автореферат  Металлооксидные чувствительные элементы интегральных датчиков концентраций водородсодержащих газов

Повышение селективности детектирования водородсодержащих газов металлооксидными чувствительными элементами интегральных датчиков. Влияние амплитуды и профиля нагрева на характер отклика газочувствительного слоя, легированного разными катализаторами.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

8888888888  d888    .d8888b.   .d8888b.   .d8888b.  
      d88P d8888   d88P  Y88b d88P  Y88b d88P  Y88b 
     d88P    888   Y88b. d88P 888    888 Y88b. d88P 
    d88P     888    "Y88888"  888    888  "Y88888"  
 88888888    888   .d8P""Y8b. 888    888 .d8P""Y8b. 
  d88P       888   888    888 888    888 888    888 
 d88P        888   Y88b  d88P Y88b  d88P Y88b  d88P 
d88P       8888888  "Y8888P"   "Y8888P"   "Y8888P"  
                                                    
                                                    
                                                    

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид автореферат
Язык русский
Дата добавления 02.08.2018
Размер файла 899,4 K

Подобные документы

  • Микроэлектронные технологии производства больших интегральных микросхем и их логические элементы. Нагрузочные, динамические параметры, помехоустойчивость переходов микросхем с одноступенчатой логикой и их схемотехническая реализация на транзисторах.

    реферат [985,0 K], добавлен 12.06.2009

  • Проектирование вычислительного модуля, состоящего из 2 датчиков давления и 4 датчиков температуры (до +125 и до +400). Составление схемы подключения датчиков. Написание демонстрационных программ для работы с устройствами DS18B20, АЦП DS2450 и MPX2010.

    курсовая работа [190,3 K], добавлен 24.12.2010

  • Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.

    презентация [352,8 K], добавлен 29.05.2010

  • Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.

    курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010

  • Краткая историческая справка о развитии интегральных схем. Американские и советские ученные, которые внесли огромный вклад в разработку и дальнейшее развитие интегральных схем. Заказчики и потребители первых разработок микроэлектроники и ТС Р12-2.

    реферат [28,1 K], добавлен 26.01.2013

  • Виды и использование датчиков автоматического контроля режимных параметров технологических процессов химического производства. Принцип действия измеряемых датчиков, регуляторов температуры, модульных выключателей. Средства защиты электроустановок.

    дипломная работа [770,6 K], добавлен 26.04.2014

  • Особенности применения электрохимических датчиков в составе мультисенсорных пожарных извещателей. Сравнение технических характеристик. Конструкция, принцип действия электролитических датчиков. Перспективы развития технологий изготовления извещателей.

    курсовая работа [1,7 M], добавлен 09.12.2015

  • Классификация датчиков сопротивления. Принцип действия термопары. Статическая характеристика датчика индуктивности. Выполнение сельсинов по типу асинхронных машин переменного тока. Изменение концентрации электролита (уровня жидкости) в емкостном датчике.

    презентация [7,6 M], добавлен 21.01.2010

  • Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.

    курсовая работа [666,0 K], добавлен 06.12.2012

  • Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.11.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.