P-I-n-фотодиоды и лавинные фотодиоды

Фотоприемник, в котором повышение квантовой эффективности реализуется за счет внутреннего усиления в обратносмещенном p-n переходе. Материал и особенности конструкции фотодиодов. Принцип действия лавинного и р-i-n фотодиодов как широкополосных приемников.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Оптоэлектроника
Вид презентация
Язык русский
Прислал(а) А.О. Гришин
Дата добавления 02.02.2021
Размер файла 663,3 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах, на полупроводниковых квантовых ямах. Поверхностные лазеры с вертикальным резонатором. Фотодиоды на подзонах квантовых ям и сверхрешетках. Лавинные фотодиоды на сверхрешетках. Модуляторы на квантовых ямах.

    контрольная работа [1,8 M], добавлен 24.08.2015

  • Фотоприемники на основе внешнего и внутреннего фотоэффекта. Преобразование входного оптического сигнала в выходной электрический сигнал. Коротковолновая граница чувствительности. Разрешение катодной камеры. Спектральные характеристики фотодиодов.

    реферат [81,5 K], добавлен 19.01.2011

  • Разработка функциональной схемы измерительного устройства для измерения температуры раскаленного металла. Определение оптимальной конструкции датчика и устройства. Выбор основных элементов: микроконтроллера, фотодиодов, оптической системы и блока питания.

    курсовая работа [13,1 M], добавлен 15.04.2015

  • Понятие и структура, основные элементы и принцип действия широкополосных усилителей, особенности их практического использования. Методы исследования, расчета и проектирования широкополосных усилителей гармонических сигналов и импульсных сигналов.

    курсовая работа [179,1 K], добавлен 14.04.2011

  • Идеальный и реальный гетеропереход. Светодиоды: понятие, материалы, конструкция. Фотодиоды, фототранзисторы, квантовые ящики и сверхрешетки. Вольтамперная характеристика диода. Квантовые наноструктуры кремния. Спектры электролюминесценции структуры.

    презентация [425,8 K], добавлен 24.05.2014

  • Обзор методов измерения физической величины и их сравнительный анализ. Принцип действия фотоэлектрических преобразователей. Избыточный коэффициент усиления. Источники погрешностей от приемников излучения. Погрешности от нестабильности условий измерений.

    курсовая работа [917,9 K], добавлен 06.12.2014

  • Направления совершенствования оптико-электронной аппаратуры. Фотодиоды, изготовленные из гетероэпитаксиальных слоев InGaAs. Определение доминирующего механизма токообразования. Ток межзонного туннелирования и туннелирования через уровни ловушек.

    курсовая работа [148,7 K], добавлен 17.01.2015

  • Основные понятия оптики. Построение изображений с помощью интегральных линз Френеля. Защита интеллектуальной собственности, водяные знаки. Методика расчета кремниевых фотодиодов. Обработка и реконструкция изображений. Камеры и приборы с зарядовой связью.

    реферат [554,3 K], добавлен 19.07.2010

  • Сферы и условия эффективного применения легированных полимеров, устройства на их основе. Функции и значение полимерной электроники: фотодиодов, транзисторов, светодиодов. Исследование и оценка главных преимуществ, недостатков электропроводящих полимеров.

    контрольная работа [822,8 K], добавлен 08.06.2016

  • Телевидение – способ передачи изображения на расстояние. История совершенствования телевизионных приемников. Зарождением электронного телевидения. Конструкция механического, электронного, плазменного телевизоров. Принцип действия, виды приемных антенн.

    курсовая работа [475,2 K], добавлен 04.03.2009

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.