Туннельные поляронные эффекты и плотность состояний на уровне ферми двумерной электронной системы

Немонотонная зависимость туннельной плотности состояний на ферми-уровне от магнитного поля. Изменения формы фононных линий и достижения условий близости к резонансному поляронному состоянию. Изучение изготовленной молекулярно-лучевой эпитаксией структуры.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Электроника
Вид статья
Язык русский
Прислал(а) И.Н. Котельников
Дата добавления 03.11.2018
Размер файла 73,0 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Основы метода и оборудование для его осуществления. Создание наноструктур с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии плёнок из соединений AIIIBV. Поверхностная подвижность атомов Al и Ga, их нанослои.

    курсовая работа [3,9 M], добавлен 14.05.2016

  • Дискретный источник информации. Статистика его состояний, кодированный сигнал на логическом уровне, равномерный и неравномерный код. Физическая реализация элементарного сигнала, спектральное представление элементарного сигнала. Полоса частот канала.

    лабораторная работа [119,3 K], добавлен 06.07.2009

  • Понятие и внутренняя структура модели устройства в пространстве состояний как известного способа описания линейных устройств. Принципы и этапы ее построения в форме пространства и передаточной функции. Нелинейные устройства обработки аналоговых сигналов.

    реферат [70,5 K], добавлен 21.08.2015

  • Определение геометрии электродов и конфигурации магнитного поля, обеспечивающих формирование пучка с известными параметрами методом синтеза. Выбор ортогональной сетки. Расчет электронной пушки методом анализа, блок-схема программы для расчета, результаты.

    курсовая работа [411,8 K], добавлен 27.10.2010

  • Основные положения процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Устройство установки, принципы действия: рабочий объем, эффузионные ячейки. Дифракция быстрых электронов. Использование раствора кадмий-ртуть-теллур для производства инфракрасных и фотоприемников.

    курсовая работа [890,4 K], добавлен 11.04.2012

  • Соотношение для спектральных плотностей входного и выходного сигнала, дискретное преобразование Фурье. Статистические характеристики сигналов в дискретных системах. Дискретная спектральная плотность для спектральной плотности непрерывного сигнала.

    реферат [189,3 K], добавлен 23.09.2009

  • Аналитическое исследование сетей массового обслуживания с помощью стационарного (инвариантного) распределения вероятностей состояний, его зависимость от вида функций распределения времени обслуживания. Постановка задачи, составление уравнения уравновесия.

    курсовая работа [165,0 K], добавлен 18.09.2009

  • Определение удельной емкости между затвором и подложкой. Равновесный удельный поверхностный заряд. Напряжение спрямления энергетических зон. Потенциал уровня Ферми. Крутизна МДП-транзистора в области насыщения. Расчет максимальной рабочей частоты.

    контрольная работа [716,5 K], добавлен 13.08.2013

  • Процесс разработки функциональной схемы автомата Мура для операции деления без восстановления остатка. Кодировка состояний переходов, системы логических функций, сигналов возбуждения, их минимизация. Построение функциональной схемы управляющего автомата.

    курсовая работа [868,4 K], добавлен 07.04.2012

  • Построение амплитудно-частотной и фазо-частотной характеристики отрезка волновода в заданном диапазоне. Картина силовых линий электромагнитного поля, зависимость их продольных составляющих от поперечных координат. Изменение длительности импульса.

    контрольная работа [1,7 M], добавлен 07.02.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.