Эффект туннелирования в электронике

Рассмотрение поведения частицы при прохождении через потенциальный барьер. Проведение исследования плотного контакта двух металлов с разными работами выхода. Проявление туннельного механизма продвижения электронов сквозь тонкие диэлектрические слои.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Электроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Прислал(а) incognito
Дата добавления 24.09.2017
Размер файла 116,3 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Направления совершенствования оптико-электронной аппаратуры. Фотодиоды, изготовленные из гетероэпитаксиальных слоев InGaAs. Определение доминирующего механизма токообразования. Ток межзонного туннелирования и туннелирования через уровни ловушек.

    курсовая работа [148,7 K], добавлен 17.01.2015

  • Технические характеристики и структура модуляционно-легированных полевых транзисторов и биполярных транзисторов на гетеропереходах. Технологии создания приборов, их преимущества и применение. Понятие явления резонансного туннелирования электронов.

    реферат [522,2 K], добавлен 28.12.2013

  • Полупроводниковые соединения, получившие широкое применение в электронной технике. Тонкие пленки и поликристаллические слои халькогенидов свинца (PbSe). Контроль электрофизических свойств, основные свойства и методы выращивания монокристаллов PbSe.

    курсовая работа [35,2 K], добавлен 29.11.2010

  • Изучение свойств спектрального анализа периодических сигналов в системе компьютерного моделирования. Проведение научных исследований и использование измерительных приборов. Изучение последовательности импульсов при прохождении через интегрирующую RC-цепь.

    лабораторная работа [2,8 M], добавлен 31.01.2015

  • Анализ конструктивной схемы механизма закрывания-открывания крышки котла. Рассмотрение особенностей программы управления крышкой котла для ПЛК DL05, проведение исследования. Общая характеристика способов программируемого логического контроллера.

    контрольная работа [642,0 K], добавлен 25.03.2013

  • Сокращение времени переноса носителей через базу. Баллистические и аналоговые транзисторы. Горбообразные барьеры эмиттера и коллектора. Транзисторы с металлической базой. Приборы на квантово-размерных эффектах. Инерционность процесса туннелирования.

    реферат [865,2 K], добавлен 21.08.2015

  • Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.

    контрольная работа [1,6 M], добавлен 01.02.2012

  • Создание и проекционный перенос изображения с помощью пучка электронов. Характеристики рассеяния электронов в слое электронорезиста. Рентгеношаблон. Использование синхротронного излучения в рентгенолитографии. Источник рентгеновского излучения.

    реферат [826,6 K], добавлен 14.01.2009

  • Особенности газовой среды. Средняя длина свободного пробега частиц в газе. Энергия электронов в кристалле. Плотность энергетических уровней. Электростатическая (автоэлектронная) эмиссия. Движение электронов в вакууме в электрическом и магнитных полях.

    курсовая работа [429,3 K], добавлен 09.11.2010

  • Модель электрофизических параметров атмосферы. Расчет фазовых искажений сигнала при прохождении через тропосферную радиолинию. Применение линейной частотной модуляции при зондировании. Моделирование параметров радиосигнала после прохождения атмосферы.

    дипломная работа [1,5 M], добавлен 15.01.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.