Моделирование физических процессов в полупроводниковых структурах при воздействии мощного СВЧ-импульса. Структуры с барьером Шоттки
Результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 03.11.2018 |
| Размер файла | 452,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Механизм электронного транспорта в полупроводниках. Методы математического моделирования кинетических процессов. Реализация численной модели расчета субмикронного полевого транзистора с барьером Шоттки. Анализ распределения электрофизических параметров.
отчет по практике [2,2 M], добавлен 07.01.2013Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.
курсовая работа [745,2 K], добавлен 11.12.2015Виды и обозначение диодов. Основные параметры выпрямительных диодов. Диоды Шоттки в системных блоках питания, характеристики, особенности применения и методы проверки. Проявление неисправностей диодов Шоттки, их достоинства. Оценка возможности отказа.
курсовая работа [52,6 K], добавлен 14.05.2012Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.
реферат [237,4 K], добавлен 20.12.2013Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.
курсовая работа [666,0 K], добавлен 06.12.2012Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013Виды ионизирующих излучений. Нарушения процессов жизнедеятельности организма при биологическом воздействии радиации. Методы построения микропроцессорных систем. Центральный процессор на базе ВМ85А. Построение блоков питания. Расчёт надежности прибора.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 30.06.2012- Методы расчета линейных электрических цепей при импульсном воздействии. Спектральный анализ сигналов
Выполнение качественного анализа переходных процессов напряжений и токов на реактивных элементах, их расчет классическим и операторным методами. Вычисление и построение графика спектральной плотности амплитуд прямоугольного импульса и искомой переменной.
курсовая работа [351,7 K], добавлен 27.01.2010 Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах. Исследование влияния формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs.
дипломная работа [3,2 M], добавлен 18.07.2014Нанокластеры и их энергетическое состояние. Влияние нанокластеров на свойства полупроводниковых материалов. "Захороненные" барьеры Шоттки. Формирование ансамблей боросиликатных нанокластеров в кремниевой матрице. Применение электронной оже-спектроскопии.
дипломная работа [5,2 M], добавлен 06.12.2015Построение амплитудно-частотной и фазо-частотной характеристики отрезка волновода в заданном диапазоне. Картина силовых линий электромагнитного поля, зависимость их продольных составляющих от поперечных координат. Изменение длительности импульса.
контрольная работа [1,7 M], добавлен 07.02.2011Вольтамперная характеристика выпрямительного диода на постоянном токе для прямой ветви. Схема диода Шоттки с осциллографом на переменном токе. Изучение диодных ограничителей с нулевыми пороговым значением. Схема диодных ограничителей со стабилитронами.
лабораторная работа [902,0 K], добавлен 08.06.2023Определение передаточной функции цепи и спектра периодического входного сигнала. Вычисление спектра реакции при воздействии одиночного импульса. Изучение спектральных характеристик одиночного импульса воздействия. Составление уравнений состояний цепи.
курсовая работа [405,0 K], добавлен 21.04.2016Современные тенденции развития источников сверхкоротких электромагнитных импульсов. Исследование электромагнитной обстановки в помещении, ее моделирование при воздействии сверхкоротких электромагнитных импульсов на цифровые электронные средства.
дипломная работа [3,1 M], добавлен 13.05.2012Изучение представления о булевой алгебре. Сравнительная оценка базовых логических элементов. Устройство и принцип работы резисторно–емкостной транзисторной и транзисторно–транзисторной логики с диодами Шоттки. Примеры и характеристики серии микросхем.
контрольная работа [635,0 K], добавлен 24.11.2015Характеристики полупроводниковых материалов. Классификация источников излучения. Светоизлучающие диоды. Лазер как прибор, генерирующий оптическое когерентное излучение на основе эффекта вынужденного или стимулированного излучения, его применение.
курсовая работа [551,5 K], добавлен 19.05.2011Степень опасности грозовых явлений для народного хозяйства и для авиации. Расчет и анализ повторяемости гроз в летний и переходный период. Сравнительная характеристика повторяемости гроз. Исследование физических процессов, протекающих в грозовых облаках.
дипломная работа [939,5 K], добавлен 11.10.2019Особенности блока вычислителя оптического координатора. Алгоритм моделирования и расчета в системе Solid Works. Анализ и расчет тепловых характеристик. Классификация систем охлаждения. Моделирование тепловых процессов в программной среде Solid Works.
дипломная работа [4,3 M], добавлен 21.09.2016Отработка технологии получения тонких пленок BST. Методики измерения диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрической пленки, напыленной на диэлектрическую подложку. Измерения емкости в планарных структурах.
дипломная работа [2,2 M], добавлен 15.06.2015Анализ физических процессов в структуре металл-диэлектрик-полупроводник. Расчет необходимых характеристик полупроводниковой структуры. Построение диаграммы МДП-структуры в режиме сильной инверсии. Технология изготовления комплементарных МОП-транзисторов.
курсовая работа [945,3 K], добавлен 06.04.2014
