Энергонезависимая полупроводниковая память
Виды микроволновых полупроводниковых приборов и направления их развития. Технологии флэш-памяти - вида энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти. Технология формирования флэш-памяти компаний Intel, StrataFlash, Wireless Memory System.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Предмет | Полупроводниковая электроника |
Вид | реферат |
Язык | русский |
Прислал(а) | incognito |
Дата добавления | 22.08.2015 |
Размер файла | 563,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Использование микроконтроллеров AVR фирмы Atmel в проектируемой аппаратуре. Архитектура и общие характеристики прибора, предназначение арифметики логического устройства и понятие флэш-памяти. Формат пакета данных, алгоритм их передачи и система команд.
контрольная работа [427,3 K], добавлен 12.11.2010Разработка модулей памяти микропроцессорной системы, в частности оперативного и постоянного запоминающих устройств. Расчет необходимого объема памяти и количества микросхем для реализации данного объема. Исследование структуры каждого из блоков памяти.
контрольная работа [1,3 M], добавлен 07.07.2013Выполнение элементов динамической памяти для персональных компьютеров в виде микросхем. Матричная структура микросхем памяти на модуле. DIP - микросхема с двумя рядами контактов по обе стороны корпуса. Специальные обозначения на корпусе модуля памяти.
презентация [954,7 K], добавлен 29.11.2014Изучение принципа работы, основных переключательных характеристик и методов определения функциональных параметров элемента памяти. Устройство элемента памяти, построенного на биполярных двухэмиттерных транзисторах, используемого в интегральных схемах.
лабораторная работа [65,6 K], добавлен 08.11.2011Исследование среды IAR Embendded Workbench для контроллера NEC 78K. Изучение комплекса программно-аппаратных средств, предназначенных для отладки программ для микроконтроллеров фирмы "NEC". Программирование флэш-памяти контроллера с помощью утилиты FPL.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 29.09.2014Принципы организации памяти. Связь между устройствами на материнской плате. Современные DDR, DDR2, DDR3. Отображение бита информации через величину заряда на плавающем затворе в ячейках MLC и SLC. Организация записи информации на полевом транзисторе.
доклад [900,0 K], добавлен 12.03.2015Этапы разработки компонентов инфраструктуры сервисного обслуживания кристалла памяти ГАС. Общие представления системы на кристалле. Характеристика номенклатуры выпускаемой памяти на кристалле. Принципы создания сервисного обслуживания систем на кристалле.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 06.06.2010Разработка интерфейса и уточнённой структурной схемы, процессорного модуля, подсистем памяти и ввода/вывода, алгоритма программного обеспечения. Оценка памяти программ и данных. Структура адресного пространства. Организация клавиатуры и индикации.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 09.08.2015Блок регистров выходных данных, принцип его работы. Принципиальная электрическая схема блока памяти. Согласование по электрическим параметрам входных цепей памяти. Проверка допустимости значения времени нарастания сигнала на входе адреса микросхемы.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 24.06.2015Сигналы памяти и приемники изображения, устройства их обработки. Основные параметры элементов ПЗС: рабочая амплитуда напряжений, максимальная величина зарядного пакета, предельные тактовые частоты, мощность. Эффективность работы устройств обработки.
реферат [46,4 K], добавлен 13.01.2009