Транзисторы для аппаратуры широкого применения

Построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения и принципиальной схемы усилителя. Принципы работы и параметры фотодиода. Определение величины сопротивления ограничительного резистора.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид контрольная работа
Язык русский
Дата добавления 17.12.2011
Размер файла 361,6 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Задание 1

Рассчитать и построить ВАХ идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения от -10 до +0,7 В при Т=300К и обратном токе насыщения, равном I0. Величина константы kT/q для Т=300 К будет 0,026 В.

Определить дифференциальное сопротивление Rдиф, сопротивление диода постоянному току R0 для заданных значений Uпр. Величины I0, Uпр приведены в таблице 1.

Для варианта 17 значения: Uпр = 0,2 В, I0 = 1.2 нА.

Рассчитаем ВАХ в соответствии с выражением :

Для прямой ветви (U > 0):

Uпр, В

0

0,05

0,1

0,15

0,2

0,25

0,3

0,35

Iпр, А

0

7,01?10-9

5,5?10-8

3,83?10-7

2,63?10-6

1,8?10-5

1,23?10-4

8,42?10-4

Uпр, В

0,4

0,45

0,5

0,55

0,6

0,65

0,7

Iпр, А

5,76?10-3

0,039

0,27

1,85

12,63

86,4

591,2

Для обратной ветви (U < 0):

Uобр, В

0

-0,05

-0,1

-0,2

-0,5

-1

Iобр, А

0

-1,025?10-9

-1,174?10-9

-1,199?10-9

-1,2?10-9

-1,2?10-9

Так как в масштабе U[-10;0,7] линия значения тока резко уходит вверх на довольно большие значения, уменьшим масштаб до U[-0,5;0,4] для обеспечения возможности определения дифференциального сопротивления диода в точке Uпр = 0,2 В.

Рис.1. График построенной ВАХ диода представлен на рис. 1.

Для определения дифференциального сопротивления диода в заданной точке Uпр=0,2В, отметим на характеристике рабочую точку А, соответствующую данному значению прямого напряжения.

Зададим приращение ?U = 0,03 В. При этом, приращение тока будет составлять:

?I = 8,34•10-6 - 2,63•10-6 =5,71•10-6 А; (1)

Таким образом, дифференциальное сопротивление диода равно:

(2)

Сопротивление постоянному току диода в рабочей точке А:

;(3)

Таким образом, условие, при котором R0 > rдиф выполняется.

Задание 2

Стабилитрон подключен для стабилизации напряжения параллельно резистору нагрузки RH. Параметры стабилитрона Uст, Iст.min, Iст.max и сопротивление нагрузки Rн приведены в таблице 2. Определите величину сопротивления ограничительного резистора Rогр, если напряжение источника Е0 изменяется от Emin=20 В до Emax=30 B. Будет ли обеспечена стабилизация во всем диапазоне изменений напряжения источника Е?

Параметры стабилитрона для 17 варианта:

Uст=9 В, Iст min=5мА, Iст max=30 мА, RН=1 кОм.

Решение

Средний ток стабилитрона равен:

мА;(4)

Средняя величина питающего напряжения будет равна:

;(5)

Ток нагрузки:

А;(6)

Величина ограничивающего резистора находится из выражения:

, откуда

Ом;(7)

Определим границы допустимого диапазона изменения входного напряжения:

В;

В;

Таким образом, в данном случае, стабилизация будет осуществляться во всем диапазоне Uвх, поскольку Uвх min доп < Uвх min зад.

Задание 3

Усилительный каскад выполнен на полевом транзисторе типа 2П302А по схеме с общим источником и резистором нагрузки Rc в цепи стока. Напряжение смещения на затворе создается за счет включения в цепь истока резистора Ru. Значения сопротивления резистора Rc, напряжения на затворе в режиме покоя Uзио и ЭДС источника Ес приведены в таблице 3.

Необходимо:

а) нарисовать принципиальную схему усилителя;

б) пользуясь статическими характеристиками транзистора, определить положение рабочей точки;

в) в найденной рабочей точке определить сопротивление резистора в цепи истока Ru и малосигнальные параметры S, Ri и ;

г) графоаналитическим методом определить параметры режима усиления Sp, K и Р при амплитуде входного сигнала Umзu=0,25 B.

RС= 0,35кОм, UЗИ0= -0,5В, Ec = 16 В.

1. Принципиальная схема усилителя представлена на рис. 2:

Рис. 2

2. При напряжении питания усилителя Ec = 16 В:

Тогда А;(8)

Рис.3.

Построим нагрузочную прямую через точки [IC = 44 мА, Ec = 0 В] и [IC = 0 мА, Ec = 16 В] (рис. 3).

Рабочей точкой будет являться точка «О» на пересечении нагрузочной прямой и характеристики, соответствующей заданному значению

В.

IC0 = 22 мА; UСИ0 = 10 В;

3. Сопротивление резистора в цепи истока находим по формуле:

4.

Ом;(9)

Малосигнальные параметры:

;(10)

Ом;(11)

;(12)

5. Коэффициент усиления по напряжению:

(13)

Выходная мощность:

Вт;(14)

Задание 4

Фотодиод включен последовательно с источником питания и нагрузочным резистором RH. Обратный ток насыщения затемненного фотодиода (темновой ток) равен I0.

Фототок диода в фотогальваническом режиме при коротком замыкании перехода составляет Iф1 при потоке световой энергии Ф1; Iф2 при потоке световой энергии Ф2; Iф3=0 при потоке световой энергии Ф3=0.

Вычислить и построить семейство ВАХ идеализированного фотодиода для световых потоков Ф1, Ф2. и Ф3 в области напряжений U от 0 до - 10 В (при расчетах принять, что фототок не зависит от напряжения на запертом переходе; Т = 300 К). усилитель фотодиод резистор кремниевый диод

Определить напряжение холостого хода Uxx перехода диода для Ф1, Ф2 и Ф3 и значения Ф1,2 (лм), считая токовую чувствительность при монохроматическом световом потоке равной Si=1,510-2 мкА/лм.

Описать принцип работы, характеристики и параметры фотодиода. Значения, I0, Iф1, Iф2 приведены в таблице 4.

Для варианта 17:

I0= 20 мкА, R= 90 кОм, IЦ1 = 20 мкА, IЦ2 = 50 мкА

Фотодиоды могут работать в одном из двух режимов:

1) без внешнего источника электрической энергии (вентильный, фотогенераторный или фотогальвонический режим);

2) с внешним источником электрической энергии (фотодиодный или фотопреобразовательный режим).

Напряжение холостого хода фотодиода для Ф1, Ф2, Ф3:

В;

В; (15)

В;

Потоки световой энергии Ф1 и Ф2:

лм;(16)

лм;

Построим ВАХ идеализированного фотодиода для световых потоков Ф1, Ф2, Ф3 в диапазоне напряжений U от Uхх до -10В (рис. 10):

; (17)

Из данных характеристик видим, что при увеличении светового потока растет обратная проводимость фотодиода. Прямая проводимость не зависит от светового потока.

Список использованной литературы

1. Транзисторы для аппаратуры широкого применения (справочник); под ред. Б.Л. Перельмана - М: Радио и связь, 1981.

2. Булычев А.Л., Лямин П.М., Тулинов Е.С. Электронные приборы. - Мн. Выш. Шк. 1999

3. Ткаченко Ф.А. Техническая электроника: Уч. пособие, Мн.: Дизайн ПРО, 2000.

4. Электронные приборы/Под ред. Г.Г. Шишкина. - М.: Энергоатомиздат, 1989.

5. Терехов В.А. Задачник по электронным приборам. - СПб.: Лань, 2003.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Расчет мощности сигнала на входе усилителя низкой частоты, значения коллекторного тока оконечных транзисторов, емкости разделительного конденсатора, сопротивления резистора, напряжения на входе усилителя. Разработка и анализ принципиальной схемы.

    курсовая работа [111,1 K], добавлен 13.02.2015

  • Составление эквивалентной схемы усилителя для области средних частот, расчет его параметров. Определение сопротивления резистора, мощности, рассеиваемой им для выбора транзистора. Вычисление полного тока, потребляемого усилителем и к.п.д. усилителя.

    контрольная работа [133,5 K], добавлен 04.01.2011

  • Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.

    контрольная работа [1,6 M], добавлен 01.02.2012

  • Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.

    лабораторная работа [29,7 K], добавлен 13.03.2013

  • Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.

    лабораторная работа [171,4 K], добавлен 27.07.2013

  • Исследование особенностей операционного усилителя. Расчет пропорционально-интегрального и пропорционально-дифференциального звена. Определение минимально возможного значения сопротивления резистора. Схема неинвертируемого усилителя переменного напряжения.

    контрольная работа [266,5 K], добавлен 05.01.2015

  • Типы биполярных транзисторов и их диодные схемы замещения. Кремниевые и германиевые транзисторы. Физические явления в транзисторах. Схемы включения и статические параметры. Влияние температуры на статистические характеристики, динамические параметры.

    реферат [116,3 K], добавлен 05.08.2009

  • Расчет предварительного усилителя. Выбор типа операционного усилителя и схемы выпрямителя. Расчёт фильтра и буферного каскада. Определение расчётного значения общего коэффициента передачи. Выбор стабилизатора напряжения. Описание принципиальной схемы.

    курсовая работа [644,5 K], добавлен 04.05.2012

  • Расчет характеристик параметров кремниевого диода. Составление и характеристика элементов схемной модели для малых переменных сигналов. Структура диода и краткое описание его получения, особенности исследования зависимости барьерной ёмкости от Uобр.

    курсовая работа [80,1 K], добавлен 24.01.2012

  • Описание принципиальной схемы. Расчет элементов схемы по постоянному току. Проверка расчета по постоянному току с помощью компьютера. Расчет усилителя на переменном токе. Построение амплитудно-частотной характеристики. Определение сопротивления передачи.

    курсовая работа [579,9 K], добавлен 26.02.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.