Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Биполярные структуры
Энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от конструктивно-технологических параметров. Моделирование физических процессов в биполярных структурах.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Физика полупроводниковых приборов |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Мещеряков |
| Дата добавления | 03.11.2018 |
| Размер файла | 368,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.
курсовая работа [745,2 K], добавлен 11.12.2015Определение параметров регулятора и компенсатора для непрерывных системы и для дискретной системы возмущающего воздействия. Моделирование переходных процессов, моделирование дискретной и непрерывной систем и расчет наблюдателя переменных состояния.
курсовая работа [783,7 K], добавлен 07.12.2014Определение параметров структурно-физических математических моделей диодов и полевых транзисторов, малосигнальных и структурно-физических моделей биполярных транзисторов. Исследование элементов системы моделирования и анализа радиоэлектронных цепей.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 17.03.2011Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 28.04.2013Идентификация параметров электромеханической системы. Моделирование нелинейных объектов. Оптимизация параметров пид-регуляторов для объектов управления с нелинейностями с применением пакета прикладных программ Nonlinear Control Design (NCD) Blockset.
лабораторная работа [474,0 K], добавлен 25.05.2010Описание физических процессов в полупроводниковой структуре, расчет необходимых электрофизических характеристик заданной структуры. Краткое описание областей применения заданной полупроводниковой структуры в микроэлектронике и методов ее формирования.
курсовая работа [956,8 K], добавлен 16.04.2012Основные методы изготовления, электрические и эксплуатационные параметры, целесообразность изготовления мощного импульсного стабилизированного блока питания. Расчёты электрических и физических параметров устройства и эргономические показатели работы.
курсовая работа [337,9 K], добавлен 28.08.2012Анализ и моделирование процессов формирования конструктивно технологических характеристик монтажных соединений электронной аппаратуры, методов и средств технологического мониторинга свойств МОС. Методы выявления и оценивания информационных признаков.
дипломная работа [4,2 M], добавлен 06.06.2010Анализ физических процессов в структуре металл-диэлектрик-полупроводник. Расчет необходимых характеристик полупроводниковой структуры. Построение диаграммы МДП-структуры в режиме сильной инверсии. Технология изготовления комплементарных МОП-транзисторов.
курсовая работа [945,3 K], добавлен 06.04.2014
