контрольная работа Полупроводниковая оптоэлектроника
Структура фотоприёмника, граница фотоэффекта и его фоточувствительность. Принцип работы фоторезистора. Принципиальная схема включения семисегментного полупроводникового индикатора. Схема включения светодиода. Номинал ограничительного сопротивления.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 20.03.2018 |
| Размер файла | 389,9 K |
Подобные документы
Выбор диода, выполняющего заданную функцию, его маркировка и характеристики, схема включения и принцип работы. Схема включения полевого транзистора с общим истоком в динамическом режиме. Преимущества и недостатки некоторых устройств оптоэлектроники.
контрольная работа [34,7 K], добавлен 11.11.2010Физические основы работы фоторезисторов, их вольтамперные, световые и спектральные характеристики; инерционность. Структура фоторезистора, схема его включения и принцип действия. Характеристика примесной фотопроводимости, явление электропроводности.
контрольная работа [4,0 M], добавлен 12.03.2015Схема включения фотоприемника. Принципиальная электронная схема предварительного усилителя, обеспечивающая согласование с приемником. Сигнал на выходе фотоприемного устройства. Спектральная чувствительность фотодиода. Усилитель сигнала на транзисторе.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 30.04.2011Внешний вид ряда датчиков: света, давления, температуры, скорости, перемещения. Перечень разновидностей фоторезисторов и перечисление области их применения. Внешний вид и принципиальная схема работы лабораторного стенда "Исследование фоторезисторов".
презентация [3,2 M], добавлен 14.03.2011Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.
реферат [266,3 K], добавлен 18.01.2017Анализ блок-схемы включения приемника излучения и вариантов предварительных усилителей, выбор типа фоторезистора по минимальному уровню флуктуационных шумов. Принципиальная схема и уровни шума предварительных усилителей на полевом транзисторе и ОУ.
курсовая работа [409,3 K], добавлен 16.01.2015Структуральная схема интеллектуального модуля. Процессы его включения и выключения, статические и динамические параметры. Однофазный мостовой инвертор, его силовая схема и принцип работы. Расчетные соотношения для трехфазного АИТ с отсекающими диодами.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 22.04.2015Характеристика PON - быстроразвивающейся, наиболее перспективной технологии широкополосного мультисервисного множественного доступа по оптическому волокну. Принцип действия GEPON. Принципиальная схема включения. Технология обмена данными между ONU и OLT.
реферат [889,4 K], добавлен 24.01.2014Описание устройств для обнаружения утечки горючих и взрывоопасных газов. Принципиальная схема, ее пояснение. График падения эффективного напряжения выходного сигнала на сопротивлении нагрузки. Заводская настройка чувствительности датчика, схема включения.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 03.04.2014Состояние проблемы автоматического распознавания речи. Обзор устройств чтения аудио сигналов. Архитектура системы управления периферийными устройствами. Схема управления электрическими устройствами. Принципиальная схема включения электрических устройств.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 18.10.2011
