Розробка високоефективних фотоелектричних перетворювачів на основі кремнію

Рекомбінаційні параметри у пластинах кремнію в залежності від їх термічної передісторії високотемпературних обробок. Оптимізація технологічних процесів виготовлення сонячних елементів і фотоелектричних модулів з використанням кремнієвого матеріалу.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Твердотільна електроніка
Вид автореферат
Язык украинский
Прислал(а) Горбулик В.І.
Дата добавления 04.03.2014
Размер файла 18,5 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Історія назви кремнію, його поширення в природі, хімічні та фізичні властивості. Основні властивості діелектрика. Отримання промислового кремнію. Виробництво напівпровідникової техніки. Розрахунок кількості заряду в залежності від площі та густини заряду.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 13.12.2013

  • Проект двоканального симісторного регулятора потужності для теплоінерційних навантажень. Забезпечення захисту конструкції. Розрахунок конструктивно-технологічних параметрів плати. Розробка технологічних процесів виготовлення плати та приладу в цілому.

    дипломная работа [2,3 M], добавлен 19.08.2012

  • Аналіз найактуальніших методів виготовлення датчиків магнітного поля на основі тонких плівок, їх переваг і недоліків. Характеристика фізичних принципів і ефектів на яких працюють чутливі елементи та ролі у цьому матеріалу з якого вони виготовляються.

    курсовая работа [2,6 M], добавлен 17.05.2012

  • Перетворення енергії оптичного випромінювання в енергію будь-якого іншого вигляду (електричну, теплову) за допомогою приймачів: теплових та фотоелектричних. Схеми та режими роботи матеріалів фотодіодів інверсійного приймача: світлочутливість елементів.

    реферат [232,0 K], добавлен 04.12.2010

  • Загальні відомості, параметри та розрахунок підсилювача, призначення елементів і принцип роботи підсилювального каскаду. Розрахунок режиму роботи транзисторів, вибір пасивних елементів та номінальних значень пасивних і частотозадаючих елементів схеми.

    курсовая работа [990,6 K], добавлен 16.11.2010

  • Розробка, коригування електричної схеми. Обґрунтування вибору елементної бази. Вибір пасивних елементів. Проектування друкованої плати. Вибір матеріалу основи друкованого монтажу і провідникового матеріалу. Вибір електричного приєднання друкованої плати.

    курсовая работа [3,1 M], добавлен 01.10.2014

  • Загальні відомості про системи передачі інформації. Процедури кодування та модуляції. Використання аналогово-цифрових перетворювачів. Умови передачі різних видів сигналів. Розрахунок джерела повідомлення. Параметри вхідних та вихідних сигналів кодера.

    курсовая работа [571,5 K], добавлен 12.12.2010

  • Сутність роботи та основні характеристики аналого-цифрових перетворювачів (АЦП). Класифікація пристроїв, основні параметри паралельних АЦП, процес перетворення вхідного сигналу в багатоступеневому АЦП. Приклад роботи 8-розрядного двохтактного АЦП.

    курсовая работа [6,1 M], добавлен 29.06.2010

  • Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.

    курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014

  • Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.

    курсовая работа [640,7 K], добавлен 13.12.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.