Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами

Рубрика	Физика и энергетика
Вид	автореферат
Язык	украинский
Дата добавления	25.08.2014
Размер файла	80,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Подобные документы

• Дослідження екситонних станів у шаруватих напівпровідникових кристалах

  Кристалічна структура та фононний спектр шаруватих кристалів. Формування екситонних станів у кристалах. Безструмові збудження електронної системи. Екситони Френкеля та Ваньє-Мотта. Екситон - фононна взаємодія. Екситонний спектр в шаруватих кристалах.
  
  курсовая работа [914,3 K], добавлен 15.05.2015
  

• Топологічна оцінка ймовірності утворення власних точкових дефектів в кристалах А VI В VI зі структурою NaCI

  Основні фізико-хімічні властивості NaCI, різновиди та порядок розробки кристалохімічних моделей атомних дефектів. Побудування топологічних матриць, визначення числа Вінера модельованих дефектів, за якими можна визначити стабільність даної системи.
  
  дипломная работа [1,0 M], добавлен 14.08.2008
  

• Першопринципні розрахунки енергетичних станів електронної підсистеми у матеріалах з розмірним квантуванням

  Функціонал електронної густини Кона-Шема. Локальне та градієнтне наближення для обмінно-кореляційної взаємодії. Одержання та застосування квантово-розмірних структур. Модель квантової ями на основі GaAs/AlAs. Розрахунки енергетичних станів фулерену С60.
  
  магистерская работа [4,6 M], добавлен 01.10.2011
  

• Халькогеніди свинцю і сполуки на їх основі

  Система Pb-S. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів Френзеля у кристалах Pb-S. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у халькогенідах свинцю на основі експериментальних даних.
  
  дипломная работа [1,4 M], добавлен 09.06.2008
  

• Метод підсилення пасивації дефектів напівпровідників

  Визначення методу підсилення пасивації дефектів для покращення оптичних та електричних властивостей напівпровідників. Точкові дефекти в напівпровідниках та їх деформація. Дифузія дефектів та підсилення пасивації дефектів воднем за допомогою ультразвуку.
  
  курсовая работа [312,3 K], добавлен 06.11.2015
  

• Исследование оптических характеристик функционального преобразователя свет-частота на основе высокоомного GaAs

  Современное состояние элементной базы полупроводниковых оптических преобразователей. Воздействие электромагнитного излучения видимого и инфракрасного диапазонов на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs n-типа.
  
  дипломная работа [1,8 M], добавлен 18.07.2014
  

• Осцилятор терагерцового діапазону на основі надрешітки AlAs/GaAs

  Загальна характеристика терагерцового випромінювання. Напівпровідникові гетероструктури. Загальна характеристика речовин GaAs, AlAs. Будова надрешітки. Рух електронів у статичному електричному полі та у терагерцових полях. Використання осцилятора.
  
  курсовая работа [3,2 M], добавлен 04.12.2014
  

• Водень в шаруватих кристалах GaSe

  Здатність шаруватих напівпровідників до інтеркаляції катіонами лужних, лужноземельних металів, аніонами галогенів, а також органічними комплексами. Вплив інтеркаляції воднем на властивості моноселеніду ґалію. Спектри протонного магнітного резонансу.
  
  реферат [154,0 K], добавлен 31.03.2010
  

• Формування структури електричної мережі

  Формування структури електричної мережі для електропостачання нових вузлів навантаження. Вибір номінальної напруги ліній електропередавання. Вибір типів трансформаторів у вузлах навантаження та розрахунок параметрів їх схем заміщення. Регулювання напруги.
  
  курсовая работа [1,5 M], добавлен 27.02.2012
  

• Створення генераторів потужних імпульсів наносекундного діапазону

  Застосування індуктивних нагромаджувачів, розрахунок параметрів. Процеси розмикання струму та генерації електронного пучка. Дослідження характеристик електронного прискорювача з плазмоерозійним розмикачем в залежності від індуктивності нагромаджувача.
  
  дипломная работа [1,8 M], добавлен 22.09.2011
  

• Аналіз спектрів модуляційного фотовідбивання епітаксійних плівок LT–GaAs, LT – (Ga, Mn) As

  Дослідження функцій, які описують спектри модуляційного фотовідбивання; експериментально отримано спектри модуляційного фотовідбивання для епітаксійних плівок; засобами пакету MatLab апроксимовано експериментальні спектри відповідними залежностями.
  
  курсовая работа [815,3 K], добавлен 08.06.2013
  

• Параметричні магнітоакустичні ефекти у магнітних діелектриках та композитних матеріалах

  Вплив зовнішнього магнітного поля на частоту та добротність власних мод низькочастотних магнітопружних коливань у зразках феритів та композитів з метою визначення магнітоакустичних параметрів та аналізу допустимої можливості використання цих матеріалів.
  
  автореферат [1,4 M], добавлен 11.04.2009
  

• Експериментальні методи вивчення електронної структури шаруватих напівпровідників

  Дослідження стану електронів за допомогою фотоелектронної й оптичної спектроскопії. Аналіз електронної й атомної будови кристалічних і склоподібних напівпровідників методами рентгенівської абсорбційної спектроскопії. Сутність вторинної електронної емісії.
  
  реферат [226,5 K], добавлен 17.04.2013
  

• Фазовий розмірний ефект: Та/111/ГЦК - Та/100/ОЦК

  Кристалічна структура металів та їх типові структури. Загальний огляд фазових перетворень. Роль структурних дефектів при поліморфних перетвореннях. Відомості про тантал та фазовий склад його тонких плівок. Термодинамічна теорія фазового розмірного ефекту.
  
  курсовая работа [8,1 M], добавлен 13.03.2012
  

• Визначення спектрів поглинання

  Отримання спектрів поглинання речовин та визначення домішок у речовині. Визначення компонент речовини після впливу плазми на досліджувану рідину за допомогою даних, отриманих одразу після експерименту, та через 10 годин після впливу плазми на речовину.
  
  лабораторная работа [1018,3 K], добавлен 02.04.2012
  

• Гіперзвук та його властивості

  Область частот гіперзвуку, його природа і шкала дії. Поширення гіперзвуку в твердих тілах. Механізм поширення гіперзвуку в кристалах напівпровідників, в металах. Взаємодія гіперзвуку зі світлом. Сучасні методи випромінювання і прийому гіперзвуку.
  
  реферат [14,5 K], добавлен 10.11.2010
  

• Кристалохімія атомних дефектів у напівпровідниках структури сфалериту і в'юрциту.

  Моделі структур в халькогенідах кадмію і цинку. Області існування структур сфалериту і в’юрциту. Радіуси тетраедричних і октаедричних порожнин для сфалериту і в’юрциту. Кристалічна структура і антиструктура в телуриді кадмію. Кристалоквазіхімічний аналіз.
  
  дипломная работа [281,1 K], добавлен 09.06.2008
  

• Дослідження акустичних властивостей кристалів із застосуванням спектроскопії Мандельштама-Бріллюена

  Комбінаційне і мандельштам-бріллюенівське розсіювання світла. Властивості складних фосфорвмісних халькогенідів. Кристалічна будова, фазові діаграми, пружні властивості. Фазові переходи, пружні властивості, елементи акустики в діелектричних кристалах.
  
  курсовая работа [1,6 M], добавлен 25.10.2011
  

• Розрахунок районної електричної мережі напругою 110 кВ

  Вибір силових трансформаторів на підстанціях електричної мережі. Техніко-економічне обґрунтування вибраних варіантів схем електричної мережі. Розрахунок втрати потужності в обмотках трансформатора. Розподіл напруг по ділянкам ліній електропередач.
  
  курсовая работа [1,2 M], добавлен 16.09.2013
  

• Розрахунок та моделювання мережевого протизавадового фільтра

  Розгляд вихідних даних для виробництва мережевого протизавадового фільтра. Вибір конденсаторів та визначення максимального значення їх сумарної ємності. Розрахунок індуктивності та значення частоти резонансу. Врахування паразитних параметрів елементів.
  
  практическая работа [302,8 K], добавлен 26.04.2014
  

• главная
• рубрики
• по алфавиту
• вернуться в начало страницы
• вернуться к началу текста
• вернуться к подобным работам