Гетероструктуры сверхпроводник/ферромагнетик для применения в электронике и коммуникационных технологиях
Сверхпроводимость, ферромагнетизм и эффект Андреевского отражения. Применение гибридных структур в устройствах памяти. Вольт-амперные характеристики и плотности состояний SIFS-контакта. Рассчет зависисмости критического тока от толщины F-слоя в контакте.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Инфокоммуникационные технологии и системы связи |
| Вид | дипломная работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Сабанцева Екатерина Александровна |
| Дата добавления | 15.09.2018 |
| Размер файла | 2,1 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора; классификация, схемы включения, вольт-амперные характеристики. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми приборами. Определение рабочей точки, технология изготовления, применение.
презентация [662,5 K], добавлен 14.11.2014Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров. Вольт-амперные характеристики диодных и триодных тиристоров. Порядок включения тринисторов в цепях постоянного тока. Схема устройства, выполняющего функции дверного кодового замка.
реферат [663,7 K], добавлен 25.06.2014Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Структурное проектирование устройства, выполняющего цифровую обработку информации. Основные характеристики выбранного микроконтроллера. Преобразователь ток-напряжение и интегрирующий усилитель.
контрольная работа [822,5 K], добавлен 07.08.2013Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 22.05.2015Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.
контрольная работа [1,6 M], добавлен 01.02.2012Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат [174,3 K], добавлен 27.05.2012Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.
курсовая работа [745,2 K], добавлен 11.12.2015Проявления нелинейности вольт-амперной характеристики при воздействии гармонического радиосигнала. Работа усилителя в режиме отсечки коллекторного тока; функции Берга в инженерных расчетах. Определение коэффициентов усиления гармоник коллекторного тока.
курсовая работа [994,8 K], добавлен 27.05.2013Принцип действия газонаполненных разрядников. Основные физические закономерности. Вольт-амперная характеристика разрядников. Статистическое запаздывание возникновения разряда. Термоэмиссия электронов с поверхности катода. Диапазон значений рабочего тока.
реферат [63,7 K], добавлен 31.10.2011