Анализ особенностей организации памяти на основе элементов Н\СТ

Недостатки кремниевой полупроводниковой памяти в электронике. Сравнение различных современных технологий памяти. Проблема сопряжения наноустройств с устройствами традиционной схемотехники. Перспективы уменьшения техпроцесса памяти и процессоров.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 22.03.2018
Размер файла 156,8 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Выполнение элементов динамической памяти для персональных компьютеров в виде микросхем. Матричная структура микросхем памяти на модуле. DIP - микросхема с двумя рядами контактов по обе стороны корпуса. Специальные обозначения на корпусе модуля памяти.

    презентация [954,7 K], добавлен 29.11.2014

  • Разработка модулей памяти микропроцессорной системы, в частности оперативного и постоянного запоминающих устройств. Расчет необходимого объема памяти и количества микросхем для реализации данного объема. Исследование структуры каждого из блоков памяти.

    контрольная работа [1,3 M], добавлен 07.07.2013

  • Изучение принципа работы, основных переключательных характеристик и методов определения функциональных параметров элемента памяти. Устройство элемента памяти, построенного на биполярных двухэмиттерных транзисторах, используемого в интегральных схемах.

    лабораторная работа [65,6 K], добавлен 08.11.2011

  • Принципы организации памяти. Связь между устройствами на материнской плате. Современные DDR, DDR2, DDR3. Отображение бита информации через величину заряда на плавающем затворе в ячейках MLC и SLC. Организация записи информации на полевом транзисторе.

    доклад [900,0 K], добавлен 12.03.2015

  • Коды без памяти - простейшие коды, на основе которых выполняется сжатие данных. Статистическое кодирование с использованием префиксных множеств. Статистический анализ кодируемых данных. Недостатки кодов Хаффмена. Блочные коды и коды с конечной памятью.

    реферат [26,1 K], добавлен 11.02.2009

  • Сигналы памяти и приемники изображения, устройства их обработки. Основные параметры элементов ПЗС: рабочая амплитуда напряжений, максимальная величина зарядного пакета, предельные тактовые частоты, мощность. Эффективность работы устройств обработки.

    реферат [46,4 K], добавлен 13.01.2009

  • Этапы разработки компонентов инфраструктуры сервисного обслуживания кристалла памяти ГАС. Общие представления системы на кристалле. Характеристика номенклатуры выпускаемой памяти на кристалле. Принципы создания сервисного обслуживания систем на кристалле.

    дипломная работа [2,3 M], добавлен 06.06.2010

  • Проектирование функциональных узлов, блоков и устройств вычислительной техники. Разработка устройств и систем. Частота смены элементов. Блок буферной памяти. Обеспечение работы устройства ввода визуальной информации. Последовательность сигналов частоты.

    курсовая работа [1,7 M], добавлен 31.01.2011

  • Разработка интерфейса и уточнённой структурной схемы, процессорного модуля, подсистем памяти и ввода/вывода, алгоритма программного обеспечения. Оценка памяти программ и данных. Структура адресного пространства. Организация клавиатуры и индикации.

    курсовая работа [2,4 M], добавлен 09.08.2015

  • Сравнительный анализ программных средств схемотехнического моделирования цифровых устройств. Анализ функциональной памяти типа FIFO, LIFO в микропроцессорах, разработка укрупненной структуры и принципиальной схемы. Имитатор управляющих сигналов.

    дипломная работа [2,3 M], добавлен 25.09.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.