Процессы прилипания неравновесных носителей
Влияние уровней прилипания на стационарный (установившийся) фототок и стационарную фотопроводимость. Изменение релаксации фототока при наличии медленных центров захвата и при сильном заполнении уровней прилипания. Термостимулированное опустошение ловушек.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Предмет | Основы полупроводниковой электроники |
Вид | контрольная работа |
Язык | русский |
Прислал(а) | Аля |
Дата добавления | 30.03.2017 |
Размер файла | 433,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Анализ технологичности конструкции изделия, расчет показателей технологичности, разработка технологической схемы сборки. Анализ вариантов маршрутной технологии, выбор технологического оборудования и оснастки, проектирование технологического процесса.
курсовая работа [153,9 K], добавлен 12.06.2010Изменение концентрации носителей и проводимости в приповерхностном слое полупроводника под действием электрического поля. Эффект поля в собственном и примесном полупроводниках. Механизмы рекомбинации носителей. Законы движения носителей в полупроводниках.
презентация [206,2 K], добавлен 27.11.2015Контакт полупроводника с полупроводником. Понятие, структура и методы создания p-n-переходов. Особенности поведения электрона с учетом спина в электрическом поле. Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике. Время диэлектрической релаксации.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 03.12.2010Расчёт и исследование электрических цепей при переходных процессах: до коммутации; установившийся режим; переходной процесс; график. Особенности применения классического и операторного метода при решении задач. Вид характерного уравнения с неизвестным.
контрольная работа [335,6 K], добавлен 26.01.2011Лазерные фототелеграфные устройства. Факсимильные аппараты. Фазирование передающего и принимающего аппаратов. Избыточность факсимильного сообщения. Упрощенная схема участвующих в генерации уровней энергии в аргоновом лазере с водяным охлаждением.
контрольная работа [81,6 K], добавлен 21.02.2009Проектирование специализированных радиоэлектронных устройств с применением микропроцессорных комплектов и цифровых микросхем среднего и малого уровней интеграции. Архитектура микроконтроллеров семейства INTEL8051. Программа устройства на Ассемблере.
курсовая работа [42,3 K], добавлен 29.07.2009Расчет амплитудно-частотной и фазочастотной характеристики спектральной плотности одиночного прямоугольного видеоимпульса. Определение эффективной ширины спектра импульса, уровней гармонических составляющих и коэффициента передачи согласованного фильтра.
контрольная работа [791,6 K], добавлен 04.04.2013Отличительные особенности триггера как функционального устройства. Осуществление логической операции ИЛИ-НЕ при наличии микросхем И-НЕ. Изменение состояния триггера микросхемы К561ТВ1 при подаче на тактирующий вход С серии прямоугольных импульсов.
лабораторная работа [116,2 K], добавлен 18.06.2015Разработка функциональной схемы детектора, выбор типа микропроцессорной системы. Реализация узлов управления и обработки, интерфейса RS-232, преобразователя уровней напряжения TTL/LVTTL. Расчёт частоты синхроимпульсов микроконтроллера, световой индикации.
дипломная работа [780,5 K], добавлен 26.05.2015Основные термины и определения в области метрологии. Современное состояние измерений в телекоммуникациях, процесс совершенствования измерительных технологий. Определение относительных уровней напряжения, суть безразмерной измерительной единицы - децибел.
реферат [35,9 K], добавлен 19.09.2015