Биполярные транзисторы

Тогда несложно определить значения b , U* и I_КЭ0 при t ° =40 ° С: b (40 ° С) =1,5 ·100=150, U*(40 ° С)=0,7-20 ·2 ·10 ^-3=0,66 В и I_КЭ0( 40 ° С)=2 ⁴ ·5 ·10 ^-6=160 мкА.

Тогда ток I_К ( 40 ° С)=150·10/10 ⁵-150 ·0,66/10 ⁵+160·10 ^-6=14,17 мА, то есть ток I_К изменился на 52,3 % и основной вклад в это изменение внес коэффициент передачи тока базы b.

Расчет показывает, что эта схема обладает низкой температурной стабильностью. В схеме, приведенной на рис. 3.28,б, внешние элементы задают ток эмиттера.

и

Таким образом, в этой схеме обеспечивается высокая температурная стабильность (как в схеме ОБ), правда достигается она за счет использования дополнительного источника питания.

Следует заметить, что указанная схема представляет собой по переменному току - схему ОЭ, а по постоянному току - схему ОБ.

Третья схема (см. рис. 3.28,в) занимает промежуточное по термостабильности положение между двумя первыми схемами.

В этой схеме фиксируется напряжение u_БЭ и при рациональном выборе R_Б1,R_Б2 и R_Э температурная стабильность всего в 2 - 3 раза хуже, чем во второй схеме.

10. Пробой биполярного транзистора

Физические причины, вызывающие пробой переходов транзистора, те же, что и в полупроводниковом диоде. В то же время пробой переходов в транзисторах имеет определенную специфику, связанную с взаимодействием переходов и проявляющуюся главным образом в схеме с общим эмиттером, где напряжение u_КЭ прикладывается к обоим переходам.

В схеме ОБ напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода U_{КБ0 проб} близко к напряжению пробоя изолированного перехода. Эмиттерный переход, как правило, работает при прямом смещении и его пробивное напряжение не представляет интереса, однако следует иметь в виду, что из-за сильного легирования эмиттера напряжение пробоя эмиттерного перехода мало - несколько вольт.

В схеме ОЭ условия возникновения лавинного пробоя очень сильно зависят от режима базовой цепи. В случае, когда ток базы не ограничен (сопротивление в цепи базы R_Б® 0) пробой коллекторного перехода происходит так же, как и в схеме ОБ, и возникает при том же пробивном напряжении на коллекторе U_{КБ0 проб}.

При фиксированном токе базы, когда базовая цепь питается от источника тока ( R_Б®--Ґ ), проявляется механизм положительной обратной связи, снижающей пробивное напряжения. Его суть состоит в том, что образующиеся в переходе в результате ударной ионизации пары носителей заряда разделяются полем перехода: электроны уходят на коллектор, увеличивая его ток, а дырки скапливаются в базе, увеличивая ее потенциал и снижая потенциальный барьер в эмиттерном переходе.

В результате увеличивается инжекция электронов из эмиттера в базу и растет коллекторный ток. Соответственно уменьшается пробивное напряжение. Наиболее сильно накопление дырок в базе происходит при отсутствии базового тока ( i_Б=0), что соответствует разомкнутой цепи базы ( R_Б = Ґ ). В этом режиме пробивное напряжение U_{КЭ0 проб} оказывается в несколько раз ниже, чем в схеме ОБ, и определяется выражением:

U_{КЭ0 проб} = U_{КБ0 проб} (3.40)

где b= 2...6 - коэффициент, зависящий от материала, из которого изготовлен транзистор.

В связи с сильным уменьшением пробивного напряжения запрещается эксплуатация транзистора с разомкнутой базовой цепью.

На рис 3.29 приведены выходные характеристики транзистора в режиме пробоя. Помимо рассмотренных выше пробивных напряжений U_{КБ0проб} и U_{КЭ0проб} на рисунке показано напряжение U_{КЭRпроб}, соответствующее некоторому конкретному сопротивлению R_Б, включенному в цепь базы и определяющему ее ток.

Из рисунка видно, что U_{КЭ0 проб} < U_{КЭR проб}< U_{КБ0 проб}.

Для увеличения напряжения пробоя коллекторного перехода степень легирования коллектора стараются выбирать достаточно низкой. Так же, как и в полупроводниковом диоде, обратимый лавинный пробой (называемый иногда первичным пробоем) при отсутствии ограничения тока может перейти в тепловой пробой (вторичный пробой), характеризующийся уменьшением напряжения u_КЭ (см. рис. 3.29) и приводящий к выходу транзистора из строя. При этом в транзисторе опасность возникновения теплового пробоя оказывается значительно сильнее, чем в диоде.

Это объясняется тем, что за счет инжекции электронов из эмиттера в базу через обратно- смещенный коллекторный переход при больших напряжениях протекает большой обратный ток и, соответственно, велика мощность, рассеиваемая в переходе.

Тепловой пробой наступает в том случае, когда рассеиваемая на коллекторе мощность P_К =u_КЭ Ч?i_К превышает максимально допустимую рассеиваемую мощность P_{К МАКС}. Гипербола, соответствующая допустимой мощности, показана пунктиром на рис. 3.29.

Кроме лавинного и теплового пробоя в транзисторах с очень узкой базой возникает специфический для транзисторной структуры вид пробоя, называемый эффектом смыкания.

Он связан с эффектом Эрли и заключается в том, что при очень большом обратном напряжении коллекторный переход, расширяясь, заполняет всю базовую область и смыкается с эмиттерным переходом, что эквивалентно их короткому замыканию.

Размещено на Allbest.ru