Апроксимація залежності вольт-амперної характеристики діода Шоткі від температури
Дослідження впливу температури на параметри надвисокочастотних малопотужних діодів з бар’єром Шоткі. Аналіз методики отримання аналітичних залежностей для вольтамперних характеристик діодів Шоткі з врахуванням температури, підтвердження її ефективності.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 27.07.2016 |
| Размер файла | 861,4 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Поняття про температуру і про температурні шкали. Найбільш поширені пристрої для вимірювання температури. Рідинний та манометричний термометри. Електричні термометри опору. Безконтактне вимірювання температури. Цифрові вимірювачі температури.
курсовая работа [876,6 K], добавлен 24.01.2011Характеристика моделювання перетворювача за допомогою пакету прикладних програм Electronics Workbench. Дослідження залежності термоелектричної здатності різних термопар від температури. Розрахунок номінальної вихідної напруги вимірювального підсилювача.
курсовая работа [406,1 K], добавлен 14.04.2012Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик. Зміна вольтамперної характеристики переходу під дією випромінювання.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 11.09.2014Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід, освітлений перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку чутливості фотодіода для випромінювання.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.07.2014Використання вентильних властивостей випрямляючих контактів. Перетворення змінного струму у постійний. Принцип дії кремнієвого і германієвого діодів. Подача на діод зворотної напруги. Концентрація генерованих носіїв заряду. Зворотний струм діода.
дипломная работа [83,6 K], добавлен 01.12.2012Зонна структура напівпровідників. Електричний струм в напівпровідникових діодах. Зняття вольт-амперної характеристики діодів в пропускному та в запірному напрямах. Електропровідність і концентрація носіїв струму. Відмінність металів від напівпровідників.
лабораторная работа [100,5 K], добавлен 22.06.2011Розробка інформаційно-вимірювальної системи визначення температури. Методи вимірювання температури, вибір оптимальної структурної схеми. Електрична принципова схема, розрахунок вузлів системи. Визначення основної похибки перетворювача–датчика KTY81-121.
курсовая работа [991,6 K], добавлен 24.01.2011Аналіз схеми електричної принципової та елементної бази напівпровідникового сенсора температури. Вибір характерного блоку схеми для моделювання. Розробка друкованої плати. Розрахунок діаметру монтажних отворів, контактних площадок і ширини провідників.
курсовая работа [910,7 K], добавлен 09.06.2013Аналітичний огляд первинних перетворювачів температури. Розробка структурної та функціональної схеми цифрового термометру для вимірювання температури в діапазоні від 600 до 1000 С. Розрахунок частоти генератора та розрядності двійкового лічильника.
курсовая работа [40,2 K], добавлен 26.01.2011Побудова графіка функції первинного перетворювача для системного датчика температури. Визначення максимальної похибки нелінійності характеристики. Лінеаризація НСХ перетворювача. Вибір і обґрунтування принципу роботи вузла аналого-цифрового перетворення.
дипломная работа [331,1 K], добавлен 07.06.2014Найдоцільніший тип мікропроцесорного пристрою для керування обладнанням - однокристальний мікроконтролер (ОМК). Розробка принципової схеми пристрою контролю температури процесу. Складання програми мікроконтролера та її симуляція в Algorithm Builder.
реферат [2,1 M], добавлен 11.08.2012Принципи отримання тонких плівок, вирощування кристалів методом Чохральського, обробка кристалів. Огляд технологій, які використовуються на підприємстві НВО "Термоприлад" під час виготовлення різноманітних електронних пристроїв вимірювання температури.
отчет по практике [1,0 M], добавлен 02.10.2014Розрахунок схеми температурної параметричної компенсації від впливу оточуючої температури реального термоанемометричного чутливого елемента лічильника газу. Розрахунок номінальної статичної характеристики чутливого елемента ДК-20 методом екстраполяції.
курсовая работа [190,0 K], добавлен 22.05.2012Статичні та динамічні характеристики вимірювань. Розробка структурної схеми голосової ІВС для пасажирських вагонів залізничного транспорту. Датчики температури, вологості повітря та атмосферного тиску. Оцінка статичних метрологічних характеристик.
курсовая работа [962,7 K], добавлен 16.03.2011Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі
контрольная работа [282,4 K], добавлен 27.04.2011Проектування електрорадіоелемента системи дистанційного управління на основі радіотелефону. Технологічний процес виготовлення кварцового резонатору. Розрахунок допусків основного параметра ЕРЕ з урахуванням впливу вологості, температури та старіння.
курсовая работа [182,7 K], добавлен 26.04.2012Огляд термоперетворювачів опору. Надійність та довговічність термоперетворювачів у робочих умовах. Вимірювання температури за допомогою автоматичного зрівноваженого містка. Металеві аморфні стопи як матеріали чутливих елементів термоперетворювачів.
контрольная работа [40,1 K], добавлен 19.05.2011Розробка пристрою термоконтролю на базі мікроконтролера ATMEGA16, який через аналогово-цифрове перетворення визначає значення температури з заданим коефіцієнтом перерахунку. Мікроконтролер, його призначення у приладі. Параметри елементів системи живлення.
курсовая работа [829,7 K], добавлен 15.09.2014Розрахунок номінальної статичної характеристики інформаційно-вимірювального каналу, призначеної для визначення температури. Структурна схема абсолютної та основної приведеної похибки вимірювання. Обчислення адитивної складової математичного сподівання.
контрольная работа [183,2 K], добавлен 23.11.2011Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
курсовая работа [902,9 K], добавлен 23.01.2012
