Электрополевой гистерезис в гетеросистеме N-ALGAAS/GAAS с 2D электронами
Анализ полупроводниковых двумерных систем. Динамика проявления DХ-фактора в явлениях переноса в параметрической связи с температурой. Изучение электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики латеральной проводимости одиночного гетероперехода.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Кадушкин В.И. |
| Дата добавления | 04.11.2018 |
| Размер файла | 108,3 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
История создания и устройство телеграфона. Преимущества и недостатки магнитофонных записей. Основные сведения о магнитных явлениях. Предельная петля гистерезиса материала. Закон Босанквета (закон Ома для магнитной цепи). Явление саморазмагничивания.
контрольная работа [86,0 K], добавлен 16.11.2010Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа [133,6 K], добавлен 05.06.2013Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), определение его вольтамперной характеристики. Расчет зависимости плотности тока насыщения от температуры.
курсовая работа [612,5 K], добавлен 12.12.2011Анализ современного состояния работ, посвященных исследованию неустойчивостей тока в полупроводниковых структурах. Исследование влияния формы контактных площадок на параметры токовых колебаний в мезапланарных структурах на основе высокоомного GaAs.
дипломная работа [3,2 M], добавлен 18.07.2014Технология изготовления, принцип действия, физические процессы в полупроводниковых диодах. Расчёт вольтамперной характеристики пробивного напряжения электронно-дырочного перехода. Основные особенности использования диодных структур в интегральных схемах.
курсовая работа [752,0 K], добавлен 31.05.2014Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция [297,5 K], добавлен 19.11.2008Графическое и аналитическое решение трансцендентного уравнения. Выполнение аппроксимации вольтамперной характеристики диодов различных видов методом полинома третьего порядка. Определение реакции цепи на входное воздействие при помощи интеграла Дюамеля.
контрольная работа [3,3 M], добавлен 15.08.2012Виды и классификация антенн систем сотовой связи. Технические характеристики антенны KP9-900. Основные потери эффективности антенны в рабочем положении аппарата. Методы расчета антенн для сотовых систем связи. Характеристики моделировщика антенн MMANA.
курсовая работа [3,5 M], добавлен 17.10.2014Общие характеристики систем радиорелейной связи. Особенности построения радиорелейных линий связи прямой видимости. Классификация радиорелейных линий. Виды модуляции, применяемые в радиорелейных системах передачи. Тропосферные радиорелейные линии.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 23.05.2016Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013
