Моделирование процесса ионной имплантации металлической наночастицы в диэлектрической матрице

Технологии создания приборов с элементами наночастиц. Моделирование процесса ионной имплантации структуры, состоящей из наночастиц золота в матрице диоксида кремния. Расчеты распределения легирующих ионов, каскадов смещенных ионов матрицы и наночастицы.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Радиоэлектроника
Вид статья
Язык русский
Прислал(а) Мустафаев Гасан Абакарович
Дата добавления 08.04.2019
Размер файла 771,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Моделирование работы справочной телефонной сети города. Главные составляющие процесса ее функционирования, схема модели, анализ результатов моделирования системы. Проектирование инструментально-программного комплекса для анализа загруженности процессоров.

    курсовая работа [179,7 K], добавлен 22.06.2011

  • Выбор операционного усилителя, расчет его основных параметров для входного и выходного каскада. Вычисление каскадов усилителя, смещения нуля, коэффициента гармоник и частотных искажений. Моделирование усилителя с помощью Electronics Workbench 5.12.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 04.10.2014

  • Особенности процесса контроля и настройки телевизоров, основные этапы. Анализ концептуальной схемы контроля и настройки телевизоров. Характеристика задач оператора Simulate, рассмотрение функции распределения времени испытания с учетом отбраковки.

    курсовая работа [521,1 K], добавлен 20.06.2012

  • Метод магнетронного распыления материалов. Элементы магнетронной системы и её схема. Скорость распыления материала при ионной бомбардировке и влияющие на неё факторы. Теория Зигмунда и расчёт коэффициента распыления. Модель кольцевого испарителя.

    контрольная работа [261,0 K], добавлен 17.06.2012

  • Трехкаскадный усилитель на биполярном транзисторе. Моделирование первого, второго и третьего каскадов. Источник питания и источник сигнала. Прямоугольные импульсы на нагрузочном сопротивлении. Коэффициенты усиления каждого каскада и общий коэффициент.

    курсовая работа [79,7 K], добавлен 07.08.2011

  • Создание лабораторного стенда для студентов по специальности "Радиосвязь, радиовещание и телевидение". Ознакомление со средой "Workbench 5.01". Моделирование на стенде процесса обработки видеосигнала. Принцип построения системы цветного телевидения СЕКАМ.

    практическая работа [4,9 M], добавлен 25.02.2011

  • Макромир, микромир, наномир, мир элементарных частиц: основные положения квантовой теории; свойства микро- и наночастиц. Основы микроскопии в электронике. История создания технологических микрообъектов. Наноэлектронные элементы информационных систем.

    курсовая работа [1,7 M], добавлен 15.06.2013

  • Сущность и задачи литографии. Описание процесса создания рисунка с использованием фотолитографии на кремниевой подложке. Исследование режимов технологического процесса ионного легирования в кремниевой технологии при помощи компьютерных программ.

    реферат [23,9 K], добавлен 01.02.2016

  • Основные свойства измеряемых погрешностей. Технические и метрологические характеристики средств электротехнических измерений, их сравнительный анализ. Моделирование и реализация виртуального прибора в программной среде National Instruments, Labview.

    курсовая работа [2,4 M], добавлен 09.04.2015

  • Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.

    дипломная работа [2,3 M], добавлен 28.04.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.