Разработка алгоритма поиска неисправностей и технологического процесса ремонта и регулировки тюнера кассетного аудиоплеера. Анализ методов ремонта и контроля. Использование для поиска неисправностей универсальной контрольно-измерительной аппаратуры.

Объекты квалиметрии, методы количественной оценки качества продукции. Классификация показателей качества. Показатели назначения коммутаторов: скорость фильтрации и скорость продвижения. Сравнение показателей назначения коммутаторов марок Huawei и D-link.

Развитие идеи создания электронновычислительной машины. Пять поколений комьютеров в современной классификации. IBM компьютеры. Мощнейшие машины четвертого поколения Эльбрус. Элементная база компьютеров пятого поколения. Микрокомпьютеры пятого поколения.

Описание гидроакустической антенны, отражатель которой выполнен в виде акустически мягкого уголкового рупора. Пьезокерамический цилиндрический преобразователь с радиальной поляризацией как источник звука. Волновые процессы антенны в акустических средах.

История создания полевых транзисторов, их схемы включения и устройство прибора с управляющим p-n переходом, классификация. Характеристика транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы). Основные области применения различных полевых транзисторов.

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Вольтамперные характеристики и принцип работы транзистора с управляющим pn переходом.

Изучение устройства, характеристик и параметров полевого транзистора с изолированным затвором. Анализ эволюции статических характеристик транзистора, задающихся паспортно, в динамические характеристики при использовании транзистора в рабочем режиме.

Понятие полевого транзистора, его типы и способы управления. Особенности работы системы и зависимости основных показателей. Входные и выходные характеристики и схема ключа на приборе с p-n переходом и каналом n-типа. Сущность изолированного затвора.

Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

Критерии классификации и условные графические обозначения полевых транзисторов. Структурная схема и схема включения полевого транзистора с управляющим переходом. Перекрытие канала, вольтамперные характеристики. Значения параметров полевых транзисторов.

Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.

Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом, с изолированным затвором, с индуцированным каналом n-типа. Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах, расчет электрических цепей с использованием транзисторов.

Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.

Основные рекомендации относительно правильного выполнения параллельного соединения полевых транзисторов. Способы решения проблемы защиты своих устройств от токов короткого замыкания. Специфические потери обратного восстановления паразитных диодов.

Конструкция полевого транзистора с управляющим р-п переходом и каналом р-типа. Принцип его действия. Схема биполярно-полевого усилителя-инвертора. Симметричный оконечный усилительный каскад без переходных искажений. Работа тока в полевом транзисторе.

Изучение методики применения полиномиальных систем счисления в остаточных классах при разработке криптографических средств защиты хранимых и передаваемых электронных данных. Определение понятия и описание основных методов информационной безопасности.

Сущность и функции политической коммуникации. Контроль и методы распределения политической информации в обществе. Анализ роли средств массовой информации в осуществлении политической деятельности. Компьютерно-коммуникационные технологии в политике.

Проведення дослідження особливостей функціонування фокусуючо-відхилювальної системи піровідиконної тепловізійної камери. Виявлення та експериментальне підтвердження ефекту відмінності растрів піровідикона в режимах швидких та повільних електронів.

Дослідження системи ДВЧ-ЧМ синхронного звукового мовлення. Шляхи поліпшення якості радіоприймання, визначення параметрів синхронної мережі, потрібних для її планування. Розробка системи синхронізації синхронної мережі з "N" аналогових передавачів.

Розробка методу поліпшення якості передавання відеопотоку з використанням мультипідключення у програмно-конфігурованих безпровідних мережах. Аналіз використання показника якості сприйняття PSNR та реакцію методу на погіршення параметрів каналу зв’язку.

Основной расчет характеристик одиночных и связанных плоско-поперечных стыков волноводов. Главная особенность применения волноводных фильтров в системах передачи информации, средствах радиоэлектронной борьбы, радарах и измерительном оборудовании.

Возможности для полунатурного моделирования многофункциональных модульных систем. Структура энергетической МФМС и её задачи с позиции теории графов. Структура моделируемого фрагмента системы на стыке двух модулей с использованием метода "сшивания" схемы.

Видимый свет как электромагнитное излучение в диапазоне длин волн от 380 до 780 нм. Особенности полунатурного моделирования процесса обнаружения воздушных целей в искусственных помехах, воздействующих на ОЭС. Анализ основных видов искусственных помех.

Структура фотоприёмника, граница фотоэффекта и его фоточувствительность. Принцип работы фоторезистора. Принципиальная схема включения семисегментного полупроводникового индикатора. Схема включения светодиода. Номинал ограничительного сопротивления.

Физические основы полупроводниковой электроники. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды и резисторы, фотоэлектрические полупроводниковые приборы. Биполярные и полевые транзисторы. Аналоговые интегральные микросхемы.

Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.

Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.

Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.

Прямое и обратное включение диода. Физический смысл параметров диода. Низкочастотные и высокочастотные значения. Переходные процессы в диодах с p-n переходом. Частотные свойства диодов. Выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, диоды Шоттки.

Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.