Фізико-технологічні основи електронно-йонних методів створення наноструктур функціональних елементів для НВІС

Розглянуті експериментальні дані вольтамперних і вольфарадних характеристик дають можливість зробити висновок, що різкий перехід від низького значення параметру т 0,25 В/мкм до високого т 2 В/мкм дотримуються на відрізку довжин каналів 1,0-1,5 мкм. Аналогічний характер мають залежності напруги відпирання Up і параметру р від довжини каналу, але перехідна область зміщена на 0,65 мкм в сторону більших довжин каналу. З урахуванням технологічних допусків та температурного дрейфу параметрів МОН-транзиторів необхідно обмежити мінімальну топологічну довжину каналу на рівні 2-2,2 мкм. Ефективна довжина каналу визначається дифузійною крутизною МОН-транзисторів від напруги на затворі при напрузі на витоку Uси =0,1 В. Різниця між топологічною і ефективною довжиною каналу складає 0,7 В. Виходячи з цього проведено моделювання статичних характеристик ключових транзисторів і показано добре співпадання експериментальних вихідних характеристик МОН-транзисторів з модельованими залежностями.

Використовуючи напрацьовані методи розрахунків та моделювання інтегральних схем, а також йонно-плазмові технології створення наноелементів НВІС досліджені та розроблені високовольтні КМОН НВІС, дієздатність яких залежить від внутрішніх та зовнішніх дестабілізуючих чинників. Внутрішні електричні чинники виникають в зв`язку з перезарядкою ємностей елементів транзисторів, протіканням активних і паразитних струмів між електродами, дрейфом і дифузією зарядів в зворотньозміщеному p-n-переході, збільшенням рівня інжекції неосновних носіїв, що приводить до пробою p-n-переходів.

Зовнішні дестабілізуючі чинники утворюються завдяки різкому збільшенню напруги живлення, температури, радіаційного та інших впливів , що перевищують допустимі норми . Виявляються ці явища в створенні тиристорного ефекту. Аналіз конструктивного розташування областей витоків, втоків, захисних діодів у логічних елементах на основі комплементарних МОН транзисторів показує, що можна виділити два типи чотирьохшарових структур. Структури першого типу створюються у вхідних каскадах ВІС і включають р⁺ -тип базу охоронного кільця входного діоду, n⁺ -тип підкладку р-канального МОН транзистору, р-карман та n⁺ втік n-канального транзистору. Другий тиристорний ефект зв`язує базу вхідного захисного n⁺-типу провідності діоду в р-кармані з р⁺-втоком р-канального транзистору в підкладці n-типу провідності. Відміна двух типів активних паразитних чотирьохшарових структур полягає в тому, що при переході в низькоімпедансний стан в першому варіанті замикаються шини “землі” або живлення на вихід попередньої схеми, а в другому - шина живлення на шину “землі”.

Захист від цих негативних явищ здійснюється за рахунок конструктивних удосконалень, в яких підкладка n-канального транзистору заземлена, а підкладка р-канального транзистору з`єднана з джерелом позитивного живлення. У вхідному інверторі захист підзатворного діелектрику від гранично допустимих напруг живлення здійснюється за рахунок спеціально сконструйованої схеми захисту. Взаємний вплив струмів мінімізується розробленими конструкторсько-топологічними обмеженями наноелементів та використанням блоку двухрівневої металізації.

Крім високовольтних КМОН ВІС модифікована однокристальна ЕОМ, яку інтегровано з “інтелектуальним “ контролером послідовного каналу (КПК), що дає можливість побудувати мікроконтролерні системи завдяки паралельній роботі КПК з мікро-ЕОМ. Оскільки КПК володіє власним “інтелектом”, центральний процесор звільнюється від великої кількості задач з організації зв`язку і , відповідно, має можливість виділити свою потужність для управління локальними периферійними пристроями або зовнішнім процесом.

В п`ятому розділі наводяться результати розробок, дослідження електронно-йонних процесів функціональної та технологічної інтеграції мікро- і наноструктур на основі кремнію і сполук А³В⁵ .

Технологічна інтеграція транзисторних наноструктур при їх об`єднанні в надвеликі інтегральні схеми (НВІС) наштовхується на фізичні межі зменшення розмірів нанообластей, низьку рухливість зарядів в кремнії, а також збільшення взаємних теплових та електромагнітних перешкод, які створюються рухливими зарядами електронів та дірок. Для виходу із цих принципових ускладнень пропонується шляхом широкого застосування розробок електронних та інших методів збільшувати функціональні навантаження елементів, широко використовувати оптоелектронні методи і гетерогенні напівпровідникові системи, унікальними властивостями яких є можливість шляхом зміни складу твердих розчинів цілеспрямовано змінювати зонну структуру і фізичні властивості макро-, мікро-, і нанообластей. Наведено, як застосування йонних потоків допомагає здолати фізичну та технологічну несумісність по параметрам епітаксії, коефіціентам теплового розширення, дифузії домішок, мікротвердості, а також електромагнітним і тепловим взаємодіям. Розроблені підходи та фізико-технологічні режими йонних процесів зберігають основні переваги як кремнієвої технології (високий рівень чистоти, структурна досконалість і контроль процесів легування) , так і наноструктур складних напівпровідників (великі можливості управління шириною забороненої зони, рухомістю носіїв зарядів, показниками оптичного заломлення n та поглинання d, структурою енергетичних зон).

Таким чином, центр ваги конструювання і створення функціональних мікроприладів переноситься із схемотехнічних рішень з використанням десятків і сотень тисяч транзисторів в область дизайну зонних структур на атомному рівні напівпровідника - зонну інженерію хвильових функцій електронів _n .

Монолітна інтеграція GaAs з кремнієвими ІС.

Досліджені два варіанти монолітної інтеграції елементів на основі арсеніду галію і кремнію: гетероепітаксія і селективна епітаксія в вікнах кремнієвих підкладок. В відомому механізмі епітаксійного росту пар-рідина-тверде тіло (ПРТ) запропоновано іонізувати пар, що поліпшило проникнення йонів миш`яку в рідкий шар галію на поверхні кремнію, прискорило процеси утворення наноплівки арсеніду галію та поліпшило її якість. Йонна обробка поверхні перед нанесенням на неї галію знешкоджує з неї окислений шар, а бомбардування йонами рідкого шару ліквідує залишки окислів на межі розділу Si/GaAs.

Іонізація газового потоку в процесі зарощування арсенідом галію вікон кремнієвої підкладки з сформованими в ній інтегральними елементами в 1,3-2 рази підвищує рухливість компонентів осаджуваних речовин (Ga, AsH₃), що призводить до швидкого зарощування вікон селективною областю арсеніду галію. (рис. 9).

Проведені металографічні дослідження показують зниження густини дислокацій в 10 разів та підвищення інтенсивності фотолюмінесценції в напрямку росту. Експериментальні залежності для цих величин добре корелюють між собою, а також підтверджуються зменшенням і зникненням на поверхні спектральних смуг, відповідальних за рекомбінацію через енергетичні рівні дислокацій. В одержаних епітаксійних структурах густина дислокацій складала менше 10² см^-2, що відповідає бездислокаційному арсеніду галію. Практично на мікрофотографіях в вікнах 150х150 мкм виявлялись 1-2 дислокаційні ямки (рис.10).

транзисторних схем надвисокої швидкості, інтегральних оптронів, підсилювачів яскравості, перетворювачів довжин хвиль випромінювання та інших мікроприладів, інтеграція яких на кремнії чи на арсеніді галію неможлива або дуже ускладнена.

Інтеграція функціональних пристроїв введенням оптичного зв`язку.

Інтеграція гетероелементів з кремнієвими структурами дає можливість реалізувати оптичний зв`язок як між компонентами ІС всередині чипа, так і між чипами. Збільшення ступеню інтеграції ІС з субмікронними та нанометровими розмірами елементів обумовили зростання кількості вхідних і вихідних виводів і внутрішніх міжз`єднань, що при збільшенні тактової частоти стає суттєвою перепоною для монолітної інтеграції. Запропоновано горизонтальні і трьохвимірні багаточипові збірки на кремнії з вбудованими в них лазерними або світлодіодними випромінювачами та фотоприймачами, за допомогою яких реалізується оптичний зв`язок між чипами. Розроблені підходи реалізують технологічну або функціональну інтеграцію і застосовані в швидкісних лазерних передавальних та приймальних модулях волоконно-оптичних ліній зв`язку на 34 і 125 Мбіт/с . В створених за участю автора модулях використані одномодові лазерні діоди на довжині хвилі 1,3 мкм на гетероструктурах InGaAsP/InP з квантовими ямами.

Незважаючи на рекордний ККД перетворення електричної енергії в оптичну, який досягає 70%, напівпровідникові лазери є найбільш потужними елементами мікросхем. Розглянуті фізичні та технологічні аспекти температурної стабілізації мікролазерних пристроїв волоконно-оптичних ліній зв`язку (ВОЛЗ). Проведено детальний аналіз механізмів поглинання фотонів та фононів в твердих розчинах AlGaAs і InGaAsP, які є основними матеріалами лазерів для ВОЛЗ. В розроблених модулях ВОЛЗ застосовані лазери з мезаполосковою структурою з шириною полоска 1 мкм, в яких формування полоска виконано йонною імплантацією в пасивні області або прецизійним плазмовим травленням мезаструктур. Розроблені структури одномодових мікролазерів і конструкції модулів передатчиків ВОЛЗ забезпечують швидкість передачі 1,25 Гбіт/с.

На основі сполучення структур арсеніду галію і кремнію (GaAs/Si) запропоновано однокристальний процесор супутникового зв`язку (ОПСЗ), в якому вперше інтегровані НВЧ малошумлячі транзистори, лазерні діоди та інші надшвидкісні елементи з великими інтегральними схемами. Однокристальний пристрій є складним оптоелектронним функціональним приладом, який реалізується з використанням розроблених електронно-йонних нанотехнологій. Таке рішення суттєво підвищує надійність і знижує його вартість, що робить НВЧ-наноструктури придатні для масових застосувань в радіооптичних системах і комп`ютерних мережах.

Розроблені принципи використання електронно-йонних процесів при інтеграції можуть бути застосовані в співставленні з такими технологіями, як кремній на сапфірі, кремнієві структури з діелектричною ізоляцією, нітрид галію на сапфірі, нітрид галію на карбіді кремнію.

Йонні технології формування наноструктур квантових комп`ютерів.

В роботі показано, як застосувати йонні технології для формування напівпровідникових наноструктур з обчислювальною здатністю, яка на декілька порядків перевищує найсучасніші НВІС на транзисторних елементах. Запатентовано принцип роботи і конструкцію квантового комп`ютера, в якому для обчислень використовуються принципи квантової механіки. Всі запропоновані іншими авторами квантові комп`ютери можуть функціонувати тільки при низьких температурах (мілікельвіни) і в технологічному плані суттєво програють методам мікро- і наноелектроніки. Запатентований автором квантовий процесор виготовляється на варізонних гетероструктурах багатокомпонентних напівпровідників А³В⁵ з використанням йонних методів епітаксії, що робить цей процесор конкурентоздатним з транзисторними мікропроцесорами не тільки по швидкості обчислень, а і по всім техніко-економічним показникам, що особливо важливо для обробки надвеликих інформаційних потоків в реальному часі.

Аналіз умов, у яких формуються квантово-розмірні наноструктури, показує, що для їх використання в квантових процесорах потрібно технологічне середовище з надвеликою контрольованістю на рівні одного електрона, яке еквівалентне по чистоті вакууму 10^-12-10^-10 мм. рт. ст.

В роботі запропоновано використати вакуум на поверхні космічного апарату для розміщення на ній електронно-йонної апаратури для епітаксії Ga. Показано, що використання формування наноструктур йонної стимуляції дозволяє задіяти всю поверхню космічного апарата, а не тільки за донним зрізом, як це робиться зараз за пропозицією інших авторів.

Йонне стимулювання розчинності сполук А³В⁵.

Показано, що при одержанні наноструктур із йонних джерел або при втіленні йонів з наступним відпаленням область напруженних гетерогенних твердих розчинів звужується і можливо досягнути повного змішування компонентів при достатньо низьких температурах, які не визивають суттєвих механічних напруг при охолодженні до кімнатної температури. Зокрема, показано, що йонна стимуляція побудови кристалічної гратки чотирьохкомпонентних твердих розчинів в системах InGaAsP та AlGaAsN дозволяє зменшити температурний діапазон областей розчинності, що розширює область існування повної розчинності. Запропоноване йонне управління процесом розділення фаз і створення за його допомогою ненапружених гетерогенних структур з квантоворозмірними островками квантових ям, квантових крапок або квантових дротів. Аналіз втілення йонів алюмінію та індію в решітку GaN показує, що при цьому має місце зжимання і розтягування решітки на відстані, яка визначається різницею в атомних радіусах галію, алюмінію і індію. Кожний такий цикл розглядається як нанокластер, реальні розміри якого відповідають розмірам квантових крапок. В запропонованому механізмі метастабільність може проявлятися в макро- і мікрооб`ємах, тоді як в нанооб`ємах такі структури є стабільними.

Стимулювання плазмою процесів одержання багатокомпонентних твердих розчинів А³В⁵ забезпечує збільшення швидкості осадження, яке без активації проходило б при реально допустимих температурах порядка 1000C недопустимо довго.

Розглянута можливість використання розроблених нанотехнологій для створення одноелектронного транзистора. Зосереджена увага на необхідності мінімізації поверхневих станів на межах між квантовими крапками та іншими елементами наноструктур. Поверхневі стани захоплюють електрони, накопичують заряд, допустима щільність поверхневих станів оцінена в 10¹⁰-10¹¹ см^-2. Запропоновано створення одноелектронних транзисторів в напівпровідникових гетероструктурах, в яких за допомогою йонних методів можлива мінімізація щільності станів на гетеромежах до величин, на декілька порядків менших, чим можливо на межі кремній - окись кремнію. Розроблені методи створення квантоворозмірних гетероструктур перспективні для реалізації квантових процесорів на багатокомпонентних твердих розчинах А³В⁵, які можуть обробляти великі об`єми інформації при кімнатних температурах.

Білий світлодіод

Для одержання широкого спектру випромінювання світлодіодів, який відповідає діапазону білого світла 420-760 нм, запатентовано багатокомпонентну квантоворозмірну наноструктуру в системі AlGaInNPAs. Стимулювання плазмою процесів одержання багатокомпонентних твердих розчинів А³В⁵ забезпечує зростання розчинності і швидкості росту. Фактично знімаються обмеження на розчинність в шестикомпонентній системі твердих розчинів AlGaInNPAs, що дає широкі можливості для епітаксійного росту наношарів з енергетичними переходами, які забезпечують генерацію білого світла. Технологічно узгоджені по параметрам кристалічних граток структури білих надяскравих світлодіодів характеризуються наявністю надрешітки і шарів, які забезпечують інжекцію електронів і дірок. В випромінюючих шарах лазерно-йонними методами формуються квантові ями, квантові проволоки та квантові точки різної величини і структури. Епітаксійний ріст здійснюється на підкладках сапфіру, починаючи з шарів твердих розчинів з великою шириною забороненої зони з поступовою зміною атомного складу таким чином, щоб ширина забороненої зони зменшувалась адекватно зменшенню енергії квантів випромінювання від блакитного до червоного кордонів білого спектру. В якості донорних домішок використовуються Si, Mg, Se або Te, в якості акцепторних домішок використовуються Zn, Be. Необхідний баланс кольорів, які складають спектр білого світа, забезпечується концентрацією компонентів та складом квантово-розмірних наноструктур і характеризується індексом кольоровості, який складає R=40-90. Час функціонування таких джерел світла не менше 100000 годин, що суттєво перевищує всі інші відомі джерела світла.

Широкий білий спектр випромінювання забезпечується одночасно трьома механізмами, які роблять енергетичний спектр переходів фактично неперервним і малозалежним від часових змін, наприклад, температури. Це стабілізує спектр білого світла, що вигідно відрізняє запатентовану структуру і технологію від відомих рішень.

ВИСНОВКИ

Основними результатами досліджень електронно-йонних методів формування наноструктур функціональних елементів НВІС є встановлення універсальних для всіх йонних процесів фізико-технологічних факторів, відповідальних за модифікацію фундаментальних характеристик речовин в нанометрових вимірах і атомно-молекулярних кількостях, а також виявлення загальних закономірностей формування твердотільних наноструктур при створенні функціональних елементів обробки великих масивів інформації.

Таким чином вирішена важлива фізико-технологічна проблема твердотільної електроніки, що дала змогу науково обгрунтовано підходити до вибору технологічних процесів створення НВІС та функціональних елементів нових поколінь обчислювальної техніки, зв`язку, приладобудування.

Вірогідність отриманих результатів забезпечена великою кількістю експериментальних даних, отриманих в умовах серійного виробництва НВІС за допомогою сучасних мікроаналітичніх та обчислювальних методів.

В результаті проведених досліджень встановлено:

1. При йонному бомбардуванні конденсату високоякісні наношари металів, їх силіцидів, арсеніду галію-алюмінію формуються при температурах підкладок на 200-300 C менших, ніж без іонізації в вакуумі в 10^-6 10^-7 мм рт. ст. Температура епітаксії з`єднань А³В⁵ при проведенні процесів з іонізацією компонент в 1,5 -2 рази нижча (450 C) ніж без іонізації (750-850C), а інтенсивність люмінесценції в 1,5 - 2 рази вища, ніж для плівок, отриманих без йонної стимуляції.

2. Термодинамічні розрахунки параметрів взаємодії йонів з наноструктурами дали наступні значення:

пробіг малоенергетичних йонів (10³ еВ) в твердому тілі (титані) складає 1,5 нм, тобто йон проникає в плівку на глибину декількох атомних шарів;

час взаємодії йону титану до повного зупинення складає 5 10^-14 с;

за час пробігу йону в нанообластях його локальна температура зменшується від 113050 C до 500C;

ймовірність руйнування йонами хімічних зв`язків і десорбції SiO₂, TiO₂, O₂, H₂, OH, CH, AsH₃W-e -Ф/КТ = 1;

амплітуда відхилення налітаючим йоном атому титану від положення рівноваги складає 0,16 нм, що становить 30% періоду коливань кристалічної решітки;

енергія коливального руху атомів титану, визваного дією йона складає Е=776 еВ 12,46 10^-10 ерг, що відповідає температурі 10⁷ К, при якій має місце розрив зв`язків атома з середовищем плівки.

3. Теоретичні розрахунки на основі розроблених математичних моделей температурної залежності коефіціентів дифузії титану, молібдену і нікелю в кремнії, максимальної розчинності атомів нікелю в кремнії та її залежність від часу при йонному бомбардуванні конденсату дають можливість стверджувати, що енергія йонів величиною до 1000 еВ є достатньою для виникнення взаємодії реагуючих компонент, створення твердих розчинів досконалої структури без залучення додаткової дії температурних чинників.

4. Формування активних нанообластей транзисторів в n-канальній технології виготовлення НВІС з використанням поліцидних міжз`єднань першого рівня необхідно проводити перед високотемпературним відпаленням, що дає можливість високоенергетичним йонам руйнувати окисел на поверхні монокремнію і створювати більш гомогенну структуру силіцидного шару.

Захист МДН-транзисторів від радіаційних пошкоджень, особливо на ділянках перекриття p-n-переходу витоку досягається застосуванням розроблених йонно-плазмових процесів селективного стравлювання ФСС над електродами затворів і дифузійних областей. Далі, на всю поверхню наноситься пасивний двуокис кремнію, в якому проводиться роздільна фотолітографія по металізації, потім відкриваються вікна окремих транзисторів накопичувача і через підзатворний окисел та полікремній легується канальна область.

5. Вперше запропоновано комплексно здійснити зменшення розмірів наноелементів НВІС за рахунок удосконалення технології формування нанообластей пасивного поля, використання наношарів поліцидів для першого рівня міжрівневого з`єднання, оптимізації нанорозмірів каналу транзисторів, використання сучасних методів йонного легування активних ділянок замість традиційної дифузії, удосконалення схемотехнічних рішень в високовольтних КМОН ВІС та функціонального поєднання елементів однокристальних ЕОМ з контролером послідовного сигналу.

6. Вперше застосовані йонні технології для вирішення проблем монолітної інтеграції структур на сполуках А³В⁵ з кремнієвими інтегральними схемами. Розроблені підходи та фізико-технологічні режими йонних процесів селективної епітаксії та легування зберігають основні здобуття як кремнієвої технології (високий рівень чистоти, структурна досконалість), так і наноструктур складних напівпровідників (великі можливості управління шириною забороненої зони, рухомістю носіїв зарядів, показниками оптичного заломлення та поглинання, структурою енергетичних зон).

Показано, що іонізація газового потоку збільшує рухливість компонент використовуваних речовин в 1,3 - 2 рази, що приводить до збільшення швидкості зарощування вікон в кремнії селективною областю арсеніду галію і зменшує вплив газового середовища на вже сформовані інтегральні елементи в кремнії.

7. Вперше запропонована йонна стимуляція змішування багатокомпонентних твердих розчинів сполук А³В⁵, які без йонів являються нерозчинними. Експериментально показано, що при цьому в системі InGaAsP температура повної розчинності зменшуються на 200-800C, а в нітридних системах ще більше - до 1000С. Вперше запропоновано йонне управління процесом розділу фаз і отримання на цій основі ненапружених гетероструктур з квантовими ямами і квантовими крапками. Розглянута можливість використання розроблених нанотехнологій для створення одноелектронного транзистора і квантового процесора. Це дозволяє вирішити проблему створення нових приладів на гетеропереходах, наприклад, з широким спектром випромінювання.

8 Запатентована твердотільна структура і йонна технологія виготовлення білих світлодіодів, в якій, вперше, використовуються шестикомпонентні тверді розчини в системі AlGaInNPAs, отримувані методами йонного змішування, йонно-стимульованого епітаксійного росту і формування квантових ям і крапок. Широкий білий спектр випромінювання в діапазоні 420-760 нм, а також баланс білого світла з індексом кольоровості R=40-90 забезпечується одночасно трьома механізмами (широким діапазоном ширин забороненої зони, широким спектром розмірів квантових ям і крапок та наявністю напружених нанокластерів, в яких збільшені енергії оптичних переходів), які формують енергетичний спектр переходів практично неперервним і малозалежним від часових змін. Це принципово відрізняє запатентовану структуру і технологію від відомих рішень.

ПУБЛІКАЦІЇ

Вербицкий В.Г. Ионные нанотехнологии в электронике. Монография. К.: МП. “Леся”, 2002. -376с

Осадчук В.С., Осадчук О.В. Вербицький В.Г. Температурні та оптичні мікроелектронні частотні перетворювачі. Монографія. Вінниця. Універсум, 2001р.

-195с.

Вербицкий В.Г. Коптенко В.М., Макогон Ю.Н. и др. Образование силицидов в пленках титана на кремнии // Изв. академии наук СССР. Металлы. -№3. -1988. -С. 156-159.

4. Вербицкий В.Г., Борзаковский А.Е., Высоцкий О.К. и др. Кинетика фазовых изменений при диффузионном взаимодействии пленок титана с кремнием // Поверхность. Физика, химия, механика. -1988. -№7.- С. 95-100.

5. Вербицкий В.Г. Коптенко В.М., Макогон Ю.Н. и др. Влияние подложки на фазовые превращения в конденсатах Ti Si/Si // Изв. АН СССР. Металлы. - 1989. - №3. - С.171-172.

6. Вербицкий В.Г., Борзаковский А.Е., Высоцкий О.К. и др. Особенности формирования силицида в пленках титана на кремнии // Поверхность. Физика. Химия. Механика. -1989. -№2. -С.170-172.

7.Осинський В.И., Олексенко П.Ф., Палагин А.В., Зубарев В.В., Луговский В.В., Бондаренко В.М., Николаенко Ю.Е., Вербицкий В.Г., Воронько А.В., Бобженко С.В., Мержвинский А.А. Проблемы интеграции структур гетероэлектроники с кремниевыми ИС // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1999. -№1.-С.3-17.

8. Вербицкий В.Г. Падалко В.Г., Грищенко С.Г. и др. Программа развития конкурентоспособных направлений микроэлектроники в Украине // Технология и конструирование в электронной аппаратуре - 1999. -№4. -С.3-8.

9. Вербицкий В.Г. Моделирование процесса получения монокристаллических дисилицидных пленок с применением ионной бомбардировки // Збірник наукових праць інституту кібернетики НАНУ. -том. 1. -2001. -С.41-47.

10. Вербицкий В.Г. , Золотаревский В.И., Николаенко Ю.Е. и др. Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2001. -№3. -С.57-61.

11. Verbitsky V. Ion technologies in micro- and optoelectronics // Optoelectronic Information Technologies. Proc. of SPIE. Vol. 4425. -2000. -Р.384 - 390.

12. Вербицкий В.Г.. Осинский В.И. Зонная инженерия: ионная реализация виртуальных квантово-размерных гетероструктур наноэлектроники // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. -2001. -№1.-С.169-183.

13. Вербицкий В.Г., Липовецкий Г.П., Сивобород П.В. Однокристальная микроЭВМ с аналого-цифровим преобразователем // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2001. -№6. -С.54-58.

14. Вербицкий В.Г. Осадчук В.С., Осадчук О.В., Мартинюк В.В. Исследование влияния ионного облучения на параметры чувствительных элементов частотных магнитных преобразователей // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. -2001.

-№2. -С.102-109.

15. Вербицкий В.Г. Математическая модель формирования силицидных пленок методом ионной бомбардировки при встречных потоках диффузантов к границе протекания реакции. Комп`ютерні засоби, мережі та системи // Збірник наукових праць інституту кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України. -2002. - С.14-19.

16. Мержвинский А.А., Осинский В.И., Палагин А.В., Вербицкий В.Г. и др. Особенности разработки цифровых волоконно-оптических модулей // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -2002. -№2. -С. 15-21.

17. Вербицький В.Г., Осадчук О.В. Дослідження впливу технологічних пристроїв на підвищення якості фоточутливих елементів на основі польових транзисторів НВЧ оптичних перетворювачів // Оптоелектронні інформаційно-енергетичні технології . -2002. -№2 (4). -C.135-140.

18. Осинский В.И., Вербицкий В.Г. Николаенко Ю.Е. и др. Тепловые процессы в микролазерных устройствах информационных систем // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -2000. -№2-3. -С. 27-35.

Вербицкий В.Г., Липовецкий Г.П., Проценко А.В., Сивобород П.В. Однокристальная микроЭВМ для систем с высокоразвитыми локальными сетями // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -2002. -№3. -С.51-56.

Вербицкий В.Г., Золотаревский В.И., Николаенко Ю.Е., Самотовка Л.И., Товмач Е.С. Конструктивно-технологические ограничений при проектировании высоковольтных КМОП БИС // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. .-2002. -№6.

-С. 48-53.

Вербицкий В.Г., Палагин А.В., Осинский В.И. Квантовый процессор Патент Украины №57825 від 28.07.2000г.

Вербицький В.Г., Липовецький Г.П., Ніколаєнко Ю.Є., Сивобород П.В. Тригер з початковим установленням. Деклараційний патент на винахід. №49343А. від 16.09.2002р.

Золотаревський В.І. Ніколаєнко Ю.Є., Вербицький В.Г., Товмач Є.С., Самотовка Л.І., Вощинкін О.Ф. Аналоговий ключ з керуванням. Патент на винахід №56359 від 15.05.2003р.

Копытко Ю.В., Цыркунов Ю.А., Вербицкий В.Г., Солонько А.В. Влияние импульсного отжига на электролюминесцентные параметры ТП ЭЛИ на основе ZnS // V International Simposium on information displeis. -Мн. -1996. -С.86-88.

25. Вербицкий В.Г. Низкотемпературные методы формирования слоев силицидных пленок в производстве интегральных схем // Information Simposium Sin Solid films in electronics -Харьков. - 2001г. -C.350-352.

26. Verbitsky V.G., Ion technologies in micro- and optoelectronics // Optoelectronic information technologies -Vinnitsia. - 2000. -P.158 .

Cукач Г.А., Богословская А.Б. Олексенко П.Ф., Осинский В.И., Вербицкий В.Г. Электрофизические свойства гетероструктур n⁺-GaN, InGaN-GaN/P-GaN с многочисленными квантовыми ямами // VII міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок. -Ів.-Франківськ. -2001. -С.33.

Вербицький В.Г. Йонні технології при інтеграції наноструктур А³В⁵ з кремнієвими інтегральними схемами // Тези доповідей 1-ї Української конференції з фізики напівпровідників. - м. Одеса. -2002. - С.68-69.

Вербицкий В.Г., Осинский В.И. Генерация белого излучения в наноструктурах многокомпонентных полупроводников // Second integrational Scientific Conference on Optoelectronic information Technologies. Photonics -ODS. -Vinnitsia. -2002. -P.85.

Размещено на Allbest.ru