Микроволновые полупроводниковые приборы
Особенности микроволнового диапазона и динамического принципа управления преобразованием энергии. Электрофизические свойства однородных и неоднородных полупроводников. Свойства p-n перехода в микроволновом диапазоне. Лавинно-пролетный диод, Диод Шоттки.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Полупроводниковые приборы |
| Вид | учебное пособие |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | А.М. Абдуллаев |
| Дата добавления | 25.04.2014 |
| Размер файла | 1,5 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Полупроводниковые приборы. Выпрямительные свойства диодов. Динамический режим работы диодов. Принцип действия диода. Шотки, стабилитроны, стабисторы, варикапы. Туннельные диоды. Обращённый диод. Статическая характеристика и применение обращённого диода.
реферат [515,0 K], добавлен 14.11.2008Полупроводники и их физические свойства. Генерация и рекомбинация свободных носителей заряда. Влияние донорных и акцепторных примесей. Понятие р-п -перехода и факторы, влияющие на его свойства. Полупроводниковые диоды и биполярные транзисторы, их виды.
контрольная работа [1,2 M], добавлен 19.03.2011Виды и обозначение диодов. Основные параметры выпрямительных диодов. Диоды Шоттки в системных блоках питания, характеристики, особенности применения и методы проверки. Проявление неисправностей диодов Шоттки, их достоинства. Оценка возможности отказа.
курсовая работа [52,6 K], добавлен 14.05.2012Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.
реферат [237,4 K], добавлен 20.12.2013Причины, способствовавшие зарождению и развитию электроники. Микроволновые диоды, принцип действия и элементы маркировки, конструктивные оформления. Вычисления для потерь преобразования в последовательной схеме. Частотные ограничения, присущие СВЧ-диодам.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 22.08.2015Полупроводниковый диод и его применение. Р-n-переход при внешнем напряжении, приложенном к нему. Полупроводниковые диоды, их вольтамперные характеристики. Параметры и структура стабилитронов, их маркировка и переходные процессы. Емкость p-n перехода.
контрольная работа [1,2 M], добавлен 12.02.2016Диод как электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами. Его вольт-амперная характеристика. Основные типы диодов: выпрямительные, высокочастотные, переключающие, стабилитроны, сарикапы и диоды Шотки.
реферат [1017,8 K], добавлен 22.02.2015Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 19.10.2009Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.
презентация [352,8 K], добавлен 29.05.2010Проводники, диэлектрики и полупроводниковые материалы. Строение и свойства фото-, светодиодов, транзисторов, термисторов, их классификация, вольт-амперная характеристика, применение в автомобильных электрических системах. Преимущества цифровых схем.
презентация [4,1 M], добавлен 12.12.2013