Фізико-технологічні засади мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників

18. Патент №7842. Україна, МПК С08G61/10, C08F138/00. Спосіб одержання функціональних плівок поліпарафенілену на оптично прозорих поверхнях / Аксіментьєва О.І., Конопельник О.І., Стахіра П.Й. Опубл. 15.07.2005. - Бюл. №7.

19. Аksimentyeva O.I, Konopelnyk O.I., Stakhira P.Y., Tsizh B.R. Doping-Induced Absorption in the Polyphenylacetylene Films // Ukrainian Journal of Physical Optics. - 2005. - Vol.6, №3. - Р.114-118.

20. Глушик І.П., Аксіментьєва О.І., Стахіра П.Й., Фечан А.В., Черпак В.В. „Електронні процеси в плівках електропровідних поліаміноаренів у протонних електролітах” // Фізика та хімія твердого тіла. - 2005. - Т.6, - №3. - С. 455-460.

21. Стахіра П.Й., Шандра З.А., Черпак В.В. Гетероструктури GaSe-GaN, отримані методом іонного розпилення в схрещеному електромагнітному полі // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2005. - №3. - С. 82-86.

22. Глушик І.П. , Стахіра П.Й. , Аксіментьєва О.І., Микитюк З.М. , Фечан А.В. , Черпак В.В. Оптичні спектри поліаніліну в середовищах з різним водневим покажчиком // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. Сер. “Електроніка”. - 2005. -№532.- С. 81-85.

23. Аксіментьєва О. І., Глушик І. П., Готра З. Ю., Стахіра П. Й., Черпак В. В. Газовий сенсор на основі гетероструктури поруватий кремній-поліанілін // Східно-Європейський журнал передових технологій. - 2005. - №17. - С.127-129.

24. Патент №10131. Україна, МПК С08G61/10, C08F138/00. Оптичний елемент з електрохромним полімерним шаром / Аксіментьєва О.І., Конопельник О.І., Стахіра П.Й., Черпак В.В., Фечан А.В. - № 200500105; Опубл. 15.09.2005, Бюл. №9.

25. Стахіра П.Й. , Готра З.Ю., Глушик І.П. , Аксіментьєва О.І., Черпак В.В., Фечан А.В. Кінетика оптичного відгуку при абсорбції аміаку в плівці поліаніліну // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. Сер. “Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки”. - 2005.- №542.- С.3-7.

26. Стахіра П.Й., Черпак В.В., Фоменко В.Л. Кінетичні та фотоелектричні властивості шаруватих напівпровідників, лазерно інтеркальованих нікелем // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. Сер.“Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки”. - 2005. - №542. - С.8-13.

27. Готра З.Ю., Стахіра Р.Й., Стахіра П.Й., Павлишин О.В. Моделювання термофоторезистивного ефекту в напівпровідниках // II Українсько- польський семінар з питань фізики та хімії матеріалів. Львів: Шацьк.- 1996.- С11.

28. Gotra Z., Stakhira R., Stakhira P., Pavlishin O. Thermophotoresistive effect in semiconductors // Proc. of 1- st International Modelling School of AMSE. - Alushta (Ukraine). - 1996. - Р. 59- 62.

29. Gotra Z., Stakhira P., Stakhira R., Pavlishin O., Kalita W. Zjawiska Termo- Fotorezystywne w Elementach Optoelectronicznych // VI Konferencja Naukowa: Technologia Elektronowa. - Krynica (Poland).- 1997.- V.2.- Р. 82- 85.

30. Stakhira P., Stakhira R., Pavlishin O., Blad G., Klepacki D. Czyjniki Natezenia Oswietlenia na Bazie Krystalow Warstwowych // VI Konferencja Naukowa: Technologia Elektronowa. - Krynica (Poland). - 1997.- V.2.- Р. 760- 763.

31. Stakhira P., Shandra Z. Studies of potentials distribution in Pennih's cell with sectional anode // Proc. of 5-nd International Symposium on Microelectronic Technology and Microsystems. - Pitesti (Romania). - 2001. - Р. 39-45.

32. Balitskyy O., Berchenko N., Savchyn V., Stakhira P. The processes of GaSe lared crystal nitridation // II International Seminar on Semiconductor Surface Passivation-SSP'2001. - Ustron (Poland). - 2001. - Р.43.

33. Aksimentyeva O., Konopelnik O., Grytsiv M., Stakhira P., Cherpak V., Fechan A. Charge transport processes in the sensor materials based on conjugated polyaminoarenes // Sensors & their Applications XII. - Limeric (Ireland).- 2003. - P.23.

34. Mykytyuk Z., Aksimentyeva O., Stakhira P., Cherpak V., Fechan A., Konopelnik O. Electrooptical characteristics liquid crystal - conductive polymer structure // Abstract of XV Conference on Liquid Crystals, Chemistry, Physics and Applications. - Zakopane (Poland). - 2003.- Р. 56.

35. Stakhira P.Y., Aksimentyeva O.I., Vertsimakha Ya.I., Tsihz B.R. Heterostructures based on conducting polymer films on the surface of inorganic semiconductors // Тези X Міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок (МКФТТП-X). - Івано-Франківськ (Україна). - 2005.- С.216-217.

36. Конопельник О.І., Аксіментьєва О.І., Стахіра П.Й. Вплив легування на оптичні спектри плівок поліфенілфцетилену // Тези X Міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок (МКФТТП-X). - Івано-Франківськ (Україна). - 2005.- С. 255.

37. Stakhira P., Aksimentyeva O., Cherpak V. // Photo-induced conductivities in surface polyaniline layer on the porous silicone // Материалы Международной конференции “Кристаллические материалы”, ICCM'2005. - Харьков (Украина). - 2005.- С. 34.

38. Stakhira P.Y., Aksimentyeva O.I., Dorosh O.B., Savchyn V.P. Photovoltaic properties of conducting polymer-(InSe) heterostructures. Abstract of 5-th Conference "Electronic processes in organic materials" ICEPOM. - Kyiv (Ukraine). - 2004. - Р.83.

39. Stakhira P.Y., Vertsimakha Ya.I., Aksimentyeva O.I., Dorosh O.B. Photoelectrical properties of dispersed InSe-polyphenylacetylene composites // Abstract of 5-th Conference "Electronic processes in organic materials" ICEPOM. - Kyiv (Ukraine).- 2004.- Р.10.

40. Stakhira P., Gotra Z., Cherpak V., Fechan A.. Optical and electrooptical characteristics of system based on liquid crystal and photosensitive semiconductor powder of submicrone size // Abstract of 20th International Liquid Crystal Conference. - Ljubljana (Slovenia). - 2004.- Р.75.

41. Stakhira P., Aksimentyeva O., Bakhmatyuk O., Smertenko P., Cherpak V. Exiton processes in heterostructure based on porous silicone// Abstract of 6^th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter. - Cracow (Poland). - 2004.-Р. 122.

42. Hlushyk I., Mykytyuk Z., Aksimentyeva O., Stakhira P., Cherpak V. Hural V. The influence thickness on an optical characteristics and structure of polyaniline film // Тези ІІІ міжнародної конференції з оптоелектронних інформаційних технологогій "PHOTONICS-ODS” 2005”. - Вінниця (Україна). - 2005.- С. 41.

43. Stakhira P, Mykytyuk Z., Cherpak V., Volynuk D. Photoelectrical properties of composites on the base of liquid crystal, conductive polymer - microdispersed semiconductor // ІІІ міжнародна конференція по оптоелектронним інформаційним технологогіям "PHOTONICS-ODS” 2005" - Вінниця (Україна).- 2005.- С.45.

44. Stakhira P.Y., Aksimentyeva O.I., Tsiz B.R., Cherpak V.V. Photovoltaic characteristics of the new sensing heterostructure based on InSe, GaSe - layered crystals // Sensors and Photonics for Applications in Industry, Life Sciences, and Communications. - Boston, Massachusetts (USA).-2005. - Р.121.

45. Mykytyuk Z., Aksimentyeva O., Hlushyk I., Fechan A., Cherpak V. Sensitive element of pH sensor // International Congress on Optics and Optoelectronics. - Warsaw (Poland). - 2005. - Р.47.

46. Aksimentyeva O.I., Hlushyk I.P., Stakhira P.Y., Martyniuk G.V., Fechan A.V. New pH optical sensor for medicine and environment monitoring application based on the thin conducting polymer films // IX Polish-Ukrainian Symposium “Theoretical and Еxperimental Studies of Interfacial Phenomena and their Technological Application”. - Sandomerz (Poland). - 2005. - P.10.

АНОТАЦІЇ

Стахіра П.Й. Фізико-технологічні засади мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників. - Рукопис

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук за спеціальністю 05.27.06 - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. Національний університет “Львівська політехніка”, Львів, 2005.

Робота присвячена розробці нових фізичних і технологічних підходів до створення приладів мікроелектроніки. Розроблені фізико-технологічні основи отримання та досліджені електричні та фотоелектричні властивості гетероструктур на основі p-InSe- поліфенілацетилену, p-InSe поліаніліну, а також композиту на основі мікродиспергованого InSe в спряженому полімері. Виявлено електрохромний ефект у структурі In₂O₃ -рідкий кристал -поліанілін - In₂O₃. На основі розробленої технології впровадження Ni в шаруватий монокристал GaSe виявлено та обгрунтовано зміну кінетичних параметрів лазерно-інтеркальованих шаруватих кристалів та появу електретних і фотоелектретних ефектів.

Представлені результати апробації гетероструктури In₂O₃ - спряжений поліаміноарен як електрохромного елемента в невипромінюючих дисплеях, а також як чутливого елемента в сенсорах токсичних газів та водневого покажчика середовища. Розроблені фізично-технологічні основи створення сенсорів на основі поруватого кремнію та провідних полімерів. Модифікація поверхні селеніду галію широкозонними напівпровідниковими плівками здійснювалася за допомогою розробленої технології формування оксидного шару на поверхні GaSe за допомогою лазерного окислення та методу іонного розпилення у схрещених електричному і магнітному полях для формування нітридо-галієвих структур.

Стахира П.И. Физико-технологические основы микроэлектронных сенсоров на основе гетероструктур органических и неорганических полупроводников. - Рукопись.

Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.27.06 - технология, оборудование и производство электронной техники. Национальный университет “Львивська политехника”, Львов, 2005.

Работа посвящена разработке новых физических и технологических подходов к созданию приборов микроэлектроники. Разработаны физико-технологические основы получения и исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе p-InSe- полифенилацетилена, p-InSe- полианилина, а также композита на основе микродиспергированного InSe в сопряженном полимере. Обнаружен электрохромный эффект в структуре In₂O₃ - жидкий кристалл -полианилин - In₂O₃. На основе разработанной технологии внедрения Ni в слоистый монокристалл GaSe обнаружено и обосновано изменение кинетических параметров лазерно-интеркалированных слоистых кристаллов и возникновение электретных и фотоэлектретных эффектов.

Представлены результаты апробации гетероструктуры In₂O₃ - сопряженный полиаминоарен в качестве электрохромного элемента в неизлучающих дисплеях, а также чувствительного элемента в сенсорах токсичных газов и водородного показателя среды. Разработаны физико-технологические основы создания сенсоров на основе пористого кремния и проводящих полимеров. Модификация поверхности селенида галлия широкозонными полупроводниковыми пленками осуществлялась при помощи разработанной технологии формирования оксидного слоя на поверхности GaSe при помощи лазерного окисления и метода ионного распыления в скрещенных электрическом и магнитном полях с целью формирования нитридо-галлиевых структур.

Stakhira Pavlo. Physical and technological fundamental of microelectronic sensors based on heterostructures of organic and inorganic semiconductors. - Manuscript. Thesis for scientific degree of doctor of technical sciences on the speciality - 05.27.06 technology, devices and production of electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv 2005.

The thesis is devoted to elaboration of new physical and technological approaches for development of microelectronic devices. Physical and technological fundamental for formation of heterostructures based on p-InSe - polyphenil-acetylene, p-InSe - polyaniline and composite based on microdispersed InSe in conjugated polymer are designed, electrical and photoelectrical properties of such heterostructures are investigated. It is shown that current-voltage characteristic is described by Shottky equation with ideality coefficient close to 2. The dependence of idling voltage and short circuit current on light irradiation intensity possesses non-linear behavior, cell spectral sensitivity is conditioned mainly by photosensitivity of inorganic semiconductor. Electrochromic effect in structure of In₂O₃ - liquid crystal - polyaniline - In₂O₃ is discovered. Simultaneous utilization of electrochromic effect in polyaniline film and electro-optic effects in liquid crystals is applied for realization of multistage control of optical elements. The change of kinetic parameters of laser-intercalated layered crystals and appearance of electretic and photoelectretic effects are discovered and validated on the basis of designed technology for Ni implantation into GaSe layered single crystal.

The approbation results for heterostructure of In₂O₃ - conjugated poly-aminoarene as electrochromic element in nonradiating displays and as sensitive elements in toxic gas sensor and hydrogen monitor are presented. The physical and technological basis for creation of sensors based on porous silicon and conducting polymers is elaborated. The surface modification of GaSe by broadband semiconducting films was made using elaborated technology of formation of oxide layer on GaSe surface by means of laser oxidation and ion sputtering methods in crossed electrical and magnetic fields for formation of nitride-gallium structures.

Размещено на Allbest.ru