Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером

Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид контрольная работа
Язык русский
Дата добавления 25.04.2013
Размер файла 1,2 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Задание на контрольную работу

Рассчитать каскад транзисторного усилителя напряжения, принципиальная схема которого изображена на рис. 1.

Рис.1

Исходные данные: 1) напряжение на выходе каскада (напряжение на нагрузке); 2) сопротивление нагрузки ; 3) нижняя граничная частота ; 4) допустимое значение коэффициента частотных искажений каскада в области нижних частот .

Примечание. Считать, что каскад работает в стационарных условиях (; ). При расчете влиянием температуры на режим транзистора пренебрегаем.

Определить: 1) тип транзистора; 2) режим работы транзистора; 3) сопротивление коллекторной нагрузки ; 4) сопротивление в цепи эмиттера;5) напряжение источника питания ; 6) сопротивления делителя напряжения и стабилизирующие режим работы транзистора; 7) емкость разделительного конденсатора ; 8) емкость конденсатора в цепи эмиттера ; 9) коэффициент усиления каскада по напряжению.

Расчет транзисторного усилителя по схеме с ОЭ:

Определяем значение сопротивления Ом.

Задаемся начальным значением , которое обычно принимают для повышения коэффициента усиления большим, чем в раз.

Определяем значение сопротивления .

Для обеспечения термостабилизации режима покоя транзистора значение сопротивления должно быть как можно больше. Но его увеличение приводит к уменьшению падения напряжения на сопротивлении , а следовательно к уменьшению коэффициента усиления транзисторного усилителя. Поэтому принято выбирать значение в пределах .

Примечание. Полученные значения сопротивлений и уточняем из параметрического ряда сопротивлений Е24 (приложение 1).

Выбираем тип транзистора.

При выборе транзистора руководствуются следующими соображениями:

а) Определяем предельно-допустимый ток.

где - наибольшая возможная амплитуда тока нагрузки; наибольший допустимый ток коллектора, приводится в справочниках, - амплитуда выходного напряжения.

б) Определяем предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер.

Выбор предельно-допустимого напряжения коллектор-эмиттер производится по напряжению питания усилителя.

.

где - наибольшее допустимое напряжение между коллектором и эмиттером приводится в справочниках.

Но поскольку напряжение питания нам предстоит еще определить, то воспользуемся приближенной формулой его расчета:

Выбираем транзистор КТ3102А:

в) Для выбранного типа транзистора необходимо выписать из справочных данных ( приложение 3) значения коэффициентов усиления по току для ОЭ и (или и ). В некоторых справочниках дается коэффициент усиления по току для схемы ОБ и начальный ток коллектора . Тогда (при выборе режима работы транзистора необходимо выполнить условие ).

г) Для каскадов усилителей напряжения обычно применяют маломощные транзисторы.

д) К заданному диапазону температур удовлетворяет любой транзистор.

Примечание. Произведенный выбор транзистора носит ориентировочный характер и в процессе расчета требует проверки.

Определяем параметры режима покоя транзистора.

Приняв сопротивление конденсатора равным нулю, то можно использовать для расчета тока эквивалентную схему замещения рис. 4.

Определяем амплитуду тока коллектора транзистора:

¦,

где ¦.

Выбираем , где должно превышать область нелинейных искажений в режиме отсечки (на рисунке 3,б - начальный нелинейный участок на входной характеристике).

Напряжение покоя определяем неравенства

,

где напряжение на коллекторе, соответствующее области нелинейных начальных участков выходных характеристик транзистора.

Определяем напряжение питания .

По второму закону Кирхгофа для основной цепи транзисторного усилителя (рис. 2) для режима покоя составим уравнение:

,

где - падение напряжения на сопротивлении в режиме покоя,

- падение напряжения на сопротивлении в режиме покоя,

- падение напряжения на электродах транзистора коллектор - эмиттер в режиме покоя.

Падение напряжения на сопротивлениях и определяются из уравнений:

,

.

Ток эмиттера в режиме покоя равен:

.

Поскольку ток базы в десятки раз меньше , то для упрощения расчетов примем .

Тогда уравнение для определения напряжения источника питания примет вид:

По полученному значению напряжения питания выбираем стабилизированный источник питания на базе микросхемы (приложение 2). Стабилизированный источник питания целесообразно выбирать с фиксированным напряжением питания, а указанным допуском отклонения можно пренебречь.

Например. 142ЕН11имеет В. Принимаем В.

Строим линию нагрузки и определяем режим работы транзистора

Режим работы транзистора по постоянному току определяется по нагрузочной прямой , построенной на семействе выходных статических (коллекторных) характеристик для схемы с ОЭ. Построение нагрузочной прямой показано на рис.2(а). Нагрузочная прямая строится по двум точкам: точка покоя (рабочая) и , определяемая значением напряжения источника питания . Координатами являются ток покоя и напряжения покоя (т. е. ток и напряжение, соответствующие нулевому входному сигналу).

Определяем положение рабочей точки

по значению тока базы , полученной для рабочей точки на выходной характеристике.

Строим линию нагрузки по переменному току которая проходит через точку и точки 1, 2, полученные на пересечении прямых и (точка 2) и прямых и (точка 1).

На входной статической характеристике для схем ОЭ (рис. 2, б) откладываем точки и по значениям и , найденных на выходной характеристике. Определяем значение и наибольшие амплитудные значения входного напряжения , необходимые для обеспечения заданного значения .

Точка (1): (Iкп+Ikm; Ukэп-Uвых.m)>(16,17+11,67;8,8-2,8) > (27,84;6);

Точка (2): (Iкп-Ikm; Ukэп+Uвых.m)>(16,17-11,67;8,8+2,8) > (4,5;11,6);

Точка (П'): П'= Iбп = кп*ДIб=3,2*25*10-6 = 0,08 мА;

Точка (1'): 1' = Iб1 = к1* ДIб = 5,5*25*10-6 = 0,14 мА;

Точка (2'): 2' = Iб2 = к2* ДIб = 0,8*25*10-6 = 0,02 мА;

Iвхт = Iбт= Iбп-Iб2 = 0,08-0,02 = 0,06 мА;

Uвхт = Uбэт = Uбэп-Uбэ2 = 0,72-0,63 = 0,09 В;

транзистор нагрузка ток каскад

Определяем входное сопротивление транзисторного каскада переменному току (без учета делителя напряжения и ):

Рассчитываем сопротивления делителя и . Для уменьшения шунтирующего действия делителя на входную цепь каскада по переменному току принимают , где

Тогда ,

Примечание. Значения всех полученных сопротивлений необходимо выбирать из параметрического ряда номиналов сопротивлений Е24 (приложение 1).

С учетом параметрического ряда номиналов получим: R1=82000 Oм, R2=15000 Ом

Коэффициент нестабильности работы каскада

где наибольший возможный коэффициент усиления по току выбранного типа транзистора.

Для нормальной работы каскада коэффициент нестабильности не должен превышать нескольких единиц.

Определяем емкость разделительного конденсатора :

; ,

выходное сопротивление транзистора, определяемое по выходным статическим характеристикам для схемы ОЭ. В большинстве случаев », поэтому можно принять ;

Находим емкость конденсатора

.

Выбираем из параметрического ряда для емкостей номиналы конденсаторов и (приложение 1).

16. Рассчитываем коэффициент усиления каскада по напряжению

.

Список литературы

1. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник/Под ред. Н. Н. Горюнова,-М.: Энергоатомиздат, 1983.

2. Лавриненко В. Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. Киев: Техника, 1980.

3. Справочник радиолюбителя-конструктора, - М.: Энергия, 1977.

4. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник/Под ред. Б, Л. Перельмана, - М.: Радио и связь, 1981.

5. Забродин Ю.С. «Промышленная электроника».

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Определение основных характеристик усилительных каскадов в биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером с температурной стабилизацией. Режим покоя между коллектором и эмиттером. Определение коэффициентов усиления по напряжению. Режим покоя каскада.

    лабораторная работа [47,7 K], добавлен 18.06.2015

  • Основные понятия, назначение элементов и принцип работы усилительного каскада по схеме с общим эмиттером. Порядок расчета транзисторного усилителя, его применение в системах автоматики и радиосхемах. Графоаналитический анализ каскада по постоянному току.

    курсовая работа [608,9 K], добавлен 23.10.2009

  • Критерии выбора типа транзистора для усилительного каскада (напряжение между коллектором и эмиттером). Расчет режима работы по постоянному и переменному току, значений резисторов, конденсаторов, индуктивностей. Ознакомление с программой Micro Cap 8.

    курсовая работа [2,1 M], добавлен 16.02.2010

  • Описание характеристик транзистора. Построение практической схемы каскада с общим эмиттером. Выбор режима работы усилителя. Алгоритм расчета делителя в цепи базы, параметров каскада. Оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 03.03.2014

  • Транзисторы– полупроводниковый прибор, пригодный для усиления мощности. Принцип действия n–p–n транзистора в режиме без нагрузки. Усиление каскада с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов и работы с общим эмиттером и с общим коллектором.

    реферат [63,2 K], добавлен 05.02.2009

  • Рассмотрение в программах Protel и PSpice AD работы основных элементов устройства усилителя: мультиплексора, компаратора, счетчика адресов, статических регистров. Разработка структурной и принципиальной схемы усилителя с общим эмиттером и коллектором.

    дипломная работа [858,9 K], добавлен 11.01.2015

  • МП 40 - транзисторы германиевые сплавные, усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1кГц. Паспортные данные транзистора. Структурная схема каскада с общим эмиттером. Динамические характеристики усилительного каскада.

    курсовая работа [120,0 K], добавлен 19.10.2014

  • Статический коэффициент передачи в схеме с общим эмиттером. Аппроксимация вольтамперной характеристики транзистора ГТ311Е. Спектр гармоник напряжения. Расчет входного и выходного каскадов нелинейного резонансного усилителя. Напряжение на сопротивлении.

    контрольная работа [171,5 K], добавлен 21.05.2015

  • Принцип действия, назначение и режимы работы биполярных транзисторов. Режим покоя в каскаде с общим эмиттером. Выбор типа усилительного каскада по показателям мощности, рассеиваемой на коллекторе. Расчет сопротивления резистора базового делителя.

    курсовая работа [918,0 K], добавлен 02.07.2014

  • Расчет параметров резисторов, исходя из заданного положения рабочей точки в классе А и ее нестабильности при определенном напряжении источника питания схемы и выбранном типе транзистора. Упрощённая схема усилителя для расчёта постоянных составляющих.

    курсовая работа [768,5 K], добавлен 16.01.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.