Перебудова енергетичних зон і закономірності тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах Ge i Si

6. Аналіз результатів досліджень тензоефектів у сильно легованих кристалах германію і кремнію р-типу показує, що внаслідок зняття виродження при одновісній деформації валентних зон, залежність опору від одновісного тиску визначається зміною величини і анізотропії ефективних мас носіїв заряду в зонах “важких” і “легких” дірок і механізмом переселення дірок між зонами, обумовленим зростанням енергетичного розщеплення зон при збільшенні тиску.

7. Експоненціальний характер залежності опору від одновісного тиску в кристалах р-Si з концентрацією домішок меншою за критичну критичну концентрацію відповідної домішки (NN_c) може бути використаний для розробки чутливих тензодатчиків в діапазоні кріогенних температур як для області малих, так для високих тисків.

ОСНОВНІ МАТЕРІАЛИ ДИСЕРТАЦІЇ ОПУБЛІКОВАНІ В РОБОТАХ

1. Єрмаков В.М., Коломоєць В.В., Новоселець М. К., Сусь Б.Б. Дослідження деформаційно-індукованих переходів метал-ізолятор в сильно-легованих кристалах n-Sі і n-Ge // Вісник Київського університету, сер. фізико-математичні науки. - 2002. - №3. - С. 291-296.

2. Budzulyak S.I., Ermakov V.M., Kyyak B.R., Kolomoets V.V., Machulin V.F., Novoselets M.K., Panasiuk L.I., Sus' B.B., Venger E.F. Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. International Scientific Journal. National Academy of Sciences of Ukraine.- 2003.- Vol. 6, №1. -P.37-40.

3. Dotsenko Yu.P., Ermakov V.M., Gorin A.E., Khivrich V.I., Kolomoets V.V., Machulin V.F., Panasyuk L.I., Prokopenko I.V., Sus' B.B., Venger E.F. Thermodonors activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped ?-irradiated silicon // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. International Scientific Journal. National Academy of Sciences of Ukraine. - 2003. - Vol.6, № 2. -P.111-114.

4. Доценко Ю.П., Коломоєць В.В., Єрмаков В.М., Коломоєць М.Л., Сусь Б.Б. Дослідження енергетичних станів дефектів нейтронно легованих -опромінених кристалів кремнію в області сильних напрямлених тисків // Вісник Київського університету, сер. фізико-математичні науки.- 2003.- №1. -С. 252-258.

5. Budzulyak. S.I., Gorin A.E., Ermakov V.M., Kolomoets V.V., Machulin V.F., Suss B.B., Venger E.F., and Bigoja O.D. Correlated increase of ?₂- and ?₁- conductivity energies under strain-induced metal-insulator transition in n-Ge(Sb) // Phys. Stat.sol.(b). -2004.- Vol.241, № 14. - Р.3210-3214.

6. Ermakov V.I., Khivrich V.I., Kolomoets V.V., Machulin V.F., Panasyuk L.I., Prokopenko I.V., Sus' B.B., Venger E.F. Activation Energy of Technological Thermodonors in Transmutation Doped Gamma Irradiated n-Si(P). 5-th International Conference “Interaction of Radiation with Solids”.-Minsk, Belarus. October 6-9, 2003. -Р.139-141.

7. Венгер Е.Ф., Ермаков В.Н., Коломоец В.В., Мачулин В.Ф., Прокопенко И.В., Сусь Б.Б., Хиврич В.И. Свойства технологических термодоноров в нейтронно легированном g-облученном кремнии // Труды XIII Международного совещания “Радиационная физика твердого тела”.- Севастополь-Москва, 2003. -С.359-363.

8. Коломоєць В.В., Будзуляк С.І., Венгер Є.Ф., Доценко Ю.П., Єрмаков В.М., Кияк Б.Р., Новоселець М.К., Сусь Б.Б.. Дослідження механізмів переходу метал-ізолятор в сильно-деформованих кристалах n-Si і n-Ge // Тези доповідей 1-ї Української наукової конференції з фізики напівпровідників (з міжнародною участю).- Одеса (Україна), 2002.-C. 87-88.

9. Sus' B.B., Gorin A.E. Tensoeffect's features in neutron transmutation doped ?-irradiated monocrystalline silicon // Proceedings of the Third International Young Scientists' Conference on Applied Physics. Radiophysics faculty. Kyiv National Taras Shevchenko University.- Kyiv (Ukraine), 2003. -Р.123.

10. Будзуляк С.І., Єрмаков В.М., Коломоєць В.В., Сусь Б.Б. Деформаційно-індукований перехід до активаційної провідності у вироджених кристалах, легованих мілкими домішками // Тези доповідей IV Міжнародної школи-конференції "Актуальні проблеми фізики напівпровідників".- Дрогобич (Україна), 2003. - С.13.

11. Budzsulyak S.I., Gorin A.E., Sus' B.B. Mechanisms of metal-insulator transition in Si and Ge crystals doped by shallow donors // Proc. of the fourth international young scientists' conf. on applied physics. Taras Shevchenko National University.- Kyiv (Ukraine), 2004. - P.131-132.

12. Будзуляк С.І., Венгер Є.Ф., Єрмаков В.М., Коломоєць В.В., Сусь Б.Б., Хіврич В.І. Вплив технологічних термодонорів на властивості високоомного нейтронно-легованого n-Si(P) // Матеріали ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників. - Чернівці-Вижниця (Україна), 2004. - С. 84-85.

13. Єрмаков В.М., Будзуляк С.І., Венгер Є.Ф., Коломоєць В.В., Мачулін В.Ф., Панасюк Л.І., Сусь Б.Б. Тензорезистивні ефекти в кристалах Sі і Ge n- і p-типу в області деформаційно-індукованих переходів метал-ізолятор // Тези доповідей міжнародної науково-технічної конференції “Сенсорна електроніка і мікросистемні технології”. - Одеса, 2004. -С.82.

14. Будзуляк С.І., Єрмаков. В.М., Коломоєць В.В., Сусь Б.Б. Анізотропія тензорезистивного ефекту в сильно легованих кристалах р-Sі(В) // Тези доповідей V міжнародної школи-конференції “Актуальні проблеми фізики напівпровідників”. - Дрогобич (Україна), 2005. -С.194.

Размещено на Allbest.ru