрахлорида кремния.
Схема включает в себя ректификационную колонну для предочистки трихлорсилана, концентрирования и глубокой очистки дихлорсилана и тетрахлорида кремния, реакционно-ректификационный аппарат для синтеза моносилана, дихлорсилана и тетрахлорида кремния, а также дистилляционный аппарат для очистки моносилана.
Сведения о чистоте продуктов, полученных на укрупненных установках технологического комплекса, представлены в табл. 8.
Из данных, представленных в таблицах видно, что чистота продуктов соответствует современным требованиям к высокочистым веществам.
Действующий комплекс позволил обеспечить практически полное импортозамещение для поставок в Россию высокочистого моносилана, дихлорсилана и тетрахлорида кремния, а также организовать экспорт указанных продуктов на предприятия микроэлектроники Украины и Республики Беларусь.
Таблица 8. Результаты анализа серийных образцов моносилана и хлорсиланов.
|
Примеси |
Дихлорсилан |
Моносилан |
Тетрахлорид кремния |
|
|
Дихлорсилан |
<0,0005 % |
|||
|
Постоянные газы |
<0,01% |
4 ppm |
||
|
Диоксид углерода |
0,5 ppm |
|||
|
Моносилан |
<0,0015% |
|||
|
Монохлорсилан |
<0,0015% |
|||
|
Трихлорсилан |
0,04% |
<0,0005 % |
||
|
Тетрахлорид кремния |
0,06% |
|||
|
Метилтрихлорсилан |
<0,001% |
<0,0005 % |
||
|
Метан |
<0,02 ppm |
<0,01ppm |
<0,01ppm |
|
|
Этан |
<0,2 ppm |
<0,01ppm |
<0,01ppm |
|
|
Пропан |
<0,1 ppm |
<0,01 ppm |
<0,01ppm |
|
|
Хлорметил |
<0,4 ppm |
<0,1ppm |
||
|
н-Бутан |
<0,1 ppm |
<0,01 ppm |
<0,01ppm |
|
|
Хлорэтил |
<0,15 ppm |
<0,1 ppm |
||
|
Пентан |
<0,1 ppm |
<0,01ppm |
||
|
Дихлорметан |
<0,5 ppm |
<0,1ppm |
||
|
Гексан |
<0,01 ppm |
<0,01ppm |
||
|
Трихлорметан |
<0,1 ppm |
<0,1ppm |
||
|
Бензол |
<0,5 ppm |
<0,1ppm |
Основные выводы
1. Впервые реализовано алкилирование теллурида алюминия парообразным диэтиловым эфиром. Синтез включает две стадии: первая стадия - реакция диэтилового эфира с теллуридом алюминия, а вторая - пиролиз промежуточного продукта до теллурида алюминия, который возвращается в рецикл. В результате выход реакции по диэтилтеллуриду достигает 80 %.
2. Впервые осуществлен синтез диметилкадмия алкилированием элементного кадмия метилйодидом в присутствии катализатора, содержащего йодид метилкадмия и йодид меди (I). Найденный катализатор обеспечивал активацию металлического кадмия и протекание реакции при температуре 50оС, за счет чего подавляется реакция Вюрца и синтезируется с выходом до 85% йодид метилкадмия, при диспропорционировании которого получается диметилкадмий с выходом, близким к 100 %.
3. Разработан метод синтеза моносилана, дихлорсилана и тетрахлорида кремния с использованием комбинированного реакционно-ректификационного реактора непрерывного действия, позволяющего получить целевые продукты с выходом близким к 100%.
4. Найдена температурная зависимость константы скорости прямой и обратной реакции диспропорционирования трихлорсилана в присутствии катализатора на основе винилпиридиновой ионообменной смолы. Значения энергии активации прямой обратной реакции равны 28±2 и 11±3 кДж/моль, соответственно. Относительно низкие значения энергии активации обусловлены тем, что реакции контролируются десорбцией продукта реакции с активного центра катализатора. Предложен механизм диспропорционирования, включающий ионизацию молекул хлорсиланов на активных центрах катализатора и обмен анионов хлора с гидрид-ионом.
5. Разработана физико-химическая модель процесса диспропорционирования хлорсиланов и проведена оценка влияния температуры реактора, температуры и давления в парциальном конденсаторе, а также эффективности разделительной секции на скорость синтеза моносилана и хлорсиланов в реакционно-ректификационном реакторе. Установлено, что зависимость скорости синтеза от температуры и давления имеет экстремальный характер, что обусловлено влиянием температуры и давления на растворимость водородсодержащих хлорсиланов в конденсате.
6. Впервые экспериментально и расчетными методами получены значения коэффициента разделения жидкость - пар и расплав - кристалл для микропримесей диэтилового эфира, галоидалкилов, углеводородов и элементоорганических соединений в диметилкадмии, диэтилтеллуриде, диэтилцинке и дихлорсилане. Расчет коэффициента активности примеси по обобщенной теории свободного объема и регулярных растворов позволил получить значение расчетных величин согласующихся с экспериментальными данными с относительной погрешностью не более 50 %.
Показано, что во всех системах значение коэффициента разделения жидкость - пар значительно отличается от единицы, что позволяет применить дистилляционные методы очистки как при пониженном, так и при повышенном давлении.
7. Предложена физико-химическая модель для описания ректификационной очистки термолабильных веществ. Проведен расчет зависимости скорости процесса очистки для алкильных соединений цинка, кадмия и теллура от температуры, степени отбора и количества очищаемого вещества.
Установлено, что эти зависимости имеют экстремальный вид, обусловленный двойственным характером влияния температуры и количества очищаемого вещества на массообменные характеристики и скорость очистки.
8. Разработана физико-химическая модель для расчета кинетики концентрирования и глубокой очистки дихлорсилана методом периодической ректификации в колонне со средним питающим резервуаром, в которой процесс ректификации представлен как диссипативная система, стремящаяся перейти от неравновесного нестационарного состояния к неравновесному стационарному состоянию.
Расчет показал, что чередующиеся отборы из верхней и нижней точки колонны со средним питающим резервуаром позволяют повысить скорость концентрирования дихлорсилана вдвое. Результаты расчета подтверждены экспериментальными данными.
9. Разработаны методы газохроматографического и химико-спектрального анализа диэтилтеллурида, диметилкадмия, моносилана и дихлорсилана, позволяющие проводить контроль примесей в высокочистых продуктах на уровне концентрации 10-4 - 10-8 мольн.%.
10. На основе полученных данных разработаны комплексные технологические схемы получения высокочистых алкильных соединений теллура, кадмия, цинка, а также моносилана, дихлорсилана и тетрахлорида кремния для микроэлектроники.
Разработанные исходные данные для проектирования промышленных установок и регламенты получения высокочистого диэтилтеллурида, диметилкадмия и диэтилцинка переданы в ФГУП "ИРЕА", а комплексные технологические схемы реализованы в виде действующих укрупненных установок в ООО "Фирма Хорст".
Основное содержание диссертации опубликовано в научных работах
Статьи в ведущих рецензируемых научных журналах и изданиях
1. Воротынцев В.М, Мочалов Г.М., Колотилова М.А. Исследование равновесия жидкость - пар в системах, образованных дихлорсиланом с микропримесями органических, кремнийорганических веществ и силоксанов. //Журнал физической химии, 2005, Т.79, № 1, С.22-25
2. Гришнова Н.Д., Мочалов Г.М., Гусев А.В. и др. Каталитическая активность анионообменных смол в реакции диспропорционирования трихлорсилана. //Журнал прикладной химии, 1999, Т.72, вып.10, С.1667-1672
3. Воротынцев В.М, Мочалов Г.М., Нипрук О.В. Синтез моносилана методом каталитического диспропорционирования трихлорсилана в реакционно - ректификационном аппарате с рециклом. //Журнал прикладной химии, 2001, Т.74, вып.4, С.603-607
4. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Колотилова М.А. Кинетика выделения дихлорсилана из смеси хлорсиланов методом ректификации с использованием регулярной насадки. //Теоретические основы химической технологии. 2004. Т. 38. № 4, С.355-360.
5. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Суворов С.С. и др. Кинетика процесса концентрирования и глубокой очистки дихлорсилана методом периодической ректификации в режиме дискретного отбора //Теоретические основы химической технологии. 2008. Т. 42. № 2. С. 208-213.
6. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Рассадин А.И. Исследование равновесия жидкость - пар в системах, образованных диэтилтеллуром с примесями диэтилового эфира и йодистого метила. //Высокочистые вещества, 1987, т.1, №2, С.206-208
7. Воротынцев В.М., Балабанов В.В., Мочалов Г.М. Растворимость хлорсиланов в жидком силане в интервале температур 160 - 250 К. //Высокочистые вещества, 1987, т.1, №5, С.71-73
8. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Шушунов Н.В. и др. Газохроматографический и масс-спектрометрический анализ диэтилтеллура. //Высокочистые вещества, 1988, т.2, №1, С.198-200
9. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Орлов А.С. Исследование равновесия твердое тело - жидкость в системе диметилкадмий - примеси методом направленной кристаллизации. //Высокочистые вещества, 1988, №3, С.58-63
10. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Орлов А.С. Прямой газохроматографический анализ диметилкадмия на содержание примесей летучих органических веществ. //Высокочистые вещества, 1988, №2, С.129-132
11. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Орлов А.С. Равновесие жидкость - пар в системах, образованных диметилкадмием с примесями диэтилового эфира, метилиодида и этилиодида. //Высокочистые вещества, 1989, №6, С.39-41
12. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Рассадин А.И. Синтез диэтилтеллура по реакции теллурида алюминия с диэтиловым эфиром. //Высокочистые вещества, 1990, №3, С.120-123
13. Агафонов И.А., Мочалов Г.М., Борисова З.К. и др. Определение примесного состава диметилкадмия с использованием масс-спектрометрического и газохроматографического методов анализа. //Высокочистые вещества, 1990, №3, С.135-140
14. Мочалов Г.М., Гришнова Н.Д., Воротынцев В.М., Моисеев А.Н. Равновесие жидкость - пар в системах диэтилцинк - примеси этильных соединений элементов II - V групп. //Высокочистые вещества, 1990, №5, С.95-99
15. Балабанов В.В., Мочалов Г.М., Степанов В.М. и др. Физико - химические основы глубокой очистки летучих неорганических гидридов методом ректификации при повышенном давлении. I. Равновесие жидкость - пар в системах на основе гидридов в интервале температур Ткип - 0,8 Ткр. //Высокочистые вещества, 1990, №6, С.60- 66
16. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Орлов А.С. Исследование разделительной способности колонны при ректификации диметилкадмия. //Высокочистые вещества, 1991, №4, С.165-171
17. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Балабанов В.В. Физико - химические основы глубокой очистки летучих неорганических гидридов методом ректификации при повышенном давлении. II. Температурная зависимость фактора разделения ректификационной колонны в области Ткип - 0,8 Ткр. //Высокочистые вещества, 1991, №6, С.126-130
18. Мочалов Г.М., Гришнова Н.Д., Воротынцев В.М., Моисеев А.Н. Исследование влияния термораспада диэтилцинка на эффективность его очистки методом ректификации. //Высокочистые вещества, 1993, №2, С.47-52
19. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Орлов А.С., Гришнова Н.Д. Исследование равновесия твердое тело - жидкость в системе диэтилцинк - примеси органических и элементорганических веществ. //Высокочистые вещества, 1993, №3, С.62- 85
20. Балабанов В.В., Воротынцев В.М., Мочалов Г.М. и др. Физико- химические основы глубокой очистки летучих неорганических гидридов методом ректификации при повышенном давлении. 3. Глубокая очистка гидридов от ограниченно растворимых веществ. //Высокочистые вещества, 1993, №6, С.60-67
21. Родченков В.И., Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Малышев В.М. Двухфазные методы концентрирования микропримесей в высокочистых летучих веществах: дистилляционные, кристаллизационные и экстракционные. //Высокочистые вещества, 1994, №2, С.110-118
22. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М. Растворимость постоянных газов в органических жидкостях. //Высокочистые вещества, 1994, №5, С.133-137
23. Воротынцев В.М, Мочалов Г.М., Матвеев А.К., Малышев А.В. и др. Газохроматографическое определение микропримесей H2, O2, Ar, N2, CO, CO2 и углеводородов в высокочистом моносилане. //Журнал аналитической химии, 2003, Т.58, № 2, С.178-181
24. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Колотилова М. А., Волкова Е.В. Газохроматографическое и масс-спектрометрическое определение примесей углеводородов и органических соединений в дихлорсилане. //Журнал аналитической химии. 2006. № 9. Т. 61, С. 883-888
Статьи, опубликованные в других изданиях
25. Балабанов В.В., Воротынцев В.М., Мочалов Г.М. Исследование зависимости давления пара жидкого силана от температуры. //Сб. "Получение и анализ чистых веществ", Горький, ГГУ, 1984, С.77-78
26. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Малышев В.М. и др. Производство высокочистого моносилана и дихлорсилана для получения эпитаксиальных структур кремния. // Известия академии инженерных наук РФ им. А.М. Прохорова. 2004. № 7, С. 77-83.
27. Мочалов Г.М., Колотилова М.А., Аксенов А.В. Метрологическое обеспечение производства высокочистых гидридов и хлоридов кремния и германия для микроэлектроники. // Известия академии инженерных наук РФ им. А.М. Прохорова. 2004. № 7. С. 69-77.
Тезисы докладов конференций
28. Девятых Г.Г., Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Орлов А.С., Рассадин А.И. Металлоорганические соединения в электронике. //Тезисы докл. нац. конф. с межд. участием «Хим. продукты в электронике», Пловдив, НРБ, 1987, С.17
29. Мочалов Г.М., Рассадин А. И. Газохроматографическое определение содержания примесей летучих органических веществ в диэтилтеллуре и диметилкадмии. //Тезисы докла-дов VII Всесоюзн. Конф. по методам получения и анализа высокочистых веществ, Горький, ГГУ, 1988, ч. 3, С.15-16
30. Мочалов Г.М., Орлов А.С., Рассадин А.И., Поляков В.М. и др. Синтез и глубокая очистка диэтилтеллура и диметилкадмия. //Тезисы докладов VII Всесоюзн. Конф. по методам получения и анализа высокочистых веществ, Горький, ГГУ, 1988, ч.2, С.84-85.
31. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Рассадин А.И. и др. Синтез и глубокая очистка металлоорганических соединений теллура и кадмия. //Тезисы докладов Всесоюз. совещание «Персп. расширения ассортимента хим. реактивов для нар. хоз. и науч. исслед.», Ярославль, ИРЕА, 1987, С.32-33
32. Гришнова Н.Д., Мочалов Г.М., Захарова Е.Г. Исследование фазовых равновесий в системах на основе диэтилцинка. //Тезисы докладов IV Всесоюзн. Конф. молодых ученых и специалистов по физической химии «Физхимия-90» Москва, 1990, ч.2, С.156-157
33. Мочалов Г.М., Орлов А.С. Равновесие кристалл-расплав и жидкость-пар в системах, образованных диметилкадмием с примесями эфира, метилиодида и этилиодида. //Тезисы докладов IV Всесоюзн. Конф. молодых ученых и специалистов по физической химии «Физхимия-90» Москва, 1990, ч.2, С.118-119
34. Мочалов Г.М., Гришнова Н.Д., Орлов А.С., Караксин В.Б. Глубокая очистка диэтилцинка от примесей летучих веществ. //Тезисы докладов IV Всесоюзн. Конф. по массовой кристаллизации и кристаллизационным методам разделения смесей, Иваново, 1990, С.158
35. Мочалов Г.М., Орлов А.С. Глубокая очистка диметилкадмия от примесей летучих веществ методом зонной плавки. //Тезисы докла-дов IV Всесоюзн. Конф. по массовой кристаллизации и кристаллизационным методам разделения смесей, Иваново, 1990, С.160
36. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М. Синтез и глубокая очистка низших алкильных соединений цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники. //Тезисы докладов V Всесоюз. конфер. по металлоорганическ. химии, Рига, 1991, С.354
37. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Орлов А.С. и др. Влияние термораспада диметилкадмия на процесс его очистки дистилляционными методами. //Тезисы докладов V Всесоюз. конфер.по металлоорганическ. химии, Рига, 1991, С.355
38. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Рассадин А.И. Синтез диэтилтеллура по реакции взаимодействия теллурида алюминия с диэтиловым эфиром в реакторе замкнутого типа с рециклом. //Тезисы докладов V Всесоюз. конфер.по металлоорганическ. химии, Рига, 1991, С.356
39. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Орлов А.С. Применение ректификации для глубокой очистки термически неустойчивых алкильных элементоорганических соединений. //Тезисы докладов VI Всесоюз. конфер.по ректификации Северодонецк, 1991, С.354
40. Воротынцев В.М., Балабанов В.В., Мочалов Г.М., Михайлова Н.Н. Глубокая очистка летучих неорганических гидридов ректификацией при повышенном давлении. //Тезисы докладов VI Всесоюз. конфер.по ректификации Северодонецк, 1991, С.354
41. Воротынцев В.М., Балабанов В.В., Мочалов Г.М. Равновесие жидкость - пар в системах на основе летучих гидридов с примесями постоянных газов. //Тезисы докладов X Конф.по химии высокочистых веществ, Н.Новгород, ННГУ, 1995, С.82
42. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Зонтов В.С., Малышев А.В. Газохроматографический анализ высокочистого моносилана на содержание микропримесей постоянных газов. //Тезисы докладов XI Конф.по химии высокочистых веществ, Н.Новгород, ИХВВ РАН, 2000, С.164
43. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Колотилова М.А., Аксенов А.В. Газохроматографический анализ дихлорсилана на содержание микропримесей постоянных газов и углеводородов. //Тезисы докладов XVII Менделеевском съезде по общей и прикладной химии, Казань, 2003, С.538
44. Колотилова М.А., Воротынцев В.М., Мочалов Г.М. Синтез и глубокая очистка дихлорсилана. //Тезисы докладов XVII Менделеевском съезде по общей и прикладной химии, Казань, 2003, С.100
45. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Колотилова М.А. Исследование термодинамического равновесия жидкость - пар в системах дихлорсилан - микропримесь органических и кремнийорганических веществ. //Тез. докладов XII Всероссийской конференции «Высокочистые вещества и материалы. Получение. Свойства. Анализ» ИХВВ РАН.- 31 мая-3 июня 2004 г. - Н.Новгород. 2004 г., С. 80
46. Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Колотилова М.А. Технологический комплекс для получения высокочистых моносилана, дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния. //Тез. докладов XIII Всероссийской конференции «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». 28-31 мая 2007 г. - Н.Новгород. 2007 г., С. 59
47. Мочалов Г.М., Королева А.В. Формирование примесного состава хлорсиланов и моносилана в процессе каталитического диспропорционирования трихлорсилана. //Тез. докладов XIII Всероссийской конференции «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». 28-31 мая 2007 г. - Н.Новгород. 2007 г. С. 83
48. Мочалов Г.М., Суворов С.С., Шаров А.Ю. и др. Кинетика глубокой очистки тетрахлорида кремния методом ректификации на колонне со средним питающим резервуаром. //Тез. докладов XIII Всероссийской конференции «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». 28-31 мая 2007 г. - Н.Новгород. 2007 г. С. 86
49. Мочалов Г.М., Суворов С.С., Глушенкова Е.В. Определение содержания примесей летучих веществ в высокочистых хлорсиланах и моносилане. //Тез. докладов XIII Всероссийской конференции «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». 28-31 мая 2007 г. - Н.Новгород. 2007 г. С. 152
50. Мочалов Г.М. Получение высокочистых летучих веществ для выращивания полупроводниковых эпитаксиальных структур кремния и AIIBVI. //Тезисы докладов XVIII Менделеевском съезде по общей и прикладной химии, - Москва, 2007. С.68
51. Мочалов Г.М. Высокочистые летучие вещества для получения полупроводниковых эпитаксиальных структур кремния и AIIBVI. //Тезисы докладов симпозиума "Новые высокочистые материалы" 1-2 декабря 2008 г. - Н.Новгород,2008. С.61
Авторские свидетельства и патенты РФ
52. Девятых Г.Г., Воротынцев В.М., Мочалов Г.М., Петрик А.Г. Способ очистки летучих гидридов //Авторское свидетельство СССР, № 1401807 от 08.02.1988
53. Рассадин А.И., Воротынцев В.М., Мочалов Г.М. Способ получения высокочистого диэтилтеллура // Авторское свидетельство СССР, № 1814288 от 11.11.1992
54. Девятых Г.Г., Воротынцев В.М., Мочалов Г.М. Способ получения диалкилмонотеллуридов // Патент РФ №2041209 от 09.08.1995
55. Колотилова М.А., Воротынцев В.М., Мочалов Г.М. Способ разделения смесей летучих веществ // Патент РФ №2288769 от 10.12.2006
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Преимущество электрохимического метода синтеза комплексных соединений. Выбор неводного растворителя. Принципиальная схема синтеза и конструкция электрохимической ячейки. Основные методы исследования состава синтезированных комплексных соединений.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 09.10.2013Первые систематические исследования химии теллура. Нахождение теллура в природе. Физические и химические свойства. Применение в сплавах с повышенной прочностью. Термоэлектрические модули Пельтье. Запасы на месторождениях теллура. Цена на мировом рынке.
презентация [1,8 M], добавлен 17.12.2013Разработка методов синтеза хиноксалинопорфиразинов и их металлокомплексов. Особенности комплексных соединений природных и синтетических порфиринов, их строение и спектральные свойства. Основные способы синтеза фталоцианина и его структурных аналогов.
дипломная работа [416,8 K], добавлен 11.06.2013Изучение метода синтеза соединений с простой эфирной связью, меркаптанов и аминов. Исследование реакций бимолекулярного нуклеофильного замещения. Анализ условий синтеза меркаптанов из хлорпроизводных. Технология жидкофазного синтеза. Реакционные узлы.
презентация [137,2 K], добавлен 23.10.2014Цепочка химического синтеза Mg(NO3)2-MgO-MgCl2. Физико-химические характеристики веществ, участвующих в химических реакциях при синтезе MgCl2 из Mg(NO3)2, их химические свойства и методы качественного и количественного анализа соединений магния.
практическая работа [81,6 K], добавлен 22.05.2008Обзор именных реакций, направленных на получение циклических соединений. Разработка схемы синтеза ценного интермедиата для синтеза ряда биологически активных веществ. Увеличение региоселективности при циклизации использованием диизопропилового эфира.
дипломная работа [602,3 K], добавлен 09.05.2015Строение атома кремния, его основные химические и физические свойства. Распространение силикатов и кремнезема в природе, использование кристаллов кварца в промышленности. Методы получения чистого и особо чистого кремния для полупроводниковой техники.
реферат [243,5 K], добавлен 25.12.2014Содержание элемента в земной коре. Основные производители теллура. Технология производства металлоида. Вакуумное и теллуридное рафинирование чернового теллура. Использование теллура в различных отраслях промышленности. Цикл операции электроэкстракции.
курсовая работа [661,0 K], добавлен 17.11.2015Химический элемент VI группы главной подгруппы. Распространение теллура в природе, его физические и химические свойства. Основные источники сырья для производства теллура. Улучшение обрабатываемости и повышение механических характеристик элемента.
презентация [2,3 M], добавлен 13.05.2012Особенности синтеза природных соединений - алкалоидов азафеналенового ряда, которые продуцируются "божьими коровками". Методы полного синтеза алкалоидов пергидро- и декагидро- азафеналенового ряда. Метатезис как метод создания циклических структур.
курсовая работа [2,8 M], добавлен 24.05.2012
