Резонансные неравновесные СВЧ плазмохимические системы в технологии синтеза специальных кварцевых волоконных световодов

Рис. 17. Общий вид СВЧ плазмотрона Н₁₁₁ в положении с поднятой печью на СВЧ плазмохимической установке

На рисунке 18 крупным планом показаны плазмотрон, опорная трубка и СВЧ-система.

Рис. 18. Вид на СВЧ-плазмотрон и СВЧ-систему

Резонаторный СВЧ плазмотрон на виде колебаний Е₀₂₀

Плазмотрон на волне ТМ₀₂ разработан в качестве альтернативы описанному ранее на волне ТЕ₁₁. В его конструкции предпринята попытка решить задачу равномерного по азимуту возбуждения разряда в кварцевой трубе Ф 40-45 мм, на оси которой расположен кварцевый стержень Ф 20 мм и более [16, 17].

Для решения задачи выбран азимутально-симметричный тип волны, имеющий максимум электрического поля на оси резонатора, однако максимальные значения вектора Пойнтинга z не совпадают с осью резонатора, а реализуются на промежуточном радиусе.

Наличие точки на радиусе резонатора Е₀₂₀ делит его пространство на две области - внешнего кольцевого и внутреннего цилиндрического резонаторов, которые могут быть возбуждены как вместе, так и по отдельности. На этом основано предположение о возможности достижения равномерного по азимуту подвода энергии к разряду при одностороннем возбуждении резонатора. Для этого необходимо на окружности установить проводящую перегородку с окнами связи, равномерно распределяющими энергию, подводимую к центральной области резонатора от возбуждаемой волноводом периферийной кольцевой области. Кольцевая проводящая перегородка должна также препятствовать возбуждению нежелательных ТЕ-типов волн.

Волна ТМ₀₂ является волной высшего типа в цилиндрическом волноводе. Последовательность ее возбуждения при f = const и увеличении R волновода выражается следующим рядом: ТЕ₁₁ - ТМ₀₁ - ТЕ₂₁ - - ТЕ₃₁ - ТМ₂₁ - ТЕ₄₁ - ТЕ₂₁ - ТМ₀₂ - ТМ₃₁ …

Для резонаторов электрического типа ТМmnp равенство индекса означает, что резонансная частота зависит только от диэлектрика, заполняющего резонатор, и его радиуса.

Плазмотрон на волне ТМ₀₂ является именно такого типа резонатором на виде колебаний Е₀₂₀, центральная часть которого заполнена сложной слоистой диэлектрической системой со значениями е, различающимися как величиной, так и знаком ( кварцевого стекла = 3,8, воздуха = 1, плазмы - отрицательная величина, зависящая от параметров плазмы). Поэтому его расчет носит ориентирующий характер, помогающий определить минимальные значения диаметра резонатора. При этом размеры периферийного кольцевого резонатора считаются достаточно точно, потому что в этой области отсутствуют диэлектрики с . Центральная область резонатора должна иметь несколько уменьшенные размеры, поскольку подстройка резонансной частоты укорачивающей емкостью сдвигает ее в длинноволновую сторону, как бы увеличивая электрический диаметр резонатора. В эту же сторону сдвигает резонансную частоту внесение в резонатор кварцевого стекла [43-48].

Условием существования в резонаторе ТМ₀₂₀, согласно приведенной последовательности возбуждения высших типов волн в цилиндрическом волноводе, является условие

Для указанных типов волн существуют следующие зависимости критической длины волны от радиуса волновода:

Условия возбуждения можно представить в виде

Откуда получаем: , поскольку для

Таким образом, внутренний диаметр резонатора должен удовлетворять условию

Нами был выбран при работе на макете резонатора внутренний диаметр D = 214 мм.

При этом значение радиуса, на котором обращается в ноль, .

Длина резонатора ТМ₀₂₀ не влияет на его резонансные свойства. Мы выбрали , исходя из того, чтобы иметь запас длины для размещения укорачивающей емкости и обеспечения объема резонатора, накапливающего энергию.

Конструктивно плазмотрон выполнен в виде цилиндрического корпуса, охлаждаемого водой. С одной стороны в боковой стенке плазмотрона имеется фланец, позволяющий вводить внутрь плазмотрона устройство связи периферийной кольцевой области с центральной, а с противоположной стороны по оси вводится металлический цилиндр диаметром 60 мм, являющийся устройством подстройки типа «укорачивающая емкость».

Плазмотрон возбуждается прямоугольным волноводом стандартного сечения 90 х 45, между плазмотроном и волноводом помещен согласующий четвертьволновый трансформатор в виде прямоугольного волновода с внутренними размерами 86,36 х 12 мм.

Кварцевая трубка с размещенным внутри нее кварцевым стержнем располагается соосно с плазмотроном.

На боковых стенках плазмотрона, соосно с трубкой, расположены металлические цилиндры с графитовыми вставками, которые служат для защиты персонала от облучения.

Принципиальные схемы установки и СВЧ плазмотрона Е₀₂₀ представлены на рис. 19, 20, 21 [16,17].

Они устроены и работают следующим образом (применительно к процессу изготовления заготовок).

Сначала кварцевый стержень может подвергаться химическому травлению, мойке сушке и процессу термической полировки СВЧ плазменной горелкой. Термической обработке подлежит и кварцевая трубка-реактор из технического стекла для устранения органических и неорганических загрязнений.

Рис. 19. Схема СВЧ - плазмотрона типа E₀₂₀

Рис. 20. СВЧ плазматрон Е₀₂₀ в печи в процессе перемещения

Рис. 21. Схема процесса СВЧ плазмохимического осажденияотражающей фторсиликатной оболочки на боковую поверхность кварцевого стержня и устройства резонаторного СВЧ плазмотрона на виде колебаний Е₀₂₀

После чего кварцевую трубку-реактор 2 (рис. 21) и соосно с ней кварцевый стержень 1 устанавливают в СВЧ резонатор типа Е₀₂₀ 4 (рис. 19, 20) в вакуумные зажимные патроны. Предусмотрено вращение стержня для более равномерного на него осаждения отражающей фторсиликатной оболочки. Затем СВЧ резонатор с кварцевым реактором и стержнем помещают в печь 9 (рис. 20) и нагревают стержень до температуры 1150-1200^оС для дегазации хлора из осаждаемых на него слоев SiO₂-F, чтобы избежать их растрескивания. СВЧ энергия от генератора СВЧ электромагнитных колебаний через волновод 8 поступает в резонатор 4 и при пониженном давлении (1-3торр) рабочего газа-кислорода 10 зажигается СВЧ плазма 3 в реакторе вокруг стержня (рис. 21). Включается система перемещения резонатора с плазмой, и он начинает возвратно-поступательно перемещаться относительно стержня со скоростью 2-2,5 м/мин. и более.

После установления рабочего давления газа 8-12 торр, на вход реактора 5 с помощью системы 9 подаются химические реагенты (SiCl₄, О₂ и смесь фреона C₃F₈ с кислородом в определенном соотношении) и начинается непрерывный процесс послойного гетерогенного осаждения оптически чистого фторсиликатного стекла на боковую поверхность кварцевого стержня. Толщина осаждаемых слоев (суммарная) определяется заданным соотношением диаметра световода к диаметру сердцевины. Обычно оно составляет 1,06-1,1.

На рис. 22, представлен ППП (профиль показателя преломления) заготовки состава SiO₂/SiO₂-F, изготовленной методом POVD с помощью Е₀₂₀ резонатора. Осаждение проводилось на кварцевый стержень диаметром 24 мм. Зона осаждения составляла ~ 1000 мм.

Рис. 22

В принципе, для создания высокоапертурных световодов (NA~0,4), отражающая фторсиликатная оболочка может быть нанесена на кварцевые стержни, легированные германием (рисунок 23), а также на «активные» стержни, легированные различными редкоземельными элементами РЗЭ с отражающей кварцевой оболочкой. В этом случае, отражающая фторсиликатная оболочка будет второй, что значительно повышает к.п.д. «накачки» активного световода. При необходимости, на внешнюю поверхность заготовки волоконного световода можно нанести защитную оксинитридную оболочку для повышения стойкости к диффузии водорода и увеличение прочности и термостойкости волоконного световода.

Рис. 23.

Метод автоматизированного управления резонансным режимом работы СВЧ плазмотрона и температурой процесса осаждения

Для разработки метода безынерционной автоматической настройки СВЧ резонаторного плазмотрона на резонансную частоту и поддержания неизменной температуры процесса осаждения использовались: СВЧ-резонатор Е₀₁₀, коаксиальный кабель с петлей связи для возбуждения резонатора, волоконно-оптический датчик, контролирующий температуру трубки (плазмы), транзисторный усилитель мощности СВЧ, задающий генератор, электрически перестраиваемый по частоте электромагнитных колебаний СВЧ в полосе усилителя мощности, датчик контроля через направленный ответвитель и детекторную секцию мощности СВЧ, отраженной от входа в резонатор, для автоматической резонансной настройки СВЧ-резонатора, электрически управляемый аттенюатор, установленный между задающим генератором и усилителем, для регулирования выходной мощности СВЧ и поддержания оптимальной температуры трубы (плазмы), программное устройство для управления технологическим процессом в требуемых режимах получения заготовки волоконного световода [18, 49].

Сущность метода поясняется на рисунках. На рис. 24 представлена схема СВЧ-устройства на волне Е₀₁ для активации плазмы, а также структура и эпюры электрического поля в резонаторе Е₀₁₀; на рис. 25 - продольный разрез СВЧ резонатора; на рисунке 26 - функциональная схема автоматизированного СВЧ резонаторного устройства.

Как показано на рис. 24, 25 СВЧ резонаторное устройство содержит коаксиальный кабель 1, реактор 2, экранирующие цилиндры 3, резонатор 4, плазму 5, передвижные поршни 6, волоконно-оптический датчик с вводами 7.

Рис. 24.

Рис. 25.

На рис. 26 показаны остальные узлы СВЧ-устройства, где 8 - аттенюатор, 9 - генератор электромагнитных колебаний СВЧ, 10 - усилитель мощности СВЧ, 11 - ответвитель, 12 - детекторная секция, 13 - программное устройство, 14 - волоконно-оптический датчик температуры, 15 - система подачи рабочего газа.

Рис. 26. Функциональная схема взаимодействия узлов автоматического СВЧ резонаторного устройства.

Электромагнитная энергия СВЧ через коаксиальную линию (или кабель) 1 с петлей связи (рисунок 24) поступает на вход резонатора 4, в котором симметрично по оси резонатора в максимальном электрическом поле расположен реактор 2 (кварцевая трубка 2 диаметром 14Ч11 мм). В центре трубки в зазоре между экранирующими цилиндрами 3, выполняющими роль предварительной емкостной настройки резонатора 4 на резонансную частоту, расположена плазма 5. Передвижные поршни 6 позволяют осуществлять предварительную индуктивную настройку резонатора на резонансную частоту.

Для контроля рабочей температуры трубки (плазмы) 5 в резонаторе 4 (рисунок 25) предусмотрены вводы 7 для волоконно-оптического датчика температуры 14 (рисунок 26), особенностью которого является высокая точность (1ч2°С) измерения температуры, отсутствие электрических наводок при регистрации температуры в поле СВЧ и неизменность структуры электромагнитного поля. На вход реактора 2 непрерывно поступает из системы подачи 15 рабочий газ (например, SiCl₄ + O₂+ C₂F₆).

Эффективность процесса осаждения кварцевых слоев определяются системой автоматического поддержания резонансной частоты резонатора Е₀₁₀, определяющей эффективность ввода в него СВЧ-мощности, через контроль уровня отражаемой СВЧ-мощности от входа в резонатор с помощью направленного ответвителя 11 с детекторной секцией 12 (рисунок 26) и поддержанием постоянной оптимальной рабочей температуры трубки (плазмы) с помощью волоконно-оптического датчика температуры 14, позволяющего точно измерять температуру трубки (плазмы) в СВЧ-поле и поддерживать оптимальную рабочую температуру трубки (плазмы) в электромагнитном поле СВЧ, регулируя с помощью электрически управляемого аттенюатора 8 уровень СВЧ-мощности 10, поступающей на вход резонатора 4.

Для стабилизации технологического режима работы СВЧ резонаторного устройства, обеспечивающего высокую скорость активации химических реакций плазмой, используются системы автоматической обратной связи, обеспечивающие в течение всего технологического процесса осаждения оптических структур работу резонатора в резонансном режиме и постоянство оптимальной температуры трубки (плазмы) (рис. 26).

Автоматическое регулирование технологического процесса осуществляется с помощью программного устройства 13 по заданной программе с использованием датчика (11 и 12) контроля резонансной частоты резонатора 4 с помощью направленного ответвителя 11 и детекторной секции 12 и датчика контроля температуры 14 трубки (плазмы) 5. По заданной программе устройством 13 автоматически обеспечивается регулировка в системе подачи 15 расхода хим. реагентов и в соответствии с изменением расхода реагентов осуществляется автоматическая регулировка выходной СВЧ-мощности усилителя 10 и эффективности ее ввода через ответвитель 11 и детекторную секцию 12 в резонатор 4 для достижения оптимальной температуры трубки. Схема реализации метода резонансного режима работы СВЧ плазмотрона может быть представлена следующим образом, рис. 27 [18, 22, 49].

Она состоит из маломощного задающего генератора 1, электрически перестраиваемого по частоте, электрически управляемого аттенюатора 2, мощного транзисторного широкополосного усилителя 3, ферритового циркулятора 4 с датчиком контроля уровня отраженной от входа резонатора СВЧ мощности, круглого (гибкого, гофрированного) волновода или коаксиального кабеля 5, поляризатора волны ТЕ₁₁ (Н₁₁) или (предпочтительно) устройства ввода СВЧ излучения в резонатор с вращением плоскости поляризации 6, резонатора (СВЧ плазмотрона) на типе колебаний ТЕ₁₁₁ (Н₁₁₁) 7 с кварцевой опорной трубой 8, расположенной соосно оси резонатора, печи 9 для нагрева опорной кварцевой трубы, системы перемещения резонатора 10, вакуумной системы 11, системы подачи химических реагентов и кислорода 12, блока осушки кислорода 13, двух вакуумметров 14, расположенных на входе и выходе опорной трубы, натекателя 15 и ловушки 16 перед входом отработанного рабочего газа в насос, системы автоматической обратной связи, состоящей из датчика контроля уровня отраженной от входа резонатора (СВЧ плазмотрона) СВЧ мощности 4 и датчика контроля температуры опорной трубы 17, электрически управляемого аттенюатора 2 и электрически перестраиваемого по частоте задающего генератора 1, которые с помощью компьютера 18 автоматически обеспечивают резонансный режим работы СВЧ плазмотрона 7 на типе колебаний ТЕ₁₁₁ (Н₁₁₁) и постоянную, оптимальную для заданного режима осаждения температуру поверхности опорной кварцевой трубы 8 при различных скоростях перемещения СВЧ плазмотрона, при изменении давления рабочего газа, концентрации химических реагентов и скорости их протока.

Рис. 27. Схема метода с автоматической подстройкой СВЧ резонатора на резонансную частоту

Выводы

По результатам проведенных исследований можно сделать следующие выводы:

1. Созданы оптимальные конструкции резонаторных СВЧ плазмотронов на виде колебаний Н₁₁₁ (ТЕ₁₁₁) и Е₀₂₀ (ТМ₀₂₀) для технологии синтеза методами POVD и PCVD в плазме резонансного СВЧ-разряда пониженного давления оптических структур недорогих крупногабаритных заготовок специальных двухслойных многомодовых и одномодовых радиационностойких, термостойких и высокопрочных волоконных световодов на основе кварцевого стекла, легированного фтором и азотом.

2. Впервые предложен и разработан на базе созданных СВЧ плазмотронов недорогой метод изготовления заготовок специальных многомодовых волоконных световодов с кварцевой сердцевиной и фторсиликатной отражающей оболочкой внешним плазмохимическим осаждением только отражающей фторсиликатной оболочки на боковую поверхность кварцевого стержня в плазме резонансного СВЧ-разряда пониженного давления (метод POVD).

3. На основе метода POVD созданы образцы силовых и специальных двухслойных (без опорной трубы) радиационностойких, гибких, высокоапертурных (~ 0,3), многомодовых волоконных световодов с увеличенным диаметром сердцевины (>1 мм).

4. Впервые предложен недорогой метод PCVD для изготовления трубчатых заготовок специальных радиационностойких, двухслойных, гибких одномодовых волоконных световодов осаждением только сердцевины (кварцевой, оксинитридной) на внутреннюю поверхность толстостенной кварцевой или фторсиликатной трубы толщиной 8-10 мм и более, являющейся отражающей оболочкой световода, в плазме резонансного СВЧ-разряда пониженного давления.

5. Впервые предложен и разработан на базе созданных СВЧ плазмотронов метод внешнего плазмохимического осаждения в плазме резонансного СВЧ-разряда пониженного давления на боковую поверхность кварцевой заготовки (трубы) защитной оксинитридной оболочки, предотвращающей диффузию ОН групп в волоконный световод при его нагреве в экстремальных условиях и повышающей его прочность и термостойкость.

6. Впервые предложен и разработан эффективный метод для технологии синтеза оптических структур заготовок специальных волоконных световодов с безинерционным, автоматизированным управлением резонансным режимом работы СВЧ плазмотрона и оптимальной температурой процесса изготовления на базе мощного транзисторного усилителя, электрически перестраиваемых задающего генератора и аттенюатора, установленного между ними, датчика контроля отраженной от входа резонатора СВЧ мощности и датчика контроля температуры осаждаемого стекла.

Литература

1. “Optical Fiber Communications”, vol. 1, ed. By Tingy Li, Academic Press, Orlando, 1985.

2. Th. Hunlich, H. Bauch, R.Th. Kersten, V. Paquet, G.F. Weidmann, “Fiber preform fabrication using plasma technology: a review”. // J. Opt. Commun., 1987, vol. 4, № 8, p. 122-129.

3. Блинов Л.М., Берикашвили В.Ш., Фирсов В.М. «Способ получения оптического волокна» Авт. свидетельство № 869225 с приоритетом от 31.08.1979.

4. Блинов Л.М., Заморенов А.Т., Кирсанов А.В., Лысов Г.В., Петров Е.А. «Установка для сверхвысокочастотной плазменной обработки». Авт. свидетельство №876039 с приоритетом от 29.02.1980.

5. Блинов Л.М., Девяткин И.И., Дианов Е.М., Лысов Г.В., Прохоров А.М.,Фирсов В.М. «Способ получения заготовок волоконных световодов и устройство для его осуществления». Авт. свидетельство № 987924, с приоритетом от 11.06.1981.

6. Koel G.J. «Технические и экономические аспекты различных способов производства волокна». //Материалы 8 Европейской конференции по волоконной оптике. Канны, 1982 г.

7. Geittner P. //CVD-1984, Proc.9^th Int. Conf. Cincinnati, Ohio, 7-10 May, 1984, pp. 479-502.

8. Блинов Л.М., Володько В.В., Соломатин А.М. «Применение плазмы СВЧ-разряда пониженного давления для синтеза оптических структур волноводов». //«Плазмохимия-89», II, Москва 1989.

9. Артюшенко В.Г., Блинов Л.М., Володько В.В., Гуляев Ю.В., Дианов Е.М., Конов В.И., Пашинин В.П., Прохоров А.М., Силенок А.С., Соломатин А.М., Фирсов В.М., Шилов И.П. «Кварцевые волоконные световоды для передачи мощного лазерного излучения». //Известия АН СССР, т.54, №8, стр. 1570-1573, 1990.

10. Блинов Л.М., Блинов А.Л., Володько В.В., Соломатин А.М., Фирсов В.М. «Способ производства ЗВС». Патент РФ № 2036864 с приоритетом от 23.09.1991г.

11. Neuberger W., Blinov L.M. “Surface plasma wave coating technique for dielectric filaments”. Patent US № 5,595,793, 1997 г.

12. Neuberger W., Blinov L.M. “Method and apparatus for coating dielectrics”. Patent US № 5,597,624, 1997.

13. Neuberger W., Blinov L.M., Pavlov V.V. “Method and device for plasma vapor chemical deposition of homogeneous films on large flat surfaces”. Patent US № 5,563,365, 1997.

14. Blinov L.M. “Method for production of silica optical fiber perform”. Patent US № 6,928,839, 2005.

15. Neuberger W., Blinov L.M. “Method of silica optical fiber perform production”. Patent US № 6,988,380, 2006.

16. Neuberger W., Volodko V.V., Blinov L.M. “Method of forming an optical fiber perform using an E₀₂₀ plasma field configuration”. Patent US № 6,138,478, 2000.

17. Блинов Л.М., Герасименко А.П., Гуляев Ю.В. «Способ изготовления заготовок волоконных световодов, устройство для его осуществления и заготовка, изготовленная этим способом». Патент РФ № 2362745 с приоритетом от 18.06.2007.

18. Блинов Л.М., Герасименко А.П., Гуляев Ю.В. «Способ изготовления заготовок волоконных световодов, устройство для его осуществления и заготовка, изготовленная этим способом». Патент РФ № 2363668 с приоритетом от 08.08.2007.

19. Блинов Л.М., Герасименко А.П., Гуляев Ю.В. «Способ изготовления кварцевых заготовок волоконных световодов, устройство для его осуществления и заготовка, полученная данным способом». Патент РФ № 2385842 с приоритетом от 02.12.2008.

20. Блинов Л.М., Герасименко А.П., Гуляев Ю.В. « Устройство для изготовления кварцевых штабиков заготовок волоконных световодов». Патент РФ № 92284 с приоритетом от 12.11.2009.

21. Блинов Л.М., Герасименко А.П., Гуляев Ю.В. «Способ и устройство для бокового осаждения на кварцевый стержень повышенного диаметра отражающей фторсиликатной оболочки в СВЧ плазме пониженного давления». //Тезисы доклада Всероссийской конференции по волоконной оптике, г. Пермь, 2009г. «Фотон-экспресс», №6, 2009, стр. 51-52.

22. Блинов Л.М., Герасименко А.П., Гуляев Ю.В. «Способ изготовления кварцевых заготовок одномодовых волоконных световодов, устройство для его осуществления и заготовки, изготовленные данным способом». Патент РФ № 2433091 с приоритетом от 19.04.2010.

23. Дикарев Ю.И., Сыноров В.Ф., Толстых Б.П. «Плазмохимическое травление в технологии ИС». //Зарубежная электронная техника 2, январь 1978, ЦНИИ «Электроника».

24. Александров Д.И. Модель газофазных процессов в СВЧ разряде пониженного давления O₂/SiCl₄/SF₆ при осаждении слоев SiO₂. Автореферат диссертации на соискание ученой степени к.ф.м.н. Москва, 1987.

25. Babenko V.A., Blinov L.M., Volodko V.V., Kaganov L.I., Ragavski A.A., Solomatin A.M. «Plasma-chemical process modeling in fibre waveguide technology». //Sov. Lightwave Commun, 2 (1992), pp. 199-212.

26. Александров Д.И., Блинов Л.М., Дианов Е.М., Лебедев Ю.А. «Влияние различных типов соударений на энергетическое распределение электронов в плазме пониженного давления: Ar, O₂». //«Физика плазмы», т.12, №8, стр. 1008-1012, 1986.

27. Патент ФРГ № 2444100, 1978

28. R.Setaka, H.Takahashi, T.Sato, S.Vashida. //New Orleans-84, Digital Technics Papers TUM-2

29. P. K. Bachmann, P.Geittner, D.Leers, H.Wilson. //Journal of Lightwave technology, vol. LT-4, №7, Yuly 1986, pp. 813-816.

30. P.Geittner, H.J.Hagemann, J.Warnier, H. Wilson. //Journal of Lightwave technology, vol. LT-4, №7, Yuly 1986, pp. 818-821.

31. P. K. Bachmann, W. Hermann, H. Wehr, D.I. Wiechert. //Applied Optics, 1April 1986, vol. 25, №7, pp. 1093-1098.

32. Artjushenko V.G., Blinov L.M., Volodko V.V., Gulyaev Yu.V., Dianov E.M., Prokhorov А.М., Pashinin V..М., Solomatin A.M., Shilov I.P. «Plasma-chemical synthesis of power fiber silica structures in a plasma of RF and SRF discharges». //Sov. Lightwave Commun, 2 (1992), pp. 171-182.

33.Белов А.В., Блинов Л.М., Володько В.В., Гурьянов А.М., Девятых Г.Г., Дианов Е.М., Долгов А.П., Неустроев В.Б., Прохоров А.М. и др. «Кварцевый волоконный световод с оболочкой, легированной фтором, и сердцевиной из чистого кварцевого стекла». //«Квантовая электроника», №3, том 12, 1985.

34. Блинов Л.М., Володько В.В., Каганов Л.И., Ражавский А.А. «Получение легированных фтором слоев кварцевого стекла в СВЧ-разряде пониженного давления». //Письма в ЖТФ, т.17, вып. 19, стр. 87-91, 1991г.

35. Дианов Е.М., Корниенко Л.С., Никитин Е.П., Рыбалтовский А.О., Сулимов В.Б., Чернов П.В. «Радиационно-оптические свойства волоконных световодов на основе кварцевого стекла». //«Квантовая электроника», т.10, №3, 1983.

36. Блинов Л.М., Володько В.В., Соломатин А.М., Фирсов В.М. «Влияние состава световодов на радиационную устойчивость». //«Электронная техника», сер. 6, вып. 2, 1990.

37. Долгов И.И., Иванов Г.А., Чаморовский Ю.К., Яковлев М.Я. «Радиационно-стойкие одномодовые оптические волокна с кварцевой сердцевиной». //Спец. выпуск «Фотон-экспресс» - «Наука», № 6, 2005.

38. Абрамов А.В., Блинов Л.М., Володько В.В., Дианов Е.М., Корниенко Л.С., Рыбалтовский А.О., Соломатин А.М., Харламов А.Н. «Радиационные центры окраски в кварцевых фторсодержащих стеклах, изготовленных PCVD методом». //«Высокочистые вещества», №2, стр. 63-67, 1990.

39. Гурьянов Н.Н., Ким В.М., Машинский В.М., Неустроев В.Б. и др. «Основные радиационные эффекты в германосиликатном стекле и волоконных световодах на его основе». //Труды ИОФАН - 1990, т.23, с. 94.

40. Томашук А.Л., Голант К.М., Забежайлов М.О. «Разработка волоконных световодов для применения при повышенном уровне радиации». //«Волоконно-оптические технологии, материалы и устройства», №4, 2001, с. 52-65.

41. Блинов Л.М., Володько В.В., Гонтарев Г.Г., Лысов Г.В., Полак Л.С. «СВЧ плазмотроны, их характеристики и область применения». //«Генераторы низкотемпературной плазмы». «Энергия», Москва, 1969г., стр. 345-367 (Труды III Всесоюзной научно - технической конференции по генераторам низкотемпературной плазмы).

42. Блинов Л.М., Володько В.В., Соломатин А.М., Фирсов В.М. «Устройство для получения ЗВС». Авт. свидетельство № 1573753 от 22.02.1990.

43. Лебедев И.В. «Техника и приборы СВЧ», I, II. //«Высшая школа», Москва, 1970.

44. Вайнштейн Л.А. «Электромагнитные волны». //Москва, «Радиосвязь», 1988.

45. Семенов Н.А. «Техническая электродинамика». //«Связь», Москва, 1973.

46. Никольский В.В. «Теория электромагнитного поля»

47. Ширман Л.Д. «Радиоволны и объемные резонаторы». //«Связь», 1959.

48. Левин Н.Л. «К теории тороидальных резонаторов». //ЖТФ, 1946, т.16, вып. 7.

49. Блинов Л.М., Герасименко А.П., Гуляев Ю.В. «СВЧ плазмохимическая установка пониженного давления с использованием транзисторного усилителя для изготовления кварцевых заготовок волоконных световодов методом PCVD». //Тезисы доклада Всероссийской конференции по волоконной оптике, г. Пермь, 2009г. «Фотон-экспресс», №6, 2009, стр. 130-131.

50. C.Ray, et al. //“Proc. Soc. Photo-Opt. Instrum. Eng”, 1986, v. 717, pp. 27-32.

51. T. Shiota et al. «Gloio dischard polymerization on optical fiber». // OFC' 86 Technical Dusest, 1989, Atlanta, USA, TUE 3., p. 30,

52. Патент Японии № 62-65948

53. Патент США № 4.402.993

54. Блинов Л.М., Володько В.В., Шилов И.П., Куликовский Н.В., Нойбергер В., Грачек Б., Вороновский Д.Ю. « Осаждение алмазоподобных пленок на кварцевое волокно в плазме СВЧ разряда пониженного давления». //«Радиотехника и электроника», вып. 6, 1995.

55. H.Haramoay et al. //G. of Lyght Techn, v. LT-4, № 8, 1986, pp. 1144-1150.

56. N. Ucsugu et al. // OFS' 85, San-Diego, Techn. Dig, 1985, pap. Tu 1.

57. J. Tamira et al. // OFS' 88, Neio Orlean, Techn. Dig, 1988, w. QZ.

58. F.Flam. //SCI.Neios 1989, v. 135, № 11, p. 167.

59. T.H. Elmer, M.E. Norolberg. // VII Congres Int du Verre, Comptes Rendus, Charleroi-Bruxelles, 1965.

Размещено на Allbest.ru