Биполярные транзисторы
Принцип действия биполярного транзистора, режимы его работы и статические характеристики. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе при работе в активном режиме. Дифференциальные параметры биполярного транзистора, его частотные свойства.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 05.07.2016 |
| Размер файла | 501,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Литература
1. Гусев, В.Г. Электроника и микропроцессорная техника (08 г.).5-е изд., стер. / В.Г. Гусев. - М.: Высшая школа, 2008. - 798 c.
2. Гусев, В.Г. Электроника и микропроцессорная техника: Учебник / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. - М.: КноРус, 2013. - 800 c.
3. Джонс, М. Электроника - практический курс.2-изд., испр / М. Джонс. - М.: Техносфера, 2013. - 512 c.
4. Джонс, М.Х. Электроника - практический курс / М.Х. Джонс. - М.: Техносфера, 2013. - 512 c.
5. Дудкин, В.И. Квантовая электроника. Приборы и их применение. Уч. пос. / В.И. Дудкин, Л.Н. Пахомов. - М.: Техносфера, 2006. - 432 c.
6. Дьяконов, В. Сверхскоростная твердотельная электроника. Т.2: Приборы специального назначения / В. Дьяконов. - М.: ДМК, 2013. - 576 c.
7. Дьяконов, В. Сверхскоростная твердотельная электроника. Т.1: Приборы общего назначения / В. Дьяконов. - М.: ДМК, 2013. - 600 c.
8. Евстратов, В.А. Радиоэлектроника прогулочных судов / В.А. Евстратов. - М.: ТрансЛит, 2008. - 128 c.
9. Ермаков, О.Н. Прикладная оптоэлектроника. Серия: мир электроники / О.Н. Ермаков. - М.: Физматлит, 2004. - 416 c.
10. Ермаков, О.Н. Прикладная оптоэлектроника. Серия: мир электроники / О.Н. Ермаков. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2004. - 416 c.
11. Ермуратский, П. Электротехника и электроника / П. Ермуратский, Г. Лычкина. - М.: ДМК, 2015. - 416 c.
12. Ермуратский, П.В. Электротехника и электроника / П.В. Ермуратский, Г.П. Лычкина, Ю.Б. Минкин. - М.: ДМК Пресс, 2013. - 416 c.
13. Жаворонков, М.А. Электротехника и электроника: Учебное пособие для студ. высш. проф. образования / М.А. Жаворонков, А.В. Кузин. - М.: ИЦ Академия, 2013. - 400 c.
14. Журавлев, Ю.А. Высокоэнергетичная плазменная электроника и фотоника. Часть 1. Серия: Электроника в техническом университете. Прикладная электроника / Ю.А. Журавлев, Н.Н. Пилюгин, Ю.Ю. Протасов. - М.: Янус-К, 2010. - 768 c.
15. Забродин, Ю.С. Промышленная электроника / Ю.С. Забродин. - М.: Альянс, 2014. - 496 c.
16. Зиновьев, Г.С. Силовая электроника в 2 ч. часть 2 5-е изд., испр. и доп. учебное пособие для бакалавров / Г.С. Зиновьев. - Люберцы: Юрайт, 2016. - 285 c.
17. Зиновьев, Г.С. Силовая электроника в 2 ч. часть 1 5-е изд., испр. и доп. учебное пособие для академического бакалавриата / Г.С. Зиновьев. - Люберцы: Юрайт, 2016. - 390 c.
18. Зиновьев, Г.С. Силовая электроника. Учебное пособие.5-е изд., испр. и доп. / Г.С. Зиновьев. - Люберцы: Юрайт, 2015. - 667 c.
19. Зиновьев, Г.С. Силовая электроника 5-е изд., испр. и доп. учебное пособие для бакалавров / Г.С. Зиновьев. - Люберцы: Юрайт, 2016. - 667 c.
20. Игнатов, А.Н. Микросхемотехника и наноэлектроника: учебное пособие / А.Н. Игнатов. - СПб.: Лань, 2011. - 528 c.
21. Игнатов, А.Н. Оптоэлектроника и нанофотоника / А.Н. Игнатов. - СПб.: Лань, 2011. - 544 c.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.
реферат [266,3 K], добавлен 18.01.2017Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Технология изготовления биполярного транзистора КТ3107. Анализ процессов в биполярном транзисторе. Статистическая характеристика и эквивалентные схемы биполярного транзистора. Его работа на высоких частотах, в импульсном режиме. Математическая модель.
курсовая работа [4,2 M], добавлен 11.02.2008Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора; классификация, схемы включения, вольт-амперные характеристики. Расчет электрических цепей с полупроводниковыми приборами. Определение рабочей точки, технология изготовления, применение.
презентация [662,5 K], добавлен 14.11.2014Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.
лабораторная работа [33,1 K], добавлен 18.06.2015Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
лекция [529,8 K], добавлен 19.11.2008Транзисторы– полупроводниковый прибор, пригодный для усиления мощности. Принцип действия n–p–n транзистора в режиме без нагрузки. Усиление каскада с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов и работы с общим эмиттером и с общим коллектором.
реферат [63,2 K], добавлен 05.02.2009Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат [174,3 K], добавлен 27.05.2012
