Модифікація фізичних властивостей широкозонних напівпровідників АIIВVI для отримання термостабільних елементів та гетероструктур для оптоелектроніки
Розробка технологічних термообробок кристалічних сполук АIIВVI для керованої зміни їх оптичних і електрофізичних властивостей з метою застосувань в оптоелектроніці. Оптимальні режими отримання структурно досконалих однорідних плівок ZnO оптичної якості.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Матеріалознавство |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Прислал(а) | Загоруйко Ю.А. |
| Дата добавления | 06.07.2014 |
| Размер файла | 60,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик. Зміна вольтамперної характеристики переходу під дією випромінювання.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 11.09.2014Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід, освітлений перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку чутливості фотодіода для випромінювання.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.07.2014Розробка функціональної схеми автоматизації процесу регулювання пари при гранулюванні кормів; побудова систем контролю і обліку. Визначення передаточних функцій елементів структурно-алгоритмічної схеми САУ; розрахунок показників запасу стійкості і якості.
курсовая работа [984,7 K], добавлен 14.08.2012Історія назви кремнію, його поширення в природі, хімічні та фізичні властивості. Основні властивості діелектрика. Отримання промислового кремнію. Виробництво напівпровідникової техніки. Розрахунок кількості заряду в залежності від площі та густини заряду.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 13.12.2013Принципи отримання тонких плівок, вирощування кристалів методом Чохральського, обробка кристалів. Огляд технологій, які використовуються на підприємстві НВО "Термоприлад" під час виготовлення різноманітних електронних пристроїв вимірювання температури.
отчет по практике [1,0 M], добавлен 02.10.2014Коректуючі властивості мінімального інтервалу декодування. Визначення ймовірності помилкового декодування єдиного кодуючого формату. Використання МІД як єдиного кодуючого формату. Основні особливості коректуючих властивостей структурно-логічних кодів.
контрольная работа [1,1 M], добавлен 27.10.2009Технічна діагностика радіоелектронної апаратури. Розробка та обґрунтування процесу контролю якості. Дефекти, які можна виявити при контролі якості. Розробка методики досягнення запланованого рівня якості. Розробка статистичного методу контролю.
дипломная работа [9,3 M], добавлен 20.06.2012Згладжування зображень, функція градієнта. Підкреслення контурів низькочастотним оператором. Корекція структурних властивостей зображення. Урахування шумових властивостей структури оригіналу. Геометричні перетворення в системі поелементної обробки.
реферат [1,9 M], добавлен 05.02.2011Топологія та компоненти пасивних оптичних мереж доступу. Характеристики абонентських і магістральних волоконно-оптичних кабелів зовнішнього і внутрішнього прокладання. Властивості матеріалів їх конструктивних елементів. Термомеханічний розрахунок кабелю.
дипломная работа [4,8 M], добавлен 09.12.2014Загальні відомості та принцип дії фототиристора. Зміна електричного опору напівпровідника під дією випромінення. Розрахунок параметрів фототранзистора на гетеропереходах. Спектральний розподіл фотоструму напівпровідників в області власного поглинання.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 18.12.2009