Проектирование и испытание фототранзистора
Физическая и техническая основы оптоэлектроники, ее функциональное назначение. Принцип устройства плоскостного транзистора. Работа полупроводниковых приемников с использованием фотоэффекта. Параметры фототранзисторов, их виды, конструкции, параметры.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | реферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 16.10.2014 |
| Размер файла | 72,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Принцип действия биполярного транзистора. Его статические характеристики и эксплуатационные параметры. Температурные и частотные свойства транзистора. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Схематическое изображение ПТ с изолированным затвором.
лекция [460,9 K], добавлен 15.03.2009Изучение структуры и особенностей дрейфового транзистора. Физические процессы, происходящие в его базе при низком уровне инжекции и при больших плотностях тока. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на параметры дрейфового транзистора.
курсовая работа [727,8 K], добавлен 25.09.2010Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.
лекция [424,0 K], добавлен 14.11.2008Понятие и функциональное назначение биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и базой.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 12.05.2016Характеристика сущности резисторов, которые предназначены для перераспределения и регулирования электрической энергии между элементами схемы. Классификация, конструкции и параметры резисторов, характеризующие их эксплуатационные возможности применения.
реферат [409,2 K], добавлен 10.01.2011Дефекты реальных кристаллов, принцип работы биполярных транзисторов. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах внедрения и замещения. Поверхностные явления в полупроводниках. Параметры транзистора и коэффициент передачи тока эмиттера.
контрольная работа [2,9 M], добавлен 22.10.2009Теория фотоэффекта. Спектральные характеристики фотокатода. Работа выхода. Распределение электронов в металле. Селективный фотоэффект. Квантомеханическая теория фотоэффекта. Применение. Основные закономерности фотоэффекта.
реферат [217,0 K], добавлен 17.02.2003Макс Планк как основоположник квантовой физики. Исследование фотоэффекта Столетовым. Максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов. Определение массы фотона. Применение явления фотоэффекта в автоматизации станков на заводах, солнечных батареях.
презентация [159,8 K], добавлен 02.04.2012История открытия фотоэффекта. Схема установки, задачи и выводы Столетова. Основные законы, красная граница, применение фотоэффекта. Вакуумный фотоэлемент, фоторезисторы, вентильные фотоэлементы. Источники для бытовых и производственных нужд.
презентация [1,4 M], добавлен 10.05.2011Классификация и конструкции электросчетчиков. Общий вид трехфазного электронного счетчика CE 302. Назначение и описание средства измерений; требования безопасности. Технические параметры: устройство и работа счетчика, проверка и текущий ремонт прибора.
курсовая работа [578,7 K], добавлен 06.02.2014Структура и параметры МДП-транзистора с индуцированным каналом, его топология и поперечное сечение. Выбор длины канала, диэлектрика под затвором транзистора, удельного сопротивления подложки. Расчет порогового напряжения, крутизны характеристики передачи.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 24.11.2010Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.
контрольная работа [642,0 K], добавлен 28.03.2011Электрические характеристики кремниевого интегрального n-канального транзистора. Расчет порогового напряжения транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема и ее параметры. Корректировка порогового напряжения с учетом эффектов короткого и узкого канала.
курсовая работа [864,3 K], добавлен 17.12.2014Назначение и конструкция токопроводов 6-35 кВ, их особенности и преимущества в сравнении с кабельными линиями. Виды и параметры графиков электрических нагрузок в системах электроснабжения. Примеры типовых графиков нагрузки по отраслям производства.
презентация [637,4 K], добавлен 30.10.2013Механизмы поглощения энергии излучения в полупроводниках. Принцип действия полупроводниковых фотоприемников. Характеристики и параметры фотоприемников. Темновое сопротивление, чувствительность, спектральная характеристика, охлаждаемые фотодатчики.
контрольная работа [836,3 K], добавлен 29.08.2013Параметры, свойства, характеристики полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов, выпрямительных диодов. Операционный усилитель, импульсные устройства. Реализация полной системы логических функций с помощью универсальных логических микросхем.
контрольная работа [233,1 K], добавлен 25.07.2013Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора. Причина насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Инверсия типа проводимости.
лабораторная работа [37,8 K], добавлен 20.03.2007Понятие полупроводникового диода. Вольт-амперные характеристики диодов. Расчет схемы измерительного прибора. Параметры используемых диодов. Основные параметры, устройство и конструкция полупроводниковых диодов. Устройство сплавного и точечного диодов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 04.05.2011Лампы бегущей волны, основные принципы их работы. Параметры и особенности конструкции ЛБВ. Системы формирования магнитного поля в ЛБВ. Методы магнитной фокусировки электронного луча. Модуляция с помощью электрода "штырь-кольцо". Методы повышения КПД ЛБВ.
лекция [297,8 K], добавлен 16.12.2010Усилители, построенные на полупроводниковых усилительных элементах (биполярных и полевых транзисторах). Выбор принципиальной схемы. Расчет выходного, предоконечного и входного каскадов. Параметры схемы и расчет обратной связи. Расчет элементов связи.
курсовая работа [203,3 K], добавлен 27.11.2009
