Моделирование дозовых и одиночных радиационных эффектов в кремниевых микро- и наноэлектронных структурах для целей проектирования и прогнозирования

.(8)

На практике спектр ЛПЭ считается изотропным и тогда предыдущая формула упрощается и принимает вид

,(9)

где - дифференциальный спектр ЛПЭ изотропного потока частиц, - сечение сбоев, усредненное по полному телесному углу. Усреднение по телесному углу можно выполнить с использованием большого набора экспериментальных зависимостей сечений от ЛПЭ для разных углов падения. На практике это невозможно по экономическим причинам. Поэтому усреднение по полному углу можно заменить усреднением по длинам хорд чувствительного объема ячейки памяти

(10)

с привлечением распределения f(s) по длинам хорд для заданной формы чувствительного объема и концепции критического заряда (и соответствующего критического энерговыделения) E_C.

Тогда количество сбоев представляется в виде функционала на двумерной области «ЛПЭ - длина хорды» [55, 56]

,(11)

где S₀ - площадь поверхности чувствительного объема, K( _ E_C) - функция чувствительности, имеющая вид размытой ступеньки, которая параметризуется распределением Вейбулла, извлекаемого из экспериментальной зависимости сечения сбоев от ЛПЭ. Эта формула является наиболее общей математической структурой в рассматриваемом приближении и в разных частных приближениях сводится к известным и используемым в мировой практике методам расчета. Для каждого элемента этой области вычисляется вероятность сбоя, определяемая произведением дифференциального распределения длин хорд, ЛПЭ спектра и функции чувствительности. Вид подынтегрального выражения изображен на рис. 16; полная скорость сбоев равна интегралу по всей области, т.е. объему фигуры под поверхностью.

Из рис. 16 видно, что разные участки двумерной области «ЛПЭ - длина трека» дают разные вклады в количество сбоев. Особенно хорошо это видно из графика горизонтальных уровней вероятности сбоев, показанного на рис. 17. В диссертации показано, что предложенный подход содержит как частные приближения все основные расчетные модели, используемые в американских расчетных кодах.

Рис. 16. Вероятность сбоя, рассчитанная как функция ЛПЭ (в МэВ см²/мг) и длины трека (мкм) в чувствительной области

Рис.17. График уровней вероятности сбоев (более светлые участки соответствуют максимальной вероятности сбоев)

На основе описанного подхода разработана программа PRIVET (Programming Rate of Irregularities Versus Energy Threshold)- симулятор интенсивности сбоев для заданного спектра космических излучений [56,57]. Входными данными программы PRIVET являются, в частности, характеристики радиационного окружения (спектры ЛПЭ на заданной орбите космического пространства, защита и т.п.), а также геометрические размеры чувствительной области и величина критического заряда ячейки памяти.

Симулятор PRIVET используется как одно из вычислительных ядер программного комплекса «ОСОТ» (Одиночные Сбои и ОТказы), предназначенного для количественного прогнозирования скорости сбоев при воздействии тяжёлых заряженных частиц (ТЗЧ) и высокоэнергетических протонов (ВЭП) космического пространства (КП). Программный комплекс «ОСОТ» представляет собой независимое приложение Windows, выполненное в среде Delphi. Исходными данными для комплекса является экспериментальная зависимость сечения сбоев от ЛПЭ ТЗЧ (энергии ВЭП), параметры орбиты (апогей, перигей, наклонение), номер года от начала солнечного цикла, степень солнечной активности (низкая, средняя, высокая), массовая защита (в г/см²). Комплекс «ОСОТ» имеет модульную структуру, включающую в себя:

· модуль обработки результатов эксперимента, разработанный под руководством соискателя и предназначенный для аппроксимации экспериментальной зависимости сечений сбоев от ЛПЭ ТЗЧ и энергии протонов с использованием аналитических функций (функция Вейбулла и др.);

· модуль расчёта условий эксплуатации, рассчитывающий ЛПЭ спектры ТЗЧ и энергетические спектры потоков протонов на основе моделей потоков заряженных частиц КП, разработанных в НИИЯФ МГУ;

· два модуля расчета скорости сбоев от ТЗЧ (в т.ч. PRIVET) и модуль расчета скорости сбоев от протонов, также разработанный под руководством соискателя.

Сравнительные расчеты спектров и скоростей сбоев комплекса ОСОТ и CREME96 выявили почти полное совпадение по спектрам и хорошую корреляцию по скорости сбоев. Безусловным критерием адекватности расчетов является сравнение с полетными данными, которое проведено по американским литературным данным. Сравнительные результаты расчетов ОСОТ и CREME96 и экспериментов представлено на рис.18.

Рис.18. Сравнение полетных данных и результатов расчетов ОСОТ и CREME96

Таким образом, комплекс программ ОСОТ (PRIVET) является по возможностям полным аналогом закрытой программы CREME96, но обладает более корректной математической структурой, хотя имеет тот же класс точности, поскольку основан на одном уровне физических приближений.

7. Моделирование ионизационного воздействия нейтронов на элементы КМОП технологий высокой степени интеграции

Общеизвестно, что микросхемы КМОП технологии чувствительны к ионизационным эффектам и весьма устойчивы к эффектам смещения. Тем не менее, в последнее время широко обсуждается вопрос о влиянии нейтронов на КМОП схемы, что связано со ставшей актуальной проблемой мягких (т.е. обратимых) отказов при воздействии вторичных нейтронов жесткого космического излучения. В настоящее время установлено, что вторичные нейтроны являются главной причиной одиночных сбоев в бортовой электронике (авионике) самолетов, летающих на больших высотах (>10 км). Вторичные нейтроны образуются в результате взаимодействия первичных высокоэнергетических космических частиц галактического излучения или солнечного ветра с атмосферной средой в результате сложных многоступенчатых процессов размена энергии. Образовавшиеся нейтроны имеют широкий диапазон спектра энергии и могут приводить к сбоям различного характера.

Обратимые, или, “мягкие” сбои (Single Event Upset, soft errors) обусловлены локальными ионизационными эффектами, в так называемых чувствительных объемах активных областей микросхем; например, в областях обратносмещенных стоков МОП транзисторов элементов статической и динамической памяти. Другим типом необратимых сбоев (отказов) являются т.н. жесткие ошибки (hard errors) или залипающие биты (stuck bits). Чаще всего такие ошибки возникают за счет т.н. микродозового эффекта, т.е. локальной флуктуации энерговыделения в чувствительном микрообъеме слоев изоляции с последующим захватом высвобождаемого заряда. Такого рода эффекты, подробно рассмотренные в главе 6, являются промежуточными между эффектами полной дозы и одиночными радиационными эффектами.

Роль ионизирующих частиц могут выполнять как первичные ТЗЧ космического пространства, так и вторичные продукты ядерного взаимодействия нейтронов (и протонов) с атомами материала. Общая ионизационная способность нейтронов невелика, но в современных элементах микроэлектроники часто существенна не средняя ионизационная доза в больших объемах, а локальные эффекты, имеющие место в чувствительных микрообъемах микроэлектронных элементов. Размеры чувствительных объемов приборов старых технологий выражались микронами, в современных технологиях - долями микронов. В первом случае длина пробега вторичных частиц оказывалась меньше характерных размеров чувствительного объема L , в то время как для современных приборов типичным является выполнение неравенства L_R > L_R (см. рис. 19).

Рис.19. Приближения малого (а) и большого (б) чувствительного объема

При условии выполнения этого неравенства чувствительный объем находится в поле потока вторичных частиц ядерных реакций и при расчете можно использовать идеологию усреднения по распределению хорд, развитую в гл. 5 для случая первичных ТЗЧ.

Предложенная модель жестких сбоев [58, 59] основывается на следующих предположениях:

(1) Одиночный ион (первичная ТЗЧ, либо вторичные частицы ядерных взаимодействий), попадающий в чувствительный объем ячейки памяти, включающий в себя подзатворный окисел и/или прилегающий микрообъем боковой изоляции (см. рис. 20), приводит к генерации и захвату в этом объеме некоторого количества положительного заряда и соответствующему сдвигу локального значения порогового напряжения паразитного транзистора.

Рис. 20. Чувствительная область транзистора

(2) Жесткий отказ связан с недопустимым увеличением тока утечки транзистора. Если сдвиг порога превышает некоторое критическое значение, то это приводит к «залипанию» бита, т.е. функциональному отказу.

Среднее энерговыделение в приближении Бете-Блоха при заданной длине трека имеет вид . В действительности же величина энергии, затраченная ионом на процессы ионизации, подвержено фундаментальным флуктуациям (т.н. страгглинг), и корректный учет этих флуктуаций лежит в основе разработанной модели. В зависимости от значения некоторого характерного параметра, разброс описывается распределением Гаусса, либо Вавилова, либо Ландау. Все экспериментальные ситуации, описанные в литературе по жестким отказам, более всего соответствуют случаю распределения Ландау P_L(E, s) [60, 61].

Сечение жесткого отказа для ячейки памяти может быть записано в виде свертки по дифференциальной функции распределения длин хорд

(12)

Рис.21. Расчетные зависимости сечений жестких отказов (_H/см²) от ЛПЭ вторичных частиц, индуцированных нейтронами; толщина и ширина чувствительного объема 0,350,2 мкм²; три различные длины канала - 0.1; 0.5; 1.5 мкм

Критическая энергия E_C может быть оценена, исходя из запаса помехоустойчивости ячейки памяти, либо в рассчитана с помощью схемотехнического подхода. Предлагаемая модель расчета стохастического энерговыделения позволяет рассчитывать зависимость сечения жестких отказов от ЛПЭ ионизирующих частиц.

Сравнение с экспериментальными данными показывает, что модель позволяет количественно и качественно оценить сечения отказов для ионов с различными энергиями. Выбор параметров модели может быть сделан на основе данных, полученных от изготовителя ИС, или оценен на основе топологических данных и схемотехнического расчета. Влияние стохастического захвата локального заряда в изоляции перспективных наноэлектронных компонентов (в т.ч. high-K диэлектриках) рассмотрено в [62].

8.Схемотехническое моделирование защелки в КМОП микросхемах при воздействии одиночных тяжелых ионов или импульсного излучения

Известно, что воздействие одиночных высокоэнергетических частиц и импульсное ионизирующее излучение могут являться причиной катастрофических отказов в микроэлектронных компонентах. Особую проблему составляют необратимые эффекты, связанные с возбуждением паразитного тиристорного эффекта в четырехслойных n-p-n-p структурах КМОП микросхем (т.н. радиационно-индуцированная защелка, “latchup”), моделированию которых посвящена глава 7. Долгое время предполагалось, что уменьшение напряжения питания решит эту проблему. Тем не менее, радиационно-индуцированные защелки от одиночных частиц продолжают наблюдаться в приборах современных технологий с напряжениями питания в пределах 1…2 В. Это связано с тем, что уменьшение характерных размеров ячейки статической памяти ведет к увеличению коэффициента усиления паразитных биполярных транзисторов, что оставляет проблему защелки актуальной для приборов с технологическими нормами 100 нм и менее. В диссертации приведены расчеты, выявляющие влияние различных технологических и схемотехнических факторов на параметры чувствительности ИМС к защелке от воздействия отдельных ТЗЧ [63-64].

Другим аспектом проблемы является защелка от воздействия импульсного ИИ, что особенно важно в военных приложениях. Импульсное облучение сопровождается глобальными ионизационными эффектами и специфичным эффектом просадки локального напряжения на шинах питания.

Для моделирования этих эффектов предложена простая эквивалентная схема на основе стандартной двухтранзисторной схемы с дополнительным генератором тока, характеризующим ионизационный ток по шине питания (см. рис. 22). Результаты моделирования представлены на рис. 23, из которого видно, что при некотором уровне импульсного воздействия критический заряд защелки начинает расти.

Рис. 22. Модифицированная двухтранзисторная эквивалентная схема для моделирования эффектов просадки при импульсном воздействии

Рис. 23. Расчетные зависимости критического заряда Q_C как функции Q_glob для различных значений температуры T и зависимость заряда, собранного в локальной паразитной структуре Q₀ =(1/a)Q_glob

Рис. 24. Экспериментальная зависимость критической температуры защелки T_latch от логарифма мощности дозы импульсного излучения log P

Рис. 25. Расчетная зависимость критической температуры защелки T_latch как функция Q_glob

Возрастание критического заряда является прямым следствием эффекта просадки напряжения питания, при котором развитие защелки в отдельной структуре подавляется за счет снижения эффективного напряжения питания. Таким образом, глобальные ионизационные эффекты начинают модифицировать локальные параметры структуры, определяющие режим защелки, делая критический заряд нелинейной функцией внешнего воздействия. Именно эта нелинейность обуславливает возможность появления т.н. «окон» защелки (т.е. изолированного диапазона мощности дозы импульсного ИИ, в котором защелка имеет место).

Из эксперимента известно, что диапазон окна защелки растет с ростом температуры (см. рис. 24). Объяснение нетривиального характера зависимости окна защелки от температуры можно видеть из результатов моделирования на рис. 23, где приведены расчетные зависимости критического заряда Q_C как функции Q_glob(D) при различных температурах, совмещенные с дозовой зависимостью заряда, собранного в локальной паразитной структуре, Q₀ Q_glob(D). Диапазон возможной защелки («окно» защелки) определяется условием Q₀ >Q_C. Результаты моделирования (см. рис. 25) демонстрируют хорошую качественную и количественную корреляцию с экспериментом. В диссертации обсуждается также влияние технологических параметров микросхемы на ее чувствительность к радиационно-индуцированной защелке.

ток утечка схемотехнический радиационный

Заключение

1. Разработанная диффузионно-дрейфовая модель КНИ МОП транзисторов с частичным и полным обеднением, способная единым и непрерывным образом описывать в компактной аналитической форме вольтамперные характеристики транзистора во всех режимах его работы, может быть использована для моделирования токов утечки облученных приборов. Представлено обобщение модели на случай наноразмерных приборов с баллистическим переносом носителей в канале, а также на случай перспективных конфигураций с двойным затвором, обеспечивающих предельные характеристики приборов КМОП технологий.

2. Разработанная комплексная модель радиационно-индуцированных токов утечки, обусловленных захваченным зарядом в толстых слоях краевой изоляции, позволяет с высокой точностью проводить расчеты ВАХ облученных транзисторов КНИ и объемных технологий, а также дозовых зависимостей при разных условиях облучения. Продемонстрировано, что учет процессов радиационно-стимулированного отжига, связанного с процессом компенсации положительного заряда в окисле радиационно-индуцированными электронами из зоны проводимости SiO₂ , является критически важным для адекватного моделирования. Расчетным образом показано, что краевой контакт между телом КНИ транзистора и землей может блокировать краевую утечку и существенно повысить радиационную стойкость ИС, что нашло подтверждение на эксперименте.

3. Показано, что развитая количественная модель аномального эффекта низкой интенсивности (ELDRS) в толстых слоях полевых окислов биполярных транзисторов хорошо описывает широкий круг экспериментальных данных и может служить основой для расчетно-экспериментальной методики прогнозирования деградации биполярных приборов в условиях низкоинтенсивных ИИ, что является одной из ключевых задач обеспечения радиационной стойкости аналоговых микросхем в условиях космического пространства.

4. Показано, что характеризация одиночных радиационных эффектов является комплексной многоуровневой задачей, основанной на схемотехнических расчетах и экспериментальных методах определения параметров чувствительности ИС. Использование схемотехнических методов позволило систематическим образом определять влияние топологических, физических и технологических факторов на характеристики чувствительности. Был сделан вывод, что заземление тела КНИ транзисторов должно приводить к существенному увеличению порогового значения ЛПЭ ячейки КМОП статической памяти, что было подтверждено экспериментально.

5. Предложенный общий математический метод расчета интенсивности сбоев при воздействии ТЗЧ и протонов космического пространства лег в основу комплекса программ ОСОТ, разработанный в рамках создания испытательного центра для характеризации параметров чувствительности микроэлектронных компонентов на воздействие отдельных частиц, создаваемого на базе ускорителя ИТЭФ под эгидой НИИКП.

6. Разработанные вычислительные методы расчетов сечений воздействия нейтронов на компоненты КМОП технологий могут служить базой для оценки интенсивности необратимых (катастрофических) отказов в полях нейтронных излучений, а именно в установках ядерной энергетики, бортовой авионики, а также в военных приложениях.

7. Результаты расчетов критического заряда радиационно-индуцированной защелки при воздействии отдельных ионизирующих частиц позволяют выявить влияние различных технологических и схемотехнических факторов на параметры чувствительности ИМС. Показано, что учет эффекта просадки напряжения при импульсном облучении позволяет объяснить экспериментальные особенности появления окон защелки при воздействии импульсного излучения при разных температурах.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах

Зебрев Г.И. Моделирование работы и процессов деградации МОП транзисторов, обусловленных воздействием ионизирующего излучения // дисс. канд. техн. наук (05.27.-01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах) М.: МИФИ, 2003. - 126 c.

Усейнов Р.Г., Зебрев Г.И. Флуктуационная теория поверхностных состояний в МОП структурах для объемного распределения окисного заряда // ФТП. - 1986. - Т. 20. _ №11. - С. 2002-2007.

Зебрев Г.И., Усейнов Р.Г. Простая модель вольтамперных характеристик МОП транзистора // ФТП. - 1990. _ Т. 24. _ №5. _ С.777-781.

Зебрев Г.И. Вольтамперная характеристика МОП транзистора с учетом зависимости подвижности от продольного электрического поля // ФТП. - 1992. _ Т. 26. _№1. - С. 83-88.

Зебрев Г.И. Статическое экранирование в инверсионном слое // ФТП. - 1992. - Т.26. _ №9. - С. 1550-1555.

Зебрев Г.И. Эффективная подвижность при рассеянии на шероховатостях границы раздела в инверсионном слое // ФТП. _ 1990. - Т. 24. - С. 908-912.

Усейнов Р.Г., Зебрев Г.И. Простой метод определения плотности поверхностных состояний по температурным измерениям ВАХ МОП транзисторов // ФТП. - 1990. -Т. 24. _ №4. - С. 752-754.

Зебрев Г.И. Кинетика накопления и туннельного отжига радиационно-индуцированного заряда в окисле МОП структур // Вопросы атомной науки и техники. - 1994. _ №1-2. _ С. 34-36.

The use of conversion model for CMOS IC prediction in space environments / I.N. Shvezov-Shilovsky, V.V. Belyakov, V.V. Emelianov, V.S. Pershenkov, M.Y. Popov, G.I. Zebrev // IEEE Trans. on Nucl. Sci. - 1996. _ V. 43. - P. 3182-3188.

Прогнозирование дозовых эффектов в элементах МОП технологий при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства / В.В. Беляков, Г.И. Зебрев, В.С. Першенков, С.В. Черепко // Инженерная физика. - 1999. _ №2. - С. 40-45.

Корреляция радиационных эффектов в МОП транзисторах и логических интегральных схемах / В.В. Емельянов, Р.Г. Усейнов, Г.И. Зебрев // Микроэлектроника. - 1995. _ №5. - С.85.

An approach to prediction of MOS integrated circuits radiation response for high-frequency operation in space environments / G.I. Zebrev, I.N. Shvetsov-Shilovsky, S.S. Lomakin, V.S. Pershenkov, S.G. Petrov // RADECS 2000 Workshop Proc. _ Louvan-la-Neuve. _ Belgium. _ 2000. _ P.53-58.

Radiation response of MOSFET's parameters as a function of measurement temperature / G.I. Zebrev, V.V. Belyakov, I.N. Shvezov-Shilovsky, R.G. Useinov // Proc. of the Fourth European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems RADECS-97. _1997. _ P.159-163.

Zebrev G.I., Belyakov V.V. Experimental technique for MOS transistor radiation response analysis in subthreshold and above threshold regions // Proc. of the II International Conference on Microelectronics and Computer Science, ICMCS-97. - Moldova. _ P. 37-40.

Метод прогнозирования работоспособности МОП интегральных схем на высоких частотах при воздействии космического излучения / Г.И. Зебрев, И.Н. Швецов-Шиловский, С.С. Ломакин, В.С. Першенков, С.Г. Петров // ВАНТ. - В. 1-2. - 2001.

Zebrev G.I., Lomakin S.S. Temperature response of irradiated MOSFETs // 23^rd International Conference on Microelectronics (MIEL) Proceedings - Nis. - Yugoslavia. _ 2002. _ P. 413-415.

Reversible positive charge annealing in MOS transistor during electrical and thermal stresses / V.V. Emelianov, G.I. Zebrev, V.N. Ulimov, R.G. Useinov, V.V. Belyakov, V.S. Pershenkov // Proc. of the Third European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems. _ RADECS-95. _ P.61-65.

Reversible positive charge annealing in MOS transistors/ V.V. Emelianov, G.I. Zebrev, R.G. Useinov, V.V. Belyakov, V.S. Pershenkov // IEEE Trans. on Nucl. Sci. - 1996. - V.43. - P. 805 - 809.

Radiation induced behavior in MOS devices / V.V. Emelianov, G.I. Zebrev, O.V. Meshurov, A.V. Sogoyan, R.G. Useinov // Fundamental aspects of ultrathin dielectrics on Si-based devices // ed. by E.Garfunkel. _ Kluwer Academic Publishers. -1998. _ P. 391-396.

Зебрев Г.И., Ломакин С.С. Влияние горячих носителей и ионизирующего излучения на спектр поверхностных состояний в МОП транзисторах // Приборы и техника эксперимента. _ 2000. _ №6. - С. 92-96.

Ломакин С.С., Зебрев Г.И. Изменение спектра поверхностных состояний в МОП-транзисторах под воздействием горячих носителей и ионизирующего излучения // ВАНТ. - В. 1-2. - 2002.

Effect of emitter-base bias during pre-irradiation infrared illumination on the radiation response of bipolar transistors / V.S. Pershenkov, A.Y. Bashin, G.I. Zebrev, S.V. Avdeev, V.V. Belyakov, V.N. Ulimov, V.V. Emelianov // IEEE Trans. on Nucl. Sci. - 2002. - V. 49. - No.6. - P. 2998 - 3001.

Pershenkov V.S., Avdeev S.V., Tsimbalov A.S., Levin M.N., V.V. Belyakov, D.V. Ivashin, A.Y. Slesarev, A.Y. Bashin, Zebrev G.I., V.N. Ulimov: Use of preliminary ultraviolet and infrared illumination for diagnostics of MOS and bipolar devices radiation response // Microelectronics Reliability - V. 42. - No.1. - 2002. - P. 797 -804.

Першенков В.С., Авдеев С.В., Беляков В.В., Ивашин Д.В., Башин А.Ю., Зебрев Г.И. Использование предварительной обработки ультрафиолетовым и инфракрасным излучением для диагностики радиационного отклика биполярных и МОП-транзисторов// ВАНТ. - В.4. - 2002.

Моделирование радиационных эффектов в элементах интегральных схем / С.В. Авдеев, В.В. Беляков, Г.И. Зебрев, В.С. Першенков, А.В. Согоян // Инженерная физика. _ №2. - 2002. - С. 14 - 24.

Накопление и отжиг поверхностных состояний при воздействии низкоинтенсивных излучений космического пространства с учетом высокочастотных переключений на затворе / Г.И. Зебрев, В.С. Першенков, И.C. Морозов, И.Н. Швецов-Шиловский // ВАНТ. - В. 4. - 2003.

Использование инфракрасного излучения для моделирования эффекта низкой интенсивности в биполярных n-p-n-транзисторах/ А.Ю. Башин, Г.И. Зебрев, В.С. Першенков, Д. Ю. Павлов // ВАНТ. - В. 1-2. - 2004.

Zebrev G.I., Pershenkov V.S., Shvetzov-Shilovsky I.N., Morozov I. Build-up and Annealing of Interface Traps under the Influence of Low-Dose-Rate Space Irradiation Taking into Account High-Frequency Gate Bias Switches // 7^th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems RADECS 2003 Proceedings. - 2003. - P. 439-445.

Беляков В.В., Зебрев Г.И., Першенков В.С. и др. Методы прогнозирования эффектов полной дозы в элементах современной микроэлектроники // Микроэлектроника. - 2003. - Т.32. _ №1. - С.31-46.

Zebrev G.I. Gorbunov M.S. Diffusion-Drift Model of Fully Depleted SOI MOSFET // MIEL 2006 Proceedings. - 2006. _ Р.545-548.

Zebrev G.I., Gorbunov M.S. Compact Physical Modeling of Fully Depleted SOIMOSFET//ProceedingsSPIE.-2006._Vol.6260, DOI:10.1117/12.683544. _ 620601P (8 pages).

Zebrev G.I. Physical Modeling of Double-Gate Transistor // 24th International Conference on Microelectronics (MIEL) Proceed. - 2004. _ V. 1 _ P. 303-306.

Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники. _ Библиотека ядерного университета. - М. : МИФИ. - 2008. - 286 с.

Zebrev G.I. Nonequilibrium Diagrammatic Technique for Nanoscale Devices // Proceedings SPIE. - 2006. _ Vol. 6260, DOI:10.1117/12.683544. _ 62601M (9p.)

Zebrev G.I. Graphene Nanoelectronics: Electrostatics and Kinetics // ProceedingsSPIE.-2008._Vol.7025. - P. 70250M _ 70250M-9.

Zebrev G.I. Electrostatics and Diffusion-Drift Transport in Graphene Field Effect Transistors. _ 26th International Conference on Microelectronics (MIEL 2008) Proceedings. - 2008. - PP. 159-162.

Zebrev G.I., Gorbunov M.S. Modeling of Radiation-Induced Leakage and Low Dose-Rate Effects in Thick Edge Isolation of Modern MOSFETs // European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems RADECS 2008 Proceedings. - 2008. - P. 459-464.

Zebrev G.I., Gorbunov M.S., Osipenko P.N. Multi-scale Modeling of Low Dose-Rate Total dose Effects in Advanced Microelectronics // 26th International Conference on Microelectronics (MIEL 2008) Proceedings. - P. 591 - 594.

Zebrev G.I., Gorbunov M.S. Modeling of Radiation-Induced Leakage and Low Dose-Rate Effects in Thick Edge Isolation of Modern MOSFETs // IEEE Transactions on Nucl. Sci. - 2009. - V.56. _ №4. - 7 pages.

Поверхностные радиационные эффекты в интегральных схемах // А.В. Согоян, Г. И. Зебрев, А.Ю. Никифоров, В.С. Першенков, А.И. Чумаков // Модель космоса" в 2 тт. // под ред. Л.И. Панасюка и Л.С. Новикова. - 2007. _ Т.2. _ Гл. 1.18. - С. 466-493.

Зебрев Г.И. Моделирование эффекта низкой интенсивности в толстых окислах интегральных структур// ВАНТ. - в. 1-2. - 2005.

Зебрев Г.И. Моделирование эффекта низкой интенсивности в толстых изолирующих слоях современных интегральных схем // Микроэлектроника. _ 2006. - Т. 35. _ №3. - С. 209-216.

Zebrev G.I., Pavlov D.Y. Radiation Response of Bipolar Transistors at Various Irradiation Temperatures and Electric Biases // European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems RADECS 2005 Proceedings. - 2006. - PG4-1 _ PG4-6.

Zebrev G.I., Pavlov D.Y. Radiation Response of Bipolar Transistors at Various Irradiation Temperatures and Electric Biases // IEEE Transactions on Nucl. Sci. - 2006. - V.53. _ №4. - P. 1981-1987.

Зебрев Г.И., Анашин В.С. Усиление деградации электронных компонентов при низкоинтенсивном излучении космического пространства как эффект мощности дозы // ВАНТ. - 2009. - В.2. - С. 15-22.

Экспериментальный метод прямого определения характеристик стойкости к одиночным радиационным эффектам с использованием ускорительного комплекса / В.С Анашин., Ю.Е. Титаренко, Н.Н Алексеев, В.Ф. Батяев, А.А. Голубев, Б.Ю. Шарков, В.А. Стебельков, В.В. Емельянов, Г.И. Зебрев, Н.В. Кузнецов // ВАНТ. - В. 3-4. - 2007.

Прямой контроль стойкости электронной компонентной базы к ионизирующим излучениям космического пространства в части одиночных радиационных эффектов. Методологические аспекты" / В.С. Анашин, В.В. Емельянов, Г.И. Зебрев, Н.В. Кузнецов, Ю.Е. Титаренко " // Российская научно-техническая конференция "Элементная база космических систем" (Элементная база-2007), МНТОРЭС им. А.С. Попова. Тезисы докладов конференции - Сочи, сентябрь 2007г.

Развитие информационных, методологических и структурно-технологических аспектов обеспечения стойкости радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов к ионизирующим излучениям космического пространства / В.С. Анашин, В.В. Емельянов, Г.И. Зебрев, Н.В. Кузнецов, Ю.Е. Титаренко // Международная конференция "Авиация и космонавтика-2007". Тезисы докладов- М.: МАИ. _ 2007.

Accelerator Based Facility for Characterization of Single Event Upsets (SEU) and Latchups (SEL) in Digital Electronic Components // V.S. Anashin, V.V. Emelyanov, G.I. Zebrev, I.O. Ishutin, N.V. Kuznetsov, B.Yu. Sharkov, Yu.A. Titarenko, V.F. Batyaev, S.P. Borovlev // A report at International Conference on Micro- and Nanoelectronics, October 2007, Zvenigorod, Russia.

Проблемы проведения испытаний электронной компонентной базы на стойкость к воздействию одиночных частиц космического пространства / В.С. Анашин, В.В. Емельянов, Г.И. Зебрев, Н.В. Кузнецов, Б.Ю. Шарков, Н.Н. Алексеев, Ю.Е. Титаренко, В.Ф. Батяев, Р.С. Тихонов, С.П. Боровлев, В.И. Рогов, М.А. Бутко, В.К. Павлов, А.Ю. Титаренко // ВАНТ. - В. 1. - 2008.

Программное обеспечение испытаний стойкости электронной компонентной базы к одиночным эффектам от воздействия естественных ионизирующих излучений космического пространства / В.С. Анашин, Н.В. Кузнецов, Г.И. Зебрев, И.О. Ишутин, А.Н. Петров // Тр. Пятой международной научно-практической конференции “Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности”. -Т.13. - 2008.

Исследование влияния схемотехнических параметров статической КМОП-ячейки памяти на стойкость к воздействию одиночных частиц ионизирующих излучений/ Е.А. Гагарин, В.Е. Шунков, Г.И. Зебрев. - Труды Научной сессии МИФИ. - Т.1. _2006. - С. 73-74.

Physical Modeling and Circuit Simulation of Hardness of SOI Transistors and Circuits for Space Applications / G. I. Zebrev, M.S. Gorbunov, V.E. Shunkov. _ RADECS Proceed. _ 2006.

Parasitic bipolar effect in modern SOI CMOS technologies / G.I. Zebrev, V.E. Shunkov, M.S. Gorbunov // ProceedingsSPIE.-2008._Vol.7025. - P. 702516 -702516-8.

Зебрев Г.И. Расчет интенсивности единичных сбоев от тяжелых заряженных частиц космического пространства// ВАНТ. - В.4. - 2002. _С. 95 - 98.

Zebrev G.I., Ladanov I.A. PRIVET-A Heavy Ion Induced Single Event Upset Rate Simulator in Space Environment // European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems RADECS 2005 Proceedings. - 2006. - PC13-1 - PC13-5.

PRIVET - Simulator Single Event Upset Rate in Digital Memory Cells Induced by Heavy Ions of Space Environments // G.I.Zebrev, I.O.Ishutin, V.S.Anashin/ A report at International Conference on Micro- and Nanoelectronics, October 2007, Zvenigorod, Russia.

Зебрев Г.И. Метод оценки сечения нейтронно-индуцированных жестких отказов в ячейках КМОП-памяти // ВАНТ.- В. 1-2. - 2005

Зебрев Г.И. Моделирование ионизационного воздействия нейтронов на элементы КМОП-технологий высокой степени интеграции // Микроэлектроника. _ 2006. - Т. 35. _ №3. - С. 217-229.

Useinov R.G., Zebrev G.I. Physical Model of Single Heavy Ion Induced Hard Errors // 7^th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems RADECS 2003 Proceedings. - 2003. - P. 249-254.

Усейнов Р.Г., Зебрев Г.И., Физическая модель жестких ошибок, обусловленных тяжелыми заряженными частицами в ИС памяти, Труды Научной сессии МИФИ. _ 2004 _ Т.1. _ С. 80-81.

Zebrev G.I., Gorbunov M.S., Pershenkov V.S. Radiation Induced Leakage Due to Stochastic Charge Trapping in Isolation Layers of Nanoscale MOSFETs // ProceedingsSPIE.-2008._Vol.7025. - P. 702517-702517-8.

Схемотехническое моделирование окон защелки в КМОП структурах под воздействием импульсного излучения при различных температурах / Г.И. Зебрев, Р.Г. Усейнов, М.Ю. Федоренко // Сборник тезисов Российской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем - Стойкость-2008». -В.11. - 2008._ С. 39-40.

Схемотехническое моделирование радиационно-индуцированной защелки в КМОП микросхемах при воздействии одиночных тяжелых ионов или импульсного излучения / Г.И. Зебрев, Р.Г. Усейнов, М.Ю. Федоренко // ВАНТ.- В. 2. - 2009. - С. 10-14.

Размещено на Allbest.ru