статья Метод определения интегральной поглощенной дозы
Использование структур металл-диэлектрик-полупроводник - один из основных механизмов, позволяющих контролировать величину интегральной поглощенной дозы радиационного излучения. Выражение, которое применяется для определения суммы плотностей токов.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 27.11.2018 |
| Размер файла | 29,4 K |
Подобные документы
Методы достижения кратковременного состояния невесомости. Единицы измерения поглощенной дозы радиоактивного излучения, его источники. Радиационная стойкость конденсаторов. Устройство гетерогенного ядерного реактора. Защитные устройства от гамма-излучения.
реферат [1,3 M], добавлен 25.01.2009Анализ физических процессов в структуре металл-диэлектрик-полупроводник. Расчет необходимых характеристик полупроводниковой структуры. Построение диаграммы МДП-структуры в режиме сильной инверсии. Технология изготовления комплементарных МОП-транзисторов.
курсовая работа [945,3 K], добавлен 06.04.2014Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. Принципы работы, конструкция и классификация транзисторов данного вида. Четыре типа транзисторов. Вспомогательные элементы микросхем. Применение охранных колец.
реферат [447,3 K], добавлен 22.02.2009Использование параметрических феррорезонансных стабилизаторов напряжения. Конструктивно-технологическое исполнение интегральной микросхемы. Расчет интегрального транзистора и его характеристики. Разработка технических требований и топологии микросхемы.
курсовая работа [140,6 K], добавлен 15.07.2012Свойства МДП-структуры (металл–диэлектрик–полупроводник). Типы и устройство полевых транзисторов, принцип их работы. Влияние типа канала на вольтамперные характеристики МДП-транзисторов. Эквивалентная схема, расчет и быстродействие МДП-транзистора.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 18.12.2009Резисторы, конденсаторы их суть понятие и характеристика. Полупроводниковое соединение резисторов и конденсаторов. Топологическое решение и методы расчета. Емкость конденсаторов типа металл — диэлектрик — полупроводник. Коэффициент паразитной емкости.
реферат [1,2 M], добавлен 11.12.2008Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.
курсовая работа [745,2 K], добавлен 11.12.2015Основные принципы построения АМ-ЧМ приемников. Анализ схемы электрической принципиальной ИМС TA2003. Разработка физической структуры кристалла, технологического маршрута изготовления и топологии интегральной микросхемы. Компоновка элементов и блоков.
дипломная работа [2,0 M], добавлен 01.11.2010Электрические параметры интегральной микросхемы (ИМС). Расчет параметров модели полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Моделирование схемы включения истокового повторителя. Разработка топологии и технологического маршрута изготовления ИМС.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 29.09.2010Технологический процесс изготовления полупроводниковой интегральной схемы ТТЛ. Расчет режимов базовой и эмиттерной диффузии, а также эпитаксии. Уточнение профиля распределения примеси в эмиттерной области. Определение точности изготовления резисторов.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 14.03.2014