Взаємодія твердих розчинів Сd1-xМnxТe з іодвмісними (І2–метанол, І2–диметилформамід) та іодвиділяючими (Н2О2–НІ–розчинник) травильними композиціями

Размещено на http://www.allbest.ru/

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

ПРИКАРПАТСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

ІМЕНІ ВАСИЛЯ СТЕФАНИКА

УДК 621.794.4 : 546.48/711'24

ВЗАЄМОДІЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Cd_1-xMn_xTe З ІОДВМІСНИМИ (І₂ - МЕТАНОЛ, І₂ - ДИМЕТИЛФОРМАМІД) ТА ІОДВИДІЛЯЮЧИМИ (Н₂О₂ - НІ - РОЗЧИННИК) ТРАВИЛЬНИМИ КОМПОЗИЦІЯМИ

02.00.21 - хімія твердого тіла

АВТОРЕФЕРАТ

дисертації на здобуття наукового ступеня

кандидата хімічних наук

ДЕНИСЮК РОМАН ОЛЕКСАНДРОВИЧ

Івано-Франківськ - 2010



Дисертацією є рукопис.

Робота виконана на кафедрі хімії Житомирського державного університету імені Івана Франка.

Науковий керівник: доктор хімічних наук, професор Томашик Василь Миколайович, вчений секретар Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.

Офіційні опоненти: доктор хімічних наук, професор Фреїк Дмитро Михайлович, завідувач кафедри фізики і хімії твердого тіла Прикарпатського національного університету ім. Василя Стефаника;

доктор хімічних наук, професор Судавцова Валентина Савеліївна, професор кафедри фізичної хімії Київського національного університету ім. Тараса Шевченка.

Захист дисертації відбудеться “26” лютого 2010 р. об 11⁰⁰ год. годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 20.051.03 у Прикарпатському національному університеті імені Василя Стефаника за адресою: 76025, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, 79.

З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника (76025, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, 79).

Автореферат розісланий “20” січня 2010 р.

Вчений секретар

спеціалізованої вченої ради В.М. Кланічка



АНОТАЦІЯ

Денисюк Р.О. Взаємодія твердих розчинів Сd_1-xМn_xТe з іодвмісними (І₂-метанол, І₂-диметилформамід) та іодвиділяючими (Н₂О₂-НІ-розчинник) травильними композиціями. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата хімічних наук за спеціальністю 02.00.21 - хімія твердого тіла. - Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника. - Івано-Франківськ, 2010.

Робота присвячена експериментальному дослідженню хімічної взаємодії CdTe і твердих розчинів Сd_1-xМn_xТe з іодвмісними (І₂ - метанол, І₂ - диметилформамід) та іодвиділяючими (Н₂О₂ - НІ - розчинник) травильними композиціями і розробці на основі отриманих результатів травників та методик і режимів полірування поверхні вказаних напівпровідників. Досліджено кінетичні особливості розчинення CdTe і Сd_1-xМn_xТe в іодвмісних сумішах І₂ - СН₃ОН, І₂ - ДМФА, І₂ - НІ та іодвиділяючих композиціях шести потрійних систем: 46%-ний Н₂О₂ - НІ - оксалатна кислота, 46 %- та 30 %-на Н₂О₂ - НІ - тартратна кислота, 30 %-на Н₂О₂ - НІ - лактатна кислота і 46 %- та 30 %-на Н₂О₂ - НІ - цитратна кислота. Використовуючи математичне планування експерименту, побудовано 24 поверхні однакових швидкостей розчинення СdТe та Сd_1-xМn_xТe в цих іодвиділяючих сумішах і встановлено межі існування поліруючих, селективних і неполіруючих розчинів в кожній досліджуваній системі. кислота іодвмісний розчинення

Встановлено вплив органічних кислот (оксалатна, тартратна, лактатна і цитратна кислота) та концентрації Н₂О₂ на швидкість розчинення і поліруючі властивості травильних композицій. Визначено, що із збільшенням вмісту мангану в складі твердих розчинів Сd_1-xМn_xТe швидкість розчинення кристалу збільшується і зростають концентраційні межі травників, що володіють поліруючими властивостями. За результатами експериментальних вимірювань електродних потенціалів процесів саморозчиненя досліджуваних напівпровідників в поліруючих травильних композиціях та залежності їх від часу травлення встановлені електрохімічні перетворення, що відбуваються при поліруванні кристалів. Побудовано залежності швидкостей ХМП від розведення базових поліруючих травників систем Н₂О₂ - НІ - органічна кислота в'язкими розчинниками, визначено вплив їх природи на поліруючі властивості травильних композицій та якість поверхні кристалів Cd_1-xMn_xTe. На основі експериментальних даних оптимізовано склади травильних розчинів, розроблено режими та способи обробки поверхонь монокристалів напівпровідників Cd_1-xMn_xTe для формування якісної полірованої поверхні з шорсткістю, яка не перевищує 0,05 мкм.

Ключові слова: хімічне травлення, тверді розчини, поверхня, полірування, травильні композиції, іодвмісні і іодвиділяючі травники.



АННОТАЦИЯ

Денисюк Р.О. Взаимодействие твердых растворов Сd_1-xМn_xТe с иодсодержащими (І₂-метанол, І₂-диметилформамид) и иодвыделяющими (Н₂О₂-НІ-растворитель) травильными композициями. - Рукопись.

Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук по специальности 02.00.21 - химия твердого тела. - Прикарпатский национальный университет им. Василя Стефаника. - Ивано-Франковск, 2010.

Работа посвящена экспериментальному исследованию химического взаимодействия CdTe и твердых растворов Сd_1-xМn_xТe с иодсодержащими (І₂ - метанол, І₂ - диметилформамид) и иодвыделяющими (Н₂О₂ - НІ - растворитель) травильными композициями, а также разработке на базе полученных результатов травителей, методик и режимов полирования поверхности указанных полупроводников. Исследованы кинетические особенности растворения монокристаллов CdTe и Сd_1-xМn_xТe в иодсодержащих смесях І₂ - СН₃ОН, І₂ - ДМФА, І₂ - НІ и иодвыделяющих композициях шести систем: 46%-ная Н₂О₂ - НІ - щавелевая кислота, 46%- та 30%-ная Н₂О₂ - НІ - винная кислота, 30%-ная Н₂О₂ - НІ - молочная кислота и 46%- и 30%-ная Н₂О₂ - НІ - лимонная кислота. С использованием метода математического планирования эксперимента построены 24 поверхности одинаковых скоростей травления указанных материалов в исследованных иодвыделяющих смесях и установлены границы областей полирующих, селективных и неполирующих травителей в каждой системе.

Из анализа зависимостей скорости травления от температуры установлено существование компенсационной зависимости в кинетике химического растворения CdTe и Сd_1-xМn_xТe в растворах исследуемых систем.

Выявлено влияние природы органических кислот (щавелевая, винная, молочная и лимонная кислоты) и исходной концентрации Н₂О₂ на скорость растворения и полирующие свойства травильных композиций. Установлено, что при увеличении содержания марганца в составе твердого раствора Сd_1-xМn_xТe скорость растворения кристалла возрастает и увеличиваются концентрационные области полирующих растворов. По результатам экспериментальных измерений электродных потенциалов процессов саморастворения исследованных полупроводников в полирующих травильных композициях и зависимости их от времени травления сделано предположение об электрохимических превращениях, которые происходят во время полирования кристаллов. Построены зависимости скоростей химико-механического полирования от разбавления базовых полирующих травителей систем Н₂О₂ - НІ - органическая кислота вязкими растворителями, определено влияние их природы на полирующие свойства травильных композиций и качество полированных поверхностей монокристаллов Cd_1-xMn_xTe. На основе экспериментальных данных оптимизированы составы полирующих травителей, разработаны режимы и способы химической полировки полупроводниковых твердых растворов Cd_1-xMn_xTe для формирования качественной полированной поверхности с шероховатостью, которая, не превышает 0,05 мкм.

Ключевые слова: химическое травление, твердые растворы, поверхность, полирование, травильные композиции, иодсодержащие и иодвыделяющие растворы.



SUMMARY

Denysyuk R.O. The interaction of Cd_1-xMn_xTe solid solutions with iodine-containing (I₂ - methanol, I₂ - dimethyl formamide) and iodine-evolving (H₂O₂ - HI - solvent) etching compositions. - Manuscript.

Thesis for a Candidate of chemical sciences degree in speciality 02.00.21 - Solid State Chemistry. - V. Stefanyk Prekarpathian National University. - Ivano-Frankivsk, 2010.

Thesis is devoted to experimental investigation of chemical interaction of Cd_1-xMn_xTe solid solutions with iodine-containing (I₂ - methanol, I₂ - dimethyl formamide) and iodine-evolving (H₂O₂ - HI - solvent) etching compositions resulting in development of etchants, methods and conditions of these semiconductors surface polishing. Kinetic peculiarities of CdTe and Cd_1-xMn_xTe dissolution in iodine-containing mixtures: I₂-CH₃OH, I₂-DMFA, I₂-HI and iodine-evolving of six ternary systems: 46% H₂O₂ - HI - oxalic acid, 46% (30%) H₂O₂ - HI - tartaric acid, 30% H₂O₂ - HI - lactic acid and 46% (30%) H₂O₂ - HI - citric acid. Using mathematical planning of experiment 24 surfaces of equal etching rate of CdTe and Cd_1-xMn_xTe in mentioned above iodine-evolving mixtures were constructed, and polishing, selective and non-polishing solutions in every investigated system were established.

The influence of organic acids (oxalic, tartaric, lactic and citric) and H₂O₂ concentrations on dissolution rate and etching compositions polishing properties is registered. It is established that on increase of Mn content in Cd_1-xMn_xTe solid solution the rate of crystal dissolution increases as well as concentration areas of polishing solutions. Electrochemical transformations in the process of crystal polishing are established as a result of experimental electrode potentials measurements of the semiconductors self dissolutions processes in polishing etching compositions and their potentials dependence on etching time. The dependence of chemical and mechanical polishing rate on basic polishing H₂O₂ - HI - organic acid etchants dissolutions with viscous solvents is depicted. The influence of their nature on etching compositions polishing properties and the quality of Cd_1-xMn_xTe crystal surface is established. Using experimental data, the compositions of etching solutions are optimized, the conditions and Cd_1-xMn_xTe semiconductor surface processing to form polished surface of high quality with roughness not more then 0.05 microns are worked out.

Key words: chemical etching, solid solutions, surface, polishing, etchant compositions, iodine-containing and iodine-evolving etchants.



ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Актуальність теми. Сучасна напівпровідникова техніка невід'ємно пов'язана з попередньою обробкою напівпровідникових матеріалів. Отримання досконалих за атомною структурою, геометричною точністю та заданою шорсткістю напівпровідникових пластин дає можливість виробляти надійні деталі приладів з заданими властивостями, створювати високоякісні поверхні напівпровідникових підкладок. Для отримання такої поверхні найчастіше використовують методи хіміко-динамічного (ХДП) та хіміко-механічного (ХМП) полірування, які вимагають розробки та пошуку технологічних прийомів, що дозволять контролювати процеси обробки напівпровідникових матеріалів. Напівпровідники типу A^IIB^VI, зокрема CdTe та тверді розчини на його основі, перспективні для виготовлення детекторів рентгенівського та -випромінювання, найбільш широко використовуються для робочих елементів приладів, що працюють у ІЧ-області спектру. В той же час ведуться роботи з вивчення властивостей кристалів твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe як розбавлених магнітних напівпровідників і можливостей їх широкого використання в техніці. Проте в літературі майже відсутні комплексні роботи з хімічної обробки монокристалів та плівок Cd_1-xMn_xTe, а зустрічаються лише фрагментарні дані.

Хімічне полірування кадмій телуриду та твердих розчинів на його основі проводиться переважно бромвмісними травниками, хоча вони мають ряд недоліків, серед яких високі швидкості травлення, токсичність, не універсальність. Попередні дослідження та аналіз складів травильних композицій показали перспективність розробки іодвмісних та іодвиділяючих розчинів для різних етапів хімічної обробки монокристалів CdTe та твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe, що володіють низькими швидкостями травлення і добрими поліруючими властивостями. Тому необхідно було детальніше вивчити процеси хімічного розчинення цих напівпровідникових матеріалів у вказаних травниках.

Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Експериментальні дослідження проводились на кафедрі хімії Житомирського державного університету імені Івана Франка згідно з тематикою та планами наукових досліджень Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, зокрема за держбюджетними темами: “Комплексні дослідження електронних явищ в матеріалах та структурах інфрачервоної фотоелектроніки” (2002-2006 рр., № держреєстрації 0102U001678), „Механізми впливу технології отримання і зовнішніх факторів на властивості напівпровідникових структур і функціональних елементів сенсорних систем на їх основі” (2003-2005 рр., № держреєстрації 0103U000364), „Створення електронної бази для інфрачервоної мікроелектроніки” (2005-2007 рр., № держреєстрації 0105U000997), “Фізичні і фізико-технологічні аспекти створення і характеризації напівпровідникових матеріалів і функціональних структур сучасної електроніки” (2007-2011 рр., № держреєстрації 0107U00225), одним з виконавців якої був автор дисертаційної роботи в рамках договору про науково-технічне та науково-педагогічне співробітництво Житомирського державного університету ім. Івана Франка та Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.

Метою дисертаційної роботи є встановлення характеру фізико-хімічної взаємодії монокристалів CdTe та твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe з іодвмісними (І₂ - метанол, І₂ - ДМФА) та іодвиділяючими водними розчинами H₂O₂ - HІ - органічна кислота, визначення концентраційних меж травильних композицій за характером їх дії на поверхню напівпровідника та швидкості розчинення вказаних матеріалів, розробка і оптимізація складів поліруючих травильних композицій і створення методик та режимів обробки напівпровідників розробленими травниками з метою отримання високоякісної поверхні кристалів.

Об'єкт дослідження - рідкофазне травлення напівпровідникових сполук типу А^IIB^VI іодвмісними та іодвиділяючими травильними композиціями на основі гідроген пероксиду різної концентрації.

Предмет дослідження - взаємодія поверхні монокристалів CdTe і твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe з розчинами І₂ - розчинник та Н₂О₂ - НІ - органічна кислота.

Досягнення поставленої мети відбувалося відповідними методами дослідження для розв'язання наступних задач:

- дослідити фізико-хімічні закономірності взаємодії монокристалів CdTe та твердих розчинів Cd_0,96Mn_0,04Te, Cd_0,8Mn_0,2Te, Cd_0,7Mn_0,3Te, Cd_0,57Mn_0,43Te і Cd_0,5Mn_0,5Te з іодвмісними розчинами І₂ - розчинник та іодвиділяючими розчинами Н₂О₂ - НІ - органічна кислота, використовуючи метод диску, що обертається;

- побудувати залежності „склад розчину - швидкість травлення” для CdTe та Cd_1-xMn_xTe із застосуванням методу математичного планування експерименту на симплексах (метод симплексних граток Шеффе) та визначити концентраційні межі поліруючих, селективних і неполіруючих травників в досліджуваних розчинах;

- визначити вплив гідродинамічних умов (швидкості обертання диску та температури) на якість полірованої поверхні та характер взаємодії розроблених травників з досліджуваними напівпровідниками за допомогою установки для ХДП, в якій реалізуються гідродинамічні умови диску, що обертається;

- дослідити стан поверхні досліджуваних напівпровідникових сполук після хімічної обробки іодвмісними та іодвиділяючими травильними композиціями методами металографічного та профілографічного аналізів;

- встановити потенціали саморозчинення електродів з CdTe та твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe в поліруючих травниках методом вимірювання електродних потенціалів і побудувати їх часові залежності;

- оптимізувати склади досліджуваних травильних композицій і розробити методики та режими для хімічної обробки (ХДП та ХМП) поверхонь CdTe і твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe.

Наукова новизна одержаних результатів:

1. Вперше досліджено швидкість і механізм розчинення твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe в іодвмісних І₂ - розчинник (СН₃ОН, ДМФА та НІ) та іодвиділяючих травильних композиціях Н₂О₂ - НІ - органічна кислота (оксалатна, тартратна, лактатна та цитратна кислота) з використанням 46- та 30-ти % Н₂О₂ методом диску, що обертається. Побудовано поверхні однакових швидкостей травлення досліджуваних матеріалів і встановлено області поліруючих, селективних та неполіруючих розчинів.

2. Визначено вплив концентрацій іоду і окисника, а також природи розчинника на швидкості травлення і якість отриманої поверхні кристалів та оптимізовано склади травильних композицій і режими хімічного полірування CdTe і Cd_1-xMn_xTe.

3. Вперше встановлено, що при підвищенні вмісту мангану в складі твердого розчину Cd_1-xMn_xTe збільшуються області поліруючих сумішей, а швидкість травлення незначно зростає.

4. Встановлено існування компенсаційної залежності в кінетиці хімічного розчинення твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe іодвмісними та іодвиділяючими травильними композиціями на основі водних розчинів Н₂О₂ - НІ.

5. Побудовано залежності швидкостей ХМП від розведення базових поліруючих травників Н₂О₂ - НІ - органічна кислота в'язкими розчинниками, визначено вплив їх природи на поліруючі властивості та якість поверхні кристалів Cd_1-xMn_xTe.

6. За результатами експериментальних вимірювань електродних потенціалів процесів саморозчиненя досліджуваних напівпровідників в поліруючих травильних композиціях та залежності їх від часу травлення висловлено припущення про електрохімічні перетворення, що відбуваються при поліруванні кристалів.

Практичне значення одержаних результатів:

1. Встановлено концентраційні інтервали іодвмісних (І₂ - розчинник) та іодвиділяючих (Н₂О₂ - НІ - органічна кислота) розчинів, які можуть бути використані для хімічного полірування CdTe і твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe.

2. Оптимізовано склади поліруючих розчинів з широким спектром швидкостей полірування, вперше для ХДП та ХМП Cd_1-xMn_xTe використано іодвмісні та іодвиділяючі травильні суміші на основі водних розчинів системи Н₂О₂ - НІ, що володіють низькими швидкостями та високою поліруючою здатністю.

3. Розроблено методики та режими ХДП і ХМП поверхонь монокристалів твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe для виготовлення робочих елементів напівпровідникових приладів, які успішно використовуються в науково-дослідницькій практиці в наукових лабораторіях ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.

Особистий внесок здобувача. Здобувач самостійно під безпосереднім керівництвом к.х.н. З.Ф. Томашик та к.х.н. О.С. Чернюка згідно з вказівками наукового керівника систематизував та проаналізував літературні дані з проблем хімічного травлення монокристалів CdTe і твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe. Ним проведено експериментальні дослідження, а саме: визначення концентраційних залежностей швидкостей травлення досліджуваних кристалів, встановлення кінетичних закономірностей процесів розчинення, розмежування концентраційних областей поліруючих, селективних та неполіруючих травників, вивчення стану поверхні, а також встановлення існування компенсаційної залежності в кінетиці хімічного розчинення Cd_1-xMn_xTe. Вимірювання електродних потенціалів саморозчинення електродів досліджуваних матеріалів в поліруючих травниках здійснено спільно з к.х.н. В.І. Грицівим. Монокристали CdTe і Cd_1-xMn_xTe для проведення досліджень вирощено на фізичному факультеті Чернівецького національного університету ім. Юрія Федьковича проф. І.М. Раренко. Мікроструктурні і профілографічні дослідження поверхні після хімічної обробки проведено спільно з проф. П. Моравцем та н.с. Г.М. Окрепкою в Інституті фізики при Карловому університеті (м. Прага). Постановка задач, планування експериментів, обговорення результатів досліджень, їх інтерпретація та формулювання висновків проведено спільно з к.х.н. З.Ф. Томашик та науковим керівником.

Апробація результатів дисертації. Основні результати роботи доповідалися та обговорювалися на наступних конференціях: 1) ІІ Науково-технічна конференція з міжнародною участю “Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології” (МЕТІТ-2). Кременчук (Україна), 2006; 2) VII Всеукраїнська конференція студентів і аспірантів “Сучасні проблеми хімії”. Київ (Україна), 2006; 3) XI наукова конференція “Львівські хімічні читання - 2007”. Львів (Україна), 2007; 4) ІІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (УНКФН - 3). Одеса (Україна), 2007; 5) ІІІ Міжнародна науково-практична конференція “Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології” (МЕТІТ-3). Кременчук (Україна), 2008; 6) 3-тя Міжнародна науково-технічна конференція “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології” (СЕМСТ-3). Одеса (Україна), 2008; 7) ХVIІ Українська конференція з неорганічної хімії за участю закордонних вчених. Львів (Україна), 2008; 8) ХІІ Міжнародна наукова конференція “Фізика і технологія тонких плівок та наносистем” (МКФТТПН-ХІІ). Івано-Франківськ (Україна), 2009; 9) ХІІ Наукова конференція “Львівські хімічні читання - 2009”. Львів (Україна), 2009; 10) IV Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. Запоріжжя (Україна), 2009.

Публікації. За матеріалами дисертації опубліковано 6 статей у наукових журналах і 10 тезів доповідей у матеріалах наукових конференцій.

Структура та обсяг роботи. Дисертаційна робота викладена на 161 сторінці, складається з вступу, п'яти розділів, висновків, списку використаних джерел (117 найменувань), містить 80 рисунків та 7 таблиць.



ОСНОВНИЙ ЗМІСТ

У вступі обґрунтовується актуальність теми, сформульовано мету і завдання роботи, визначено об'єкт та предмет дослідження, вказана наукова новизна, практичне значення одержаних результатів, особистий внесок здобувача, відомості про апробацію роботи, кількість публікацій та структуру дисертації.

У першому розділі представлено літературні дані про характер фізико-хімічної взаємодії галогенвмісних та галогенвиділяючих травильних композицій з напівпровідниковими сполуками типу А^IIB^VI. Наведено фазову діаграму системи CdTe-MnTe, діаграму Пурбе та особливості фізичних властивостей твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe. Узагальнено теоретичні та експериментальні роботи, присвячені розробці та використанню травильних композицій для різних хімічних обробок поверхні напівпровідників. Велику увагу приділено стану поверхні CdTe та твердих розчинів на його основі після ХДП та ХМП. Встановлено, що в літературі відсутні комплексні роботи з дослідження процесу хімічного травлення твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe і майже не використовуються для цього водні розчини на основі системи Н₂О₂-НІ.

У другому розділі представлені методики експериментальних досліджень, способи і умови підготовки вихідних матеріалів та речовин перед проведенням експериментів, характеристики цих матеріалів. Кінетичні закономірності, механізми травлення, лімітуючі процеси та умови ХДП визначали за методикою диску, що обертається. Діаграми „склад розчину - швидкість травлення” (концентраційні залежності) будували з використанням методу симплексних ґраток Шеффе. Перевірку адекватності моделі проводили, порівнюючи розраховане значення t-критерію (критерію Стьюдента) за експериментальними даними з його табличними значеннями. Графічні залежності швидкості травлення від швидкості обертання диску в координатах v -¹ ~ г -^1/2 (v -¹ = 1/kC₀ + a/DC₀ -^1/2) та залежності швидкості розчинення від температури ln v ~ 1/T (v = C_Ee-^Ea/RT) дозволили визначити механізм процесу розчинення та значення уявної енергії активації процесу (Е_а). Травильні суміші готували, дотримуючись встановленого порядку та умов змішування речовин, і витримували протягом 1-2 годин для встановлення рівноваги. Швидкості травлення визначали за різницею товщини кристалу до і після розчинення за допомогою годинникового індикатора 1 МИГП з точністю ± 0.5 мкм. Мікроструктуру CdTe та Cd_1-xMn_xTe досліджували на універсальному контрольному мікроскопі ZEISS JENATECH-inspection з відеокамерою при збільшенні від 25 до 1600 та Leitz/laborlux 12HL з відеокамерою Leica DFC 3200 при збільшені 50ч1500. Максимальний діаметр поля зору становив 200-250 мм. Шорсткість полірованої поверхні визначали за допомогою профілометрa ДЕКТАК 3030 auto IІ та безконтактного оптичного тривимірного поверхневого профілографу „NewView 5022S”, який дозволяє вимірювати мікронерівності висотою від 1 нм.

Третій розділ містить результати експериментальних досліджень хімічної взаємодії CdTe та твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe з іодвмісними з розчинами систем І₂ - розчинник, де розчинниками були СН₃ОН, диметилформамід (ДМФА) та НІ. Досліджено концентраційні (рис. 1) і температурні залежності швидкості травлення CdTe, Cd_0,96Mn_0,04Te, Cd_0,8Mn_0,2Te, Cd_0,7Mn_0,3Te і Cd_0,5Mn_0,5Te та її залежності від швидкості обертання диску і вмісту мангану в складі твердого розчину. Показано, що швидкості травлення досліджуваних напівпровідників в цих системах знаходяться в межах 1,5-16,5 мкм/хв, і визначено, що в усіх випадках збільшення вмісту іоду в розчиннику призводить до збільшення швидкості розчинення CdTe та твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe.

Встановлено лімітуючі стадії процесу полірування в травниках І₂ - розчинник, який відбувається за змішаним механізмом з переважанням дифузійних стадій. З'ясовано вплив розчинника на характер взаємодії досліджуваних матеріалів і показано, що швидкість травлення зростає при заміні розчинників в такій послідовності: метанол ? диметилформамід ? іодидна кислота. Виявлено, що в усіх випадках швидкість розчинення зростає, а якість полірованої поверхні покращується при збільшені вмісту мангану в складі твердого розчину Cd_1-xMn_xTe. Спостерігається також збільшення діапазону розчинів, які мають поліруючі властивості, із збільшенням вмісту мангану в зразках Cd_1-xMn_xTe.

Встановлено, що для всіх досліджених напівпровідників найменший діапазон травильних композицій з поліруючими властивостями спостерігається в системі І₂ - ДМФА (9-12 мас.% І₂, швидкість полірування 5,0-7,2 мкм/хв), дещо більша область поліруючих розчинів існує в системі І₂ - СН₃ОН (8-15 мас.% І₂ і швидкість полірування 1,9-5,0 мкм/хв), а найкращими поліруючими властивостями володіють травники системи І₂ - НІ, в якій всі досліджувані суміші є поліруючими із швидкостями травлення 11,0-16,5 мкм/хв.

У четвертому розділі описано результати вивчення фізико-хімічної взаємодії CdTe та твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe з іодвиділяючими (Н₂О₂ - НІ - розчинник) травильними композиціями. Як розчинник використано водні розчини оксалатної (С₂Н₂О₄), тартратної (С₄Н₄О₆), лактатної (С₃Н₆О₃) та цитратної (С₆Н₈О₇) кислот. Досліджено концентраційні і температурні залежності та залежності швидкості розчинення вказаних напівпровідників від швидкості обертання диску.

В водних розчинах системи Н₂О₂ - НІ окисником виступає вільний іод, який утворюється в результаті реакції:

Н₂О₂ + 2НІ = І₂ + 2Н₂О

Для досліджень використовували 46 %-й та 30 %-й Н₂О₂, що дозволило визначити вплив розведення окисника НІ на якість отриманої поверхні напівпровідника і розширити межі поліруючих розчинів, придатних для полірування твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe. Виявлено, що використання більш концентрованого розчину 46 %-ого Н₂О₂ зменшує область травильних композицій, придатних для обробки поверхні досліджуваних кристалів (1-5 об. % Н₂О₂), а для пергідролю ця область є більшою (2-10 об. %). Встановлено, що для всіх досліджуваних матеріалів максимальна швидкість травлення становить 13-16 мкм/хв в розчинах збагачених іодидною кислотою. Збільшення концентрації Н₂О₂ в складі розчинів призводить до пасивації поверхні напівпровідника та погіршення її якості.

Система 46%-й Н₂О₂ - НІ - С₂Н₂О₄. В цих травниках швидкості травлення для твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe мають значення (1-12 мкм/хв), тобто дещо менші за швидкість розчинення кадмій телуриду (1-14 мкм/хв), але в усіх випадках більшість травильних композицій дослідженого трикутника формують на поверхні зразків круглі ямки травлення або пасивують її, утворюючи сірий наліт. Для полірування придатні розчини, які містять 1-2 об. % Н₂О₂ та до 10 об. % оксалатної кислоти в іодидній (при швидкості травлення 5-14 мкм/хв).

Система Н₂О₂ - НІ - С₄Н₄О₆. У порівнянні з оксалатною кислотою використання тартратної кислоти як органічного компонента збільшує область розчинів, придатних для полірування досліджуваних зразків (рис. 2) і її концентрація може сягати 15 об. % (у випадку використання 46 %-ого Н₂О₂). Встановлено, що із збільшенням вмісту мангану в складі Cd_1-xMn_xTe область поліруючих розчинів збільшується, а якість отриманої після цього поверхні покращується (рис. 2). Розведення гідроген пероксиду до 30 % збільшує також концентраційний діапазон розчинів, які можуть бути використані для полірування цих напівпровідників, а швидкість розчинення в травниках системи 30 %-ний Н₂О₂ - НІ - С₄Н₄О₆ залишається майже такою ж, як в попередній - 1-15 мкм/хв (рис. 3). Найбільшими швидкостями розчинення характеризуються травильні суміші, збагачені НІ. Використовуючи один з поліруючих розчинів системи (30 %-ний Н₂О₂ - НІ - С₄Н₄О₆) встановлено, що процес розчинення монокристалів в цих поліруючих травниках відбувається за дифузійним механізмом.

Система Н₂О₂ - НІ - С₃Н₆О₃. Швидкості розчинення кристалів всіх складів твердих розчинів Cd_1-хMn_хTe травильними композиціями 30 %-ний Н₂О₂ - НІ - лактатна кислота майже однакові (2-15 мкм/хв) для всіх складів твердого розчину, але із збільшенням вмісту Mn збільшується діапазон розчинів з поліруючими властивостями (рис. 4), що може бути пов'язано з його більшою реакційною здатністю у порівнянні з Cd. Понад 75 % досліджуваного інтервалу цих розчинів можуть бути використані для полірування CdTe та твердих розчинів Cd_1-хMn_хTe (на відміну від розчинів, що містять понад 8 об. % пергідролю, де формуються селективні та неполіруючі травники). Підвищення вмісту Н₂О₂ та лактатної кислоти в складі травника сповільнює швидкість травлення досліджуваних матеріалів. Із залежностей швидкостей розчинення від швидкості обертання диску та температури встановлено, що процес полірування кристалів обмежується дифузійними стадіями процесу.

Система Н₂О₂ - НІ - С₆Н₈О₇. Фізико-хімічну взаємодію Cd_1-хMn_хTe та CdTe з розчинами Н₂О₂ - НІ - С₆Н₈О₇ вивчали використовуючи гідроген пероксид двох концентрацій (46 %- та 30 %-й). Зменшення концентрації окисника збільшує концентраційні межі розчинів, придатних для полірування цих напівпровідників (рис. 5), але швидкості травлення залишаються майже незмінні (1-16 мкм/хв).

Як і в попередніх системах, збільшення концентрації органічного компоненту в сумішах Н₂О₂ - НІ - С₆Н₈О₇ сповільнює швидкість розчинення кристалів А^ІІВ^VI.

Проте на відміну від попереднього випадку, розчини з найбільшим вмістом цитратної кислоти формують селективні травильні композиції. Найкращими поліруючими властивостями володіють травильні суміші з високим вмістом іодидної кислоти. Встановлено, що заміна Cd на Mn в складі Cd_1-хMn_хTe збільшує концентраційний інтервал поліруючих травників, при цьому покращується і якість полірованої поверхні напівпровідників.

У п'ятому розділі узагальнено особливості хімічної взаємодії монокристалів CdTe, Cd_0,96Mn_0,04Te, Cd_0,8Mn_0,2Te, Cd_0,7Mn_0,3Te, Cd_0,57Mn_0,43Te та Cd_0,5Mn_0,5Te з іодвмісними та іодвиділяючими розчинами Н₂О₂ - НІ - розчинник. Встановлено, що в межах однієї системи Н₂О₂ - НІ - розчинник спостерігається збільшення діапазону поліруючих композицій для ХДП із підвищенням вмісту мангану в твердому розчині та заміні органічних кислот в травниках в ряду:

оксалатна тартратна лактатна цитратна кислота

Підтверджено існування компенсаційної залежності в кінетиці хімічного розчинення CdTe та твердих розчинів Cd_1-хMn_хTe вказаними поліруючими травниками, яка описується загальним рівнянням:

ln C_E = (1,433 0,029) + (0,408 0,002) Е_а.

Проведені електрохімічні дослідження процесів саморозчинення досліджуваних напівпровідників у поліруючих травильних композиціях (рис. 6), дали можливість зробити припущення про перетворення, що відбуваються при розчиненні.

Ймовірно, процес розчинення відбувається за наступними реакціями:

CdTe + І₂ > CdІ₂ +Te⁴⁺ + 4e^?

Cd_1-xMn_xTe + І₂ > (1-x)CdІ₂ + xMnI₂ + Te⁴⁺ + 4e^?

Пасивація ж поверхні телуром може відбуватись внаслідок відновлення Te⁴⁺:

Те⁴⁺ + 4е^? > Те⁰

Збільшення концентрації мангану в складі твердого розчину збільшує потенціал саморозчинення напівпровідника, що може зумовлювати збільшення концентраційних меж поліруючих травників у всіх досліджуваних системах.

Для формування полірованої поверхні з ідеальною площинністю розроблено серію травників для ХМП досліджуваних матеріалів. Для цього серед поліруючих композицій систем Н₂О₂ - НІ - лактатна кислота та Н₂О₂ - НІ - цитратна кислота (рис. 4 і 5) було вибрано по одному поліруючому розчину (базовий розчин - БР), в який додатково вводили певну кількість різних розчинників з метою досягнення найменших швидкостей видалення матеріалу з поверхні Cd_1-хMn_хTe при збереженні полірувального ефекту. Для досліджень використано БР системи Н₂О₂ - НІ - цитратна кислота, що має швидкість ХДП 8-10 мкм/хв та Н₂О₂ - НІ - лактатна кислота (v = 4-6 мкм/хв). За рахунок механічної складової швидкість полірування базовим травником при ХМП більша в порівнянні з ХДП приблизно в 5-8 разів для травників системи Н₂О₂ - НІ - цитратна кислота та в 7-10 разів для розчинів Н₂О₂ - НІ - лактатна кислота. Як розчинник використовували в'язкі органічні компоненти: 80 %-у лактатну кислоту, етиленгліколь та гліцерин. При розведені базового розчину Н₂О₂ - НІ - цитратна кислота швидкості полірування ХМП для CdTe та твердих розчинів Cd_1-хMn_хTe зменшувались від 55 до 0,5 мкм/хв (рис. 7), а при розведенні травника Н₂О₂ - НІ - лактатна кислота - від 41 до 0,5 мкм/хв. Встановлено, що при збільшенні в'язкості розчинника якість полірованої поверхні Cd_1-хMn_хTe покращується в ряду: лактатна кислота - етиленгліколь - гліцерин.

За даними мікроструктурного і профілографічного аналізів (рис. 8) поверхонь кристалів CdTe і Cd_0,5Mn_0,5Te після ХМП з використанням травильної композиції H₂O₂-HI-цитратна кислота, розведеної лактатною кислотою у співвідношенні 1 : 4, встановлено, що параметри шорсткості відповідають вимогам для підготовки якісної поверхні напівпровідникових матеріалів.

Оптимізовані склади травильних композицій, які можна використовувати для ХДП та ХМП монокристалів Cd_1-хMn_хTe, обрано з поверхонь однакових швидкостей травлення і залежностей швидкостей ХМП від розведення поліруючих базових розчинів різними розчинниками та за результатами металографічного і профілографічного аналізів. Режими проведення процесів ХДП визначено за даними кінетичних досліджень. Розроблено методики приготування травильних композицій для ХДП і ХМП (з урахуванням порядку змішування компонентів травників), проведення операцій одно- та двостадійного процесів полірування, міжопераційної очистки пластин, а також фінішної відмивки полірованих поверхонь та їх зберігання упродовж тривалого часу.



ВИСНОВКИ

1. Вперше визначено характер та швидкість фізико-хімічної взаємодії монокристалів твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe з іодвмісними (I₂ - CH₃OH, I₂ - ДМФА, І₂ - НІ) та іодвиділяючими (Н₂О₂ - НІ - розчинник) травильними композиціями, побудовано діаграми „склад травника - швидкість травлення” і встановлено концентраційні межі поліруючих, селективних та неполіруючих розчинів.

2. Встановлено вплив різних розчинників в складі іодвиділяючих водних розчинів систем Н₂О₂ - НІ - розчинник на процес хімічного травлення CdTe та твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe. Визначено, що при поступовій заміні розчинника в ряду органічних кислот „оксалатна тартратна лактатна цитратна” збільшуються області поліруючих травильних композицій та покращуються їх полірувальні властивості.

3. Показано, що застосування Н₂О₂ як окисника в складі іодвиділяючих розчинів сприяє формуванню травників з широким діапазоном швидкостей хіміко-динамічного (1-16 мкм/хв) та хіміко-механічного полірування (0,3-55 мкм/хв), при цьому використання 30%-го Н₂О₂ покращує якість поверхні і збільшує концентраційні межі полірувальних травильних композицій порівняно з більш концентрованим вихідним Н₂О₂.

4. Виявлено вплив складу твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe на швидкість і характер їх розчинення в іодвмісних та іодвиділяючих травниках. Показано, що із збільшенням вмісту мангану від 4 до 50 ат. % спостерігається незначне прискорення швидкостей травлення і розширення концентраційних меж розчинів з полірувальними властивостями.

5. На основі електрохімічних досліджень встановлено, що процес травлення твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe в кислому середовищі відбувається з утворенням іонів Cd²⁺, Mn²⁺ і обмежується утворенням шару елементарного телуру на поверхні напівпровідника, внаслідок чого спостерігається часткова пасивація поверхні.

6. Встановлено існування компенсаційної залежності в кінетиці хімічного полірування кадмій телуриду і твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe іодвмісними (I₂ - CH₃OH, I₂ - ДМФА, І₂ - НІ) та іодвиділяючими (Н₂О₂ - НІ - розчинник) травильними композиціями.

7. Визначено вплив розведення базових поліруючих травників органічними розчинниками на швидкість ХМП та якість полірованих поверхонь кристалів. Швидкість травлення зменшується при заміні органічного розчинника в послідовності: лактатна кислота - гліцерин - етиленгліколь, а якість отриманої поверхні після полірування покращується в ряду розчинників: лактатна кислота - етиленгліколь - гліцерин.

8. На основі отриманих експериментальних результатів розроблено серію іодвмісних та іодвиділяючих поліруючих травильних композицій, оптимізовано їх склади і технологічні режими ХДП та ХМП поверхні CdTe і твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe.



СПИСОК ОПУБЛІКОВАНИХ ПРАЦЬ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ

1. Томашик З.Ф. Хімічна взаємодія монокристалів Cd_1-xMn_xTe з розчинами йоду в диметилформаміді / З.Ф.Томашик, Р.О.Денисюк, В.М.Томашик, О.С.Чернюк, І.І.Гнатів, І.М.Раренко // Вопросы химии и хим. технологии. - 2008. - № 5. - С. 104-107.

Дисертантом визначено концентраційні межі поліруючих і неполіруючих розчинів системи І₂ - ДМФА для Cd_1-xMn_xTe.

2. Томашик З.Ф. Химическое травление монокристаллов твердых растворов Cd_1-xMn_xTe растворами иода в метаноле / З.Ф.Томашик, Р.А.Денисюк, В.Н.Томашик., А.С.Чернюк, И.М.Раренко // Журн. неорган. химии. - 2009. - Т. 54, № 6. - С. 945-949.

Дисертантом встановлено лімітуючі стадії процесу травлення Cd_1-xMn_xTe розчинами І₂ - метанол.

3. Денисюк Р.О. Хімічне розчинення монокристалів СdTe та твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe в травильних сумішах І₂ - НІ / Р.О.Денисюк, З.Ф.Томашик, О.С.Чернюк, В.М.Томашик., І.І.Гнатів // Фізика і хімія твердого тіла. - 2009. - Т. 10, № 1. - С. 134-137.

Дисертантом досліджено стан поверхні твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe після хіміко-динамічного полірування в травниках системи І₂ - НІ.

4. Denysyuk R.O. Chemical treatment of monocrystalline cadmium telluride and Cd_1-xMn_xTe solid solutions by H₂O₂ - HI - citratic acid etchant compositions / R.O.Denysyuk, V.M.Tomashik, Z.F.Tomashik, O.S.Chernyuk, V.I.Grytsiv // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2009. - V. 12, N.2. - P. 125-128.

Дисертантом експериментально досліджено травлення монокристалів Cd_1-xMn_xTe в розчинах системи H₂O₂ - HI - цитратна кислота.

5. Денисюк Р.А. Химико-динамческое полирование монокристаллов Cd_1-xMn_xTe травителями Н₂О₂ - НІ - винная кислота / Р.А.Денисюк, В.Н.Томашик, З.Ф.Томашик, А.С.Чернюк, В.И.Грыцив // Оптоэлектроника и полупроводн. техника. - 2009. - Вып. 44. - С. 80-83.

Дисертантом побудовано поверхні однакових швидкостей травлення Cd_1-xMn_xTe та визначено області поліруючих розчинів в системі H₂O₂ - HI - тартратна кислота.

6. Томашик З.Ф. Влияние концентрации пероксида водорода на травление монокристаллов Cd_1-xMn_xTe растворами Н₂О₂ - НІ - винная кислота / З.Ф.Томашик, Р.А.Денисюк, В.Н.Томашик, А.С.Чернюк, В.И.Грыцив, Л.И.Трищук // Химия, физика и технология поверхности. - 2009. - Вып. 15. - С. 43 - 50.

Дисертантом вивчено вплив розведення H₂O₂ на розмір областей поліруючих розчинів системи H₂O₂ - HI - тартратна кислота для монокристалів Cd_1-xMn_xTe.

7. Томашик З.Ф. Хіміко-динамічне полірування поверхні монокристалів твердих розчинів Cd_1-xМn_xTe йодвмісними травниками / З.Ф.Томашик, В.М.Томашик, Р.О.Денисюк, І.М.Раренко, О.С Чернюк, Н.В.Кусяк, В.І.Гриців // ІІ Наук.-техн. конф. “Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології”, 17-19 трав. 2006 р. : тези доп. - Кременчук, 2006. - С. 11.

Дисертантом встановлено межі поліруючих іодвмісних розчинів і режими ХДП.

8. Денисюк Р.О.Хіміко-динамічне полірування поверхні монокристалів СdTe травниками системи І₂ - НІ / Р.О.Денисюк, І.В.Янович // VII Всеукр. конф. студ. і аспірантів “Сучасні проблеми хімії”, 18-19 трав. 2006 р. тези доп. - К., 2006. - С. 20.

Дисертант провів процес ХДП та мікроструктурні дослідження поверхні.

9. Денисюк Роман Хіміко-динамічне полірування монокристалів твердих розчинів Сd_1-хMn_xTe розчинами І₂ в НІ / Роман Денисюк, Зінаїда Томашик, Олександр Чернюк, Ірина Янович, Василь Гриців // ХІ Наук. конф. “Львівські хімічні читання - 2007”, 30 трав. - 1 черв. 2007 р. : зб. наук. праць. - Львів, 2007. - С. Н 8.

Дисертантом досліджено температурну залежність швидкості травлення Cd_1-xMn_xTe.

10. Томашик В.М. Розробка методики полірування поверхні монокристалів твердих розчинів Cd_1-хMn_хTe сумішами І₂ в HІ / В.М.Томашик, З.Ф.Томашик, Р.О.Денисюк, О.С.Чернюк, І.М.Раренко // ІІІ Українська наук. конф. з фізики напівпровідників, 17-22 черв. 2007 р. : тези доп. - Одеса, 2007. - С. 439.

Дисертант оптимізував режими ХДП монокристалів Cd_1-xMn_xTe розчинами І₂ - НІ.

11. Денисюк Р.О. Взаємодія твердих розчинів Cd_1-хMn_хTe з розчинами потрійних систем Н₂О₂ - НІ - тартратна (оксалатна) кислота / Р.О.Денисюк, В.М.Томашик, З.Ф.Томашик, О.С.Чернюк, В.І.Гриців // ІІІ Міжнар. наук.-практ. конф. “Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології”, 21-23 трав. 2008 р. : тези доп. - Кременчук, 2008. - С. 169-170.

Дисертантом встановлена залежність швидкості травлення Cd_1-xMn_xTe від швидкості обертання диску в розчинах вказаних систем.

12. Денисюк Р.О. Формування полірованих поверхонь монокристалів твердих розчинів Cd_1-xМn_xTe іодвиділяючими сумішами на основі Н₂О₂ - НІ / Р.О.Денисюк, З.Ф.Томашик, В.М.Томашик, О.С.Чернюк, В.І.Гриців // 3-тя Міжнар. наук.-тех. конф. “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”, 2-6 черв. 2008 р. : тези доп. - Одеса, 2008. - С. 352.

Дисертант визначив області поліруючіх розчинів на основі Н₂О₂ - НІ для Cd_1-xMn_xTe.

13. Денисюк Р.О. Розчинення монокристалів твердих розчинів Cd_1-хMn_хTe травильними сумішами Н₂О₂ - НІ - цитратна кислота / Р.О.Денисюк, З.Ф.Томашик, О.С.Чернюк, В.М.Томашик, В.І.Гриців // ХVIІ Українська конф. з неорганічної хімії, 15-19 верес. 2008 р. : тези доп. - Львів, 2008. - С. 172.

Дисертант вивчив вплив концентрації розчинника на стан отриманої поверхні Cd_1-xMn_xTe.

14. Денисюк Р.О. Хіміко-динамічне розчинення твердих розчинів Cd_1-хMn_хTe травильними сумішами Н₂О₂ - НІ - лактатна кислота / Р.О.Денисюк, В.М.Томашик, З.Ф.Томашик, О.С.Чернюк, В.І.Гриців // ХІІ Міжнар. наук. конф. “Фізика і технологія тонких плівок та наносистем”, 18-23 трав. 2009 р. : матеріали конф. -Івано-Франківськ, 2009. - С. 163-165.

Дисертант встановив залежність швидкості травлення Cd_1-xMn_xTe від розведення лактатною кислотою розчинів Н₂О₂ - НІ.

15. Денисюк Р.О. Оптимізація хіміко-динамічного полірування твердих розчинів Cd_1-хMn_хTe іодвиділяючими травильними композиціями на основі Н₂О₂ - НІ / Р.О.Денисюк, В.М.Томашик, З.Ф.Томашик, О.С.Чернюк, В.І.Гриців // ХІІ Наук. конф. “Львівські хімічні читання - 2009”, 1-4 черв. 2009 р. : зб. наук. праць. - Львів, 2009. - С. У50.

Дисертант встановив існування компенсаційної залежності при розчиненні Cd_1-xMn_xTe іодвиділяючими травниками на основі гідроген пероксиду.

16. Денисюк Р.О. Оптимізація хіміко-динамічного полірування твердих розчинів Cd_1-хMn_хTe іодвиділяючими травильними композиціями на основі Н₂О₂ - НІ / Р.О.Денисюк, В.М.Томашик, З.Ф.Томашик, О.С.Чернюк, В.І.Гриців // IV Українська наук. конф. з фізики напівпровідників, 15-19 верес. 2009 р. : тези доп. - Запоріжжя, 2009. - Т. 2. - С. 164-165.

Дисертант визначив концентраційні межі поліруючих розчинів для Cd_1-xMn_xTe.