статья  Тяговый вентильный электропривод на современных автотранспортных средствах

Рассмотрено применение вентильных электроприводов, его преимущества, конструкция роторов на постоянных магнитах, полевые транзисторы и биполярные транзисторы и их применение в современном мире. Типы трансформаторных датчиков: одинарные и дифференциальные.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

                                                                    
        ,d8     ad888888b,  888888888888   ad888888b,   ad888888b,  
      ,d888    d8"     "88          ,8P'  d8"     "88  d8"     "88  
    ,d8" 88            a8P         d8"            a8P          a8P  
  ,d8"   88         aad8"        ,8P'          ,d8P"        ,d8P"   
,d8"     88         ""Y8,       d8"          a8P"         a8P"      
8888888888888          "8b    ,8P'         a8P'         a8P'        
         88    Y8,     a88   d8"          d8"          d8"          
         88     "Y888888P'  8P'           88888888888  88888888888  
                                                                    
                                                                    

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 14.12.2024
Размер файла 15,8 K

Подобные документы

  • Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы. Баллистические и аналоговые транзисторы. Сравнительная таблица основных свойств полупроводникового материала 4H-SiC с Si и GaAs. Алмаз как материал для СВЧ-приборов. Приборы на основе квантово-размерных эффектов.

    курсовая работа [2,9 M], добавлен 22.08.2015

  • Сокращение времени переноса носителей через базу. Баллистические и аналоговые транзисторы. Горбообразные барьеры эмиттера и коллектора. Транзисторы с металлической базой. Приборы на квантово-размерных эффектах. Инерционность процесса туннелирования.

    реферат [865,2 K], добавлен 21.08.2015

  • Технические характеристики и структура модуляционно-легированных полевых транзисторов и биполярных транзисторов на гетеропереходах. Технологии создания приборов, их преимущества и применение. Понятие явления резонансного туннелирования электронов.

    реферат [522,2 K], добавлен 28.12.2013

  • Устройство и принцип действия полевого транзистора. Статические характеристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Простейший усилительный каскад. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами.

    лекция [682,2 K], добавлен 19.11.2008

  • Типы биполярных транзисторов и их диодные схемы замещения. Кремниевые и германиевые транзисторы. Физические явления в транзисторах. Схемы включения и статические параметры. Влияние температуры на статистические характеристики, динамические параметры.

    реферат [116,3 K], добавлен 05.08.2009

  • Биполярные и полевые транзисторы в дискретном или интегральном исполнении как основа современных усилителей. Классы усиления усилительных каскадов. Метод расчета схем с нелинейным элементом. Схема с фиксированным напряжением базы. Методы стабилизации.

    лекция [605,0 K], добавлен 15.03.2009

  • Транзисторы– полупроводниковый прибор, пригодный для усиления мощности. Принцип действия n–p–n транзистора в режиме без нагрузки. Усиление каскада с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов и работы с общим эмиттером и с общим коллектором.

    реферат [63,2 K], добавлен 05.02.2009

  • История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.

    реферат [1,3 M], добавлен 30.05.2014

  • Структура и действие многоэмиттерных транзисторов (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ) как функциональные полупроводниковые приборы, представляющие собой совокупность нескольких тринисторов. Применение в интегральных схемах. Изготовление МЭТ и МКТ.

    контрольная работа [236,4 K], добавлен 21.02.2016

  • Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.

    реферат [280,5 K], добавлен 03.02.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.