Оптимизация приготовления сверхпроводящих эпитаксиальных YBa2Cu3O7-x пленок как базовых электродов для джозефсоновских переходов
Влияние технологических параметров приготовления на электрические и структурные свойства эпитаксиальных пленок, полученных из высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-x распылением. Параметры химической и термической обработки NdGaO3 подложек.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Предмет | Радиотехника и электроника |
Вид | статья |
Язык | русский |
Прислал(а) | И.И. Гундарева |
Дата добавления | 03.11.2018 |
Размер файла | 1,2 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Физико-химические основы гомогенного и гетерогенного зарождения и роста новой фазы, химический рост эпитаксиальных пленок. Термодинамика поверхностных процессов. Электрофизические характеристики соприкасающихся поверхностей и границ раздела слоев.
курсовая работа [13,0 M], добавлен 30.01.2011Разработка и изготовление устройства магнетронного получения тонких пленок. Пробное нанесение металлических пленок на стеклянные подложки. Методы, применяемые при распылении и осаждении тонких пленок, а также эпитаксиальные методы получения пленок.
курсовая работа [403,6 K], добавлен 18.07.2014Ионно-плазменные методы получения тонких пленок. Конструктивные особенности установки катодного распыления. Характеристики и применение тонких пленок, полученных методом ионного распыления, последовательность процесса. Достоинства и недостатки метода.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 17.12.2014Изучение требований, предъявляемых к тонкопленочным резисторам. Физическая природа удельного электрического сопротивления пленок. Изучение методов осаждения пленок. Способы конструирования тонкопленочных резисторов. Выбор геометрии и площади резистора.
реферат [3,2 M], добавлен 07.11.2010Отработка технологии получения тонких пленок BST. Методики измерения диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрической пленки, напыленной на диэлектрическую подложку. Измерения емкости в планарных структурах.
дипломная работа [2,2 M], добавлен 15.06.2015Основные понятия тонких пленок. Механизм конденсации атомов на подложке. Рост зародышей и формирование сплошных пленок. Расчет удельного сопротивления островка. Определение удельного сопротивления обусловленного рассеянием электронов на атомах примеси.
курсовая работа [550,5 K], добавлен 31.03.2015Разработка системы контроля технологических параметров хранилища лука. Электрические параметры и эксплуатационные характеристики микроэлектронных цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей. Обзор устройств и применение датчиков температуры.
курсовая работа [181,6 K], добавлен 07.02.2016Рассмотрение физических (термовакуумное напыление, катодное, трехэлектродное, высокочастотное, реактивное, магнетронное, лазерное распыление) и химических (жидкофазная, газофазная МОС-гидридная эпитаксия) вакуумных методов получения тонких пленок.
курсовая работа [431,0 K], добавлен 16.02.2010- Центр электронных технологий и технической диагностики технологических сред и твердотельных структур
Организационная структура Центра технической диагностики. Технологии ионно-лучевого и ионно-плазменного формирования тонких пленок. Магнетронная распылительная система. Изучение конструкции и принципа действия. Нормативно-техническая документация.
отчет по практике [683,4 K], добавлен 07.08.2013 Производство полупроводникового кремния. Действие кремниевой пыли на организм. Защита органов дыхания. Литография как формирование в активночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложек, рельефного рисунка. Параметры и свойства фоторезистов.
курсовая работа [23,8 K], добавлен 09.03.2009