Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Прислал(а) | Ренгевич О.Є. |
| Дата добавления | 20.04.2014 |
| Размер файла | 43,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.
курсовая работа [640,7 K], добавлен 13.12.2011Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.
курсовая работа [119,0 K], добавлен 08.08.2007Класифікація та умовні позначення польових транзисторів. Конструкція пристроїв з ізольованим затвором. Схема МДН-транзистора з вбудованим або індукованим каналом. Розрахунок електричних параметрів і передаточних характеристик польового транзистора КП301.
контрольная работа [510,5 K], добавлен 16.12.2013Принцип дії інвертора. Перетворювачі на основі автогенератора Ройєра. Застосування дроселів насичення для забезпечення перемикання транзисторів при зменшенні струму бази. Самозахист від короткого замикання внаслідок розмикання декількох транзисторів.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 13.07.2013Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Розрахунок фотодіода з метою отримання бажаних параметрів вольтамперних характеристик. Зміна вольтамперної характеристики переходу під дією випромінювання.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 11.09.2014Розрахунок технічних параметрів імпульсної оглядової радіолокаційної станції. Потужність шуму, коефіцієнт спрямованої дії антени передавача. Ефективна площина антени приймача. Енергія зондуючого сигналу: вибір та опис. Схема захисту від пасивних завад.
курсовая работа [994,2 K], добавлен 19.10.2010Призначення та види вимірювань. Діючі стандарти та технічні умови оформлення параметрів та характеристик волоконно-оптичного зв'язку. Методи знаходження пошкоджень у ВОЛЗ. Вимірювання потужності оптичного випромінювання та геометричних параметрів ОВ.
контрольная работа [115,2 K], добавлен 26.12.2010Розрахунок радіомовного приймача діапазону КВ–1 за заданими даними. Визначення таких його параметрів: смуга пропускання, припустимий коефіцієнт шуму, вхідний ланцюг, підсилювач радіочастоти, перетворювач радіочастоти, УПЧ, фільтр зосередженої селекції.
курсовая работа [765,3 K], добавлен 29.04.2011Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід, освітлений перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку чутливості фотодіода для випромінювання.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.07.2014Розрахунок потужності вхідного сигналу. Вибір схеми, типу підсилюючих приладів, орієнтовної величини коефіцієнту підсилення за потужністю вихідного каскаду. Максимальне значення колекторного струму кінцевих транзисторів. Розрахунок третього каскаду ПНЧ.
курсовая работа [261,3 K], добавлен 23.05.2012