Разработка конструкции кристалла полупроводниковой интегральной микросхемы

Рубрика	Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид	курсовая работа
Язык	русский
Дата добавления	03.04.2019
Размер файла	571,0 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Подобные документы

• Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора

  Описание и анализ конструкции диффузионного резистора. Оптимизация его конструкции с учетом критерия минимальной площади. Последовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых интегральных микросхем.
  
  курсовая работа [1,2 M], добавлен 20.11.2013
  

• Разработка интегральной микросхемы АМ-ЧМ приёмника по типу TA2003

  Основные принципы построения АМ-ЧМ приемников. Анализ схемы электрической принципиальной ИМС TA2003. Разработка физической структуры кристалла, технологического маршрута изготовления и топологии интегральной микросхемы. Компоновка элементов и блоков.
  
  дипломная работа [2,0 M], добавлен 01.11.2010
  

• Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

  Разработка конструкции, топологии и технологического процесса интегральной микросхемы по заданной электрической схеме. Топологический расчет транзистора и полупроводникового кристалла. Расчет геометрических размеров резисторов и конденсаторов.
  
  курсовая работа [1,3 M], добавлен 18.02.2010
  

• Расчёт интегральной микросхемы

  Анализ исходных данных и выбор конструкции. Разработка коммутационной схемы. Расчет параметров элементов. Тепловой расчет микросхемы в корпусе. Расчет паразитных емкостей и параметров надежности микросхемы. Разработка технологии изготовления микросхем.
  
  курсовая работа [150,4 K], добавлен 12.06.2010
  

• Разработка интегральных микросхем

  Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.
  
  курсовая работа [708,7 K], добавлен 13.07.2008
  

• Исследование спектральных свойств кристалла Tm:CaF2

  Определение возможности генерации на кристалле Tm:CaF2 в области 2 мкм в схемах лазеров с продольной диодной накачкой. Физические свойства кристалла. Спектры пропускания образцов кристалла CaF2. Расчет квантового генератора на лазерном кристалле.
  
  курсовая работа [4,9 M], добавлен 14.07.2012
  

• Расчет тонкопленочных элементов (резистора и конденсатора)

  Задачи, решаемые эпитаксией в технологическом процессе. Многоэмиттерные транзисторные структуры. Направления функциональной микроэлектроники. Акустоэлектроника: типы устройств, их конструкция и параметры. Расчет тонкопленочного резистора и конденсатора.
  
  курсовая работа [1,2 M], добавлен 26.03.2015
  

• Разработка интегральной микросхемы параметрического стабилизатора

  Использование параметрических феррорезонансных стабилизаторов напряжения. Конструктивно-технологическое исполнение интегральной микросхемы. Расчет интегрального транзистора и его характеристики. Разработка технических требований и топологии микросхемы.
  
  курсовая работа [140,6 K], добавлен 15.07.2012
  

• Особенности проектирования усилителя слабых сигналов

  Разработка усилителя слабых сигналов в виде интегральной микросхемы (ИМС) в корпусе. Выбор технологии изготовления. Расчет геометрических размеров и топологии элементов интегральной микросхемы. Выбор навесных компонентов, типоразмера платы и корпуса.
  
  курсовая работа [381,0 K], добавлен 29.10.2013
  

• Разработка датчика сетки частот генератора сигналов низкой частоты

  Описание структурной схемы генератора. Описание работы схемы электрической принципиальной блока. Выбор и обоснование элементной базы. Разработка конструкции печатной платы. Разработка конструкции датчика сетки частот. Описание конструкции генератора.
  
  дипломная работа [287,2 K], добавлен 31.01.2012
  

• Разработка полупроводникового гетеролазера для использования в ВОЛС III поколения

  Расчет полупроводниковой лазерной структуры на основе соединений третей и пятой групп для волоконно-оптических линий связи III поколения. Выбор структуры кристалла. Расчет параметров, РОС-резонатора, внутреннего квантового выхода, оптического ограничения.
  
  курсовая работа [803,5 K], добавлен 05.11.2015
  

• Цифровой измеритель скорости воздушного потока

  Значение анемометра как метеорологического устройства, применение его для измерения и определения скорости ветра. Разработка функциональной схемы устройства. Выбор элементов и их статический расчет. Разработка принципиальной схемы. Описание конструкции.
  
  контрольная работа [670,6 K], добавлен 16.09.2017
  

• Разработка интегральной микросхемы истокового повторителя для слухового аппарата

  Электрические параметры интегральной микросхемы (ИМС). Расчет параметров модели полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Моделирование схемы включения истокового повторителя. Разработка топологии и технологического маршрута изготовления ИМС.
  
  дипломная работа [1,9 M], добавлен 29.09.2010
  

• Создание лазера на кристалле YAlO3 с диодной накачкой и исследование генерационных характеристик

  Схема накачки редкоземельных элементов Tm3+, находящегося в диэлектрическом кристалле, сравнительные характеристики матриц. Характеристики кристалла. Спектры пропускания и люминесценции. Экспериментальное исследование генерационных характеристик лазера.
  
  контрольная работа [750,7 K], добавлен 13.06.2012
  

• Малошумящий интегральный усилитель

  Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.
  
  курсовая работа [748,2 K], добавлен 22.08.2013
  

• Блок питания для компьютера, мощностью 350Вт, форм-фактор АТХ

  Разработка технического задания. Описание схемы электрической принципиальной. Разработка конструкции прибора. Обоснование выбора элементной базы и материалов конструкции. Расчет конструкции печатной платы. Расчет надежности, вибропрочности платы.
  
  дипломная работа [759,9 K], добавлен 09.03.2006
  

• Разработка конструкции и технологии изготовления усилителя низкой частоты в интегральном исполнении

  Выбор резистивного материала, проводников, подложки. Расчет размеров плёночных резисторов. Выбор конструкции корпуса, навесных компонентов, оборудования. Разработка топологии платы, схемы коммутации. Технология изготовления платы и сборки микросхемы.
  
  курсовая работа [610,8 K], добавлен 26.11.2014
  

• Разработка системы управления электроприводом

  Определение структуры и параметров объекта управления электроприводом (ЭП). Расчёт параметров элементов структурной схемы двухконтурной системы ЭП. Выбор элементов задатчика тока возбуждения. Разработка конструкции блока управления электропривода.
  
  реферат [158,0 K], добавлен 29.07.2009
  

• Разработка гибридной интегральной схемы усилителя электрических сигналов низкой частоты

  Разработка структурной и принципиальной схемы устройства. Расчет двухкаскадной схемы усилителя низкой частоты с использованием полевого и биполярного транзисторов. Выбор навесных элементов и определение конфигурации пленочных элементов усилителя частоты.
  
  курсовая работа [220,7 K], добавлен 22.03.2014
  

• Расчет электронного трансформатора

  Назначение основных блоков электронного трансформатора. Выбор входного выпрямителя и фильтра. Расчет трансформатора, мощности разрядного резистора и схемы силового инвертора. Разработка системы управления силовым инвертором. Проектирование блока защиты.
  
  курсовая работа [443,4 K], добавлен 05.03.2015
  

• главная
• рубрики
• по алфавиту
• вернуться в начало страницы
• вернуться к началу текста
• вернуться к подобным работам