Моделі МОН-транзисторів для схемотехнічного проектування субмікронних інтегральних схем
Дослідження структури моделі МОН-транзистора яка впливає на точність розрахунку параметрів моделі субмікронних розмірів, послідовності її вбудовування в САПР схемотехнічного проектування, перевірка на вірність за допомогою порівняльного моделювання.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 28.07.2014 |
| Размер файла | 35,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Аналіз функціонування ЗЕМ на базі інформаційних технологій схемотехнічного проектування. Проектування конструкторської реалізації ЗЕМ у формі ГІС. Проектування плівкових пасивних елементів і конструкції. Визначення параметрів паразитних елементів.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 19.10.2010Вивчення конструкції інтегрального транзистора. Дослідження засобів проектування та технології виготовлення інвертора позитивних імпульсів. Визначення габаритних розмірів мікросхеми. Огляд параметрів інтегральних діодів. Розрахунок дифузійних резисторів.
курсовая работа [209,3 K], добавлен 07.10.2014Процес формування сигналу-коду та його перевірка. Ескізне проектування, електрична структурна схема, основні аспекти роботи системи. Розробка моделі на мові VHDL, генерація кодової послідовності, схеми мультиплексорів та реалізація приймача сигналу.
курсовая работа [422,6 K], добавлен 18.09.2010Аналіз сучасного стану питання та обґрунтування методу розрахунку і оптимізації. Комп’ютерне моделювання та вибір математичної моделі. Основні характеристики моделей дисперсійного аналізу, методика їх розрахунку. Моделі систем масового обслуговування.
курсовая работа [518,0 K], добавлен 25.08.2013Методика розрахунку кільцевої форми осердя з прямокутною петлею гістерезису при імпульсному діянні. Розроблення програми на базі математичної моделі розрахунку для розрахунку геометричних параметрів осердя та побудови графічної моделі петлі гістерезису.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 07.02.2010Класифікація та умовні позначення польових транзисторів. Конструкція пристроїв з ізольованим затвором. Схема МДН-транзистора з вбудованим або індукованим каналом. Розрахунок електричних параметрів і передаточних характеристик польового транзистора КП301.
контрольная работа [510,5 K], добавлен 16.12.2013Особливості мережі зв’язку; проектування автоматизованої системи: вибір глобального показника якості, ефективності; визначення структури мережі і числових значень параметрів. Етапи проектування технічних систем, застосування математичних методів.
реферат [58,6 K], добавлен 13.02.2011Реалізація HDL-моделі паралельного логічного контролера циклічної дії мовою опису апаратури AHDL у середовищі MAXplus+II. Алгоритм функціонування паралельного логічного контролера циклічної дії: таблиці станів і переходів. Логічна структура блоку пам'яті.
контрольная работа [265,3 K], добавлен 25.09.2010Часові характеристики сигналів з OFDM. Спектральні характеристики випадкової послідовності сигналів. Смуга займаних частот і спектральні маски. Моделі каналів розповсюдження OFDM-сигналів. Розробка імітаційної моделі. Оцінка завадостійкості радіотракту.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 07.10.2014Огляд елементної бази, що застосовується для побудови логічних керуючих автоматів з паралельною архітектурою. Аналіз систем автоматизованого проектування логічних керуючих автоматів на основі ПЛІС, їх різновиди і відмінні особливості, тенденції розвитку.
курсовая работа [478,2 K], добавлен 25.09.2010Вивчення головних методик оцінки показника Херста. Самоподібні процеси та їх фрактальний і мультифрактальний аналіз. Опис мобільних програм, протоколів мережевого рівня. Дослідження структури GPRS-трафіку. Побудова імітаційної моделі GPRS-мережі.
дипломная работа [5,6 M], добавлен 21.12.2012Аналіз планування експерименту, його необхідність та основні принципи, регресійний аналіз. Моделювання двигуна постійного струму, тиристорного перетворювача. Карта Парето регресійної моделі. Ротабельне композиційне планування, оцінка адекватності моделі.
курсовая работа [716,6 K], добавлен 27.02.2012Системи автоматичного проектування. Характеристика PCAD 2008 для побудови принципової схеми управління освітленням з будь-якого пульту ДУ та трасування плати з реальними фізичними розмірами компонент. Короткий огляд САПР, які існують на сьогоднішній день.
курсовая работа [21,2 K], добавлен 09.06.2010Проблеми однієї із найсучасніших широкосмугових радіотехнологій – WiMax, розрахунок її покриття. Залежність величини радіусу комірки від чутливості приймача та системного підсилення. Вплив інтерференції на радіус комірки. Проектування покриття комірки.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 07.05.2009Поняття та сутність ПЛІС, проектування та зародження мови VHDL. Моделювання систем за допомогою MatLab та Quartus II. Принцип роботи блока Stateflow. Створення графа станів для синхронного кінцевого автомата. Одержання VHDL коду в середовищі Quartus.
отчет по практике [2,2 M], добавлен 15.02.2013Етапи та стадії проектування на прикладi розробки ультразвукового сканера: характеристики приладу, технічне завдання, труднощі традиційного проектування. Суть блочно-ієрархічний підходу при технічному проектуванні. Структура проектування схеми вузла.
реферат [52,9 K], добавлен 08.01.2011Системи автоматичного проектування ACCEL Schematic, Dr. Spice. Опис роботи в середовищі PCAD-2009: створювання принципових схем для їх подальшого трасування, позначення компонент, бібліотек дискретних елементів. Принципова схема дешифратора сигналів.
реферат [22,5 K], добавлен 09.06.2010Обчислення передаточної функції ланцюгів та аналіз частотних характеристик. Еквівалентна схема ланцюга за змінним струмом. Метод вузлових потенціалів. Можливості програми схемотехнічного моделювання Micro-Cap 7. Аналіз кіл активних компонентів.
лабораторная работа [299,9 K], добавлен 10.05.2013Принцип роботи біполярного транзистора, його вхідна та вихідна характеристики. Динамічні характеристики транзистора на прикладі схеми залежності напруги живлення ЕЖ від режиму роботи транзистора. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.
лабораторная работа [263,7 K], добавлен 22.06.2011Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.
курсовая работа [119,0 K], добавлен 08.08.2007
