Расчет и проектирование тонкопленочных ГИС
Определение геометрических размеров и минимальной площади, занимаемой тонкопленочным резисторам на подложке. Электрофизические параметры обеспечения микросхем. Оценка преимуществ ситаллов перед стеклами. Техпроцессы фотолитографии и скрайбирования.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Предмет | Тонкопленочная электроника |
Вид | реферат |
Язык | русский |
Прислал(а) | Мустафин Р.Р. |
Дата добавления | 06.03.2014 |
Размер файла | 254,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Изучение требований, предъявляемых к тонкопленочным резисторам. Физическая природа удельного электрического сопротивления пленок. Изучение методов осаждения пленок. Способы конструирования тонкопленочных резисторов. Выбор геометрии и площади резистора.
реферат [3,2 M], добавлен 07.11.2010Технология полупроводникового производства. Сущность процесса фотолитографии. Светочувствительность, разрешающая способность и кислотостойкость фоторезистов. Адгезия фоторезиста к подложке. Фотошаблоны и способы их получения. Требования к фоторезистам.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 22.02.2012Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 26.05.2010Определение элементов конструкции антенны. Выбор геометрических размеров рупорной антенны. Определение типа возбуждающего устройства, расчет его размеров. Размеры раскрыва пирамидального рупора. Расчет диаграммы направленности и фидерного тракта антенны.
курсовая работа [811,9 K], добавлен 30.07.2016Назначение, область применения и основные параметры изделия. Описание конструкции с обоснованием применяемых материалов и полуфабрикатов. Расчет геометрических размеров печатной платы. Электрический и тепловой расчет интегрального стабилизатора.
дипломная работа [316,9 K], добавлен 20.12.2010Сущность и задачи литографии. Описание процесса создания рисунка с использованием фотолитографии на кремниевой подложке. Исследование режимов технологического процесса ионного легирования в кремниевой технологии при помощи компьютерных программ.
реферат [23,9 K], добавлен 01.02.2016Выбор типа линий передач, расчет конструктивных и электрических параметров. Расчет геометрических размеров решетки и числа излучателей, параметров одиночного излучателя и схемы питания. Выбор структуры и расчет геометрических размеров фазовращателя.
курсовая работа [892,8 K], добавлен 07.07.2009История изобретения транзисторов, их классификация. Изобретение интегральной схемы Джеком Килби. Процесс изготовления микросхем методом фотолитографии и применением ультрафиолетовой технологии. Контроль их качества. Конструктивные варианты микросхем.
презентация [5,2 M], добавлен 06.10.2014Определение геометрических параметров антенны. Выбор и расчет параметров облучателя: его геометрические параметры, определение фазового центра, создание требуемой поляризации поля. Расчет электрических характеристик антенны и особенностей ее конструкции.
курсовая работа [499,9 K], добавлен 21.03.2011Геометрический расчет основных размеров облучателя. Определение геометрических размеров параболического зеркала. Расчет ДН облучателя, поля в апертуре и ДН зеркала, конструкции антенны. Выбор фидерного тракта. Расчет диаграммы направленности антенны.
курсовая работа [1,9 M], добавлен 27.12.2011